林 和彦 | 原研先端基礎研
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概要
関連著者
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林 和彦
原研先端基礎研
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一宮 彪彦
名大工
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一宮 彪彦
名古屋大学工学部
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一宮 彪彦
名古屋大学大学院工学研究科
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林 和彦
名大工
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一宮 彪彦
原子力機構先端基礎研
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深谷 有喜
原子力機構先端基礎研
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河裾 厚男
原研先端基礎研
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一宮 彪彦
原研先端基礎研
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河裾 厚男
原子力機構・先端基礎研
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河裾 厚男
日本原子力研究開発機構
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深谷 有喜
原研先端基礎研
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一宮 彪彦
名大院工
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林 和彦
名大院工
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前川 雅樹
原子力機構・先端基礎研
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河裾 厚男
日本原子力研究開発機構先端基礎研
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林 和彦
名古屋大学消化器内科
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深谷 有喜
日本原子力研究所先端基礎研究センター
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林 和彦
日本原子力研究所先端基礎研究センター
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石本 貴幸
原研先端研
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上羽 牧夫
名大理
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林 和彦
名古屋大学医学部消化器内科
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一宮 彪彦
名古屋大学
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河裾 厚男
日本原子力研究所・高崎
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前川 雅樹
日本原子力研究開発機構先端基礎研
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一宮 彪彦
日本原子力研究所先端基礎研究センター
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Williams E.
University of Maryland
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Einstein T.
University of Maryland
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Einstein T.
Univ. Maryland Maryland Usa
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上羽 牧夫
名大・理
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前川 雅樹
日本原子力研究開発機構 先端基礎研
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前川 雅樹
日本原子力研究所高崎研究所
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河裾 厚男
(独)日本原子力研究開発機構・先端基礎研センター
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一宮 彪彦
日本女子大学理学部
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石本 貴幸
日本原子力研究所先端基礎研究センター
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前川 雅樹
原研先端基礎研
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石本 貴幸
原研先端基礎研
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林 和彦
原研先端研
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深谷 有喜
原研先端研
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河裾 厚男
原研先端研
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前川 雅樹
原研先端研
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西田 俊介
名大工
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Williams E.D.
メリーランド大
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Einstein T.L.
メリーランド大
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上羽 牧夫
名大院理
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久田 祥之
株式会社デンソー
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向中野 信一
株式会社デンソー
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久田 祥之
デンソー基礎研
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向中野 信一
デンソー基礎研
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渡邉 克博
名大理
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田中 頼子
名大工
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Williams E.
University Of Cambridge
著作論文
- 全反射陽電子回折による極表面構造の解析と物性
- 21aPS-38 反射高速陽電子回折によるSi(001)の清浄表面及び酸素吸着の研究(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 15pXG-7 磁界レンズを用いた陽電子回折装置の開発(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 15aPS-49 反射高速陽電子回折による Si(001) 表面の研究(領域 9)
- 14pXG-5 反射高速陽電子回折による Si(111)-√×√-Ag 表面構造相転移の研究(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 28aWP-6 反射高速陽電子回折を用いたSi(111)-7x7表面における表面デバイ温度の精密測定(表面界面構造(半導体))(領域9)
- 20pXB-5 反射高速陽電子回折・開発とその応用
- 23aYD-13 反射高速陽電子回折の視射角依存性による最表面構造の研究
- 23aYD-12 反射高速陽電子回折 (RHEPD) パターンの強度解析
- 28aTA-11 Si(100)表面上におけるSiの2次元アイランドの崩壊過程
- シリコン表面に形成されたナノ構造の安定性と崩壊
- 22pTD-4 シリコン表面上のシリコンピラミッドの崩壊過程とステップの挙動
- Si(111)表面上に孤立したシリコンナノピラミッドの崩壊過程のスケール則 : 成長界面IV
- Si(111)表面上の孤立したナノ構造の形成と崩壊 : 招待講演
- 25pT-3 Si(111)7×7表面上のSiピラミッドの崩壊過程名
- Si(111)表面上の孤立したシリコン島状結晶の緩和過程
- シリコン表面におけるピラミッドの形成と崩壊
- 24pW-10 Si表面上のアイランドの崩壊と2次元ガス状態 III
- 24aY-5 STM/RHEEDによる 6H-SiC(0001)表面の再構成の観察
- 22pTD-4 シリコン表面上のシリコンピラミッドの崩壊過程とステップの挙動
- 22pC6 ファセット上の島の表面拡散による崩壊過程(成長界面III)
- 29a-PS-19 Si(111)表面上のSiアイランドの崩壊過程
- 31a-PS-31 Si(111)表面上のSiアイランドの作成と崩壊過程
- 28a-T-9 Si表面上のSiアイランドの崩壊と2次元ガス状態II
- Si(111)7×7表面上の孤立島結晶の挙動
- Si表面上のSiアイランドの崩壊と2次元ガス状態