一宮 彪彦 | 原研先端基礎研

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• 一宮 彪彦

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• 河裾 厚男

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• 一宮 彪彦

  名古屋大学大学院工学研究科

• 深谷 有喜

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• 斎藤 弥八

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• 中原 仁

  名大院工

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• Saito Y

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• 中原 仁

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• Saito Yahachi

  Institute For Materials Research (imr) Tohoku University

• Saito Yahachi

  Technology Development Center Toyohashi University Of Technology

• Saito Yahachi

  Department Of Applied Physics Faculty Of Engineering Nagoya Universtiy

• Saito Yuji

  Department Of Electronic Engineering Graduate School Of Engineering Tohoku University

• Saito Yoshihiko

  Toshiba Corp. Semiconductor Materials Engineering Dept.

• Saito Y

  Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Mie University

• 前川 雅樹

  原研先端基礎研

• 石本 貴幸

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• 一宮 彪彦

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著作論文

• 21aPS-38 反射高速陽電子回折によるSi(001)の清浄表面及び酸素吸着の研究(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 15aPS-49 反射高速陽電子回折による Si(001) 表面の研究(領域 9)
• 14pXG-5 反射高速陽電子回折による Si(111)-√×√-Ag 表面構造相転移の研究(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
• 28aWP-6 反射高速陽電子回折を用いたSi(111)-7x7表面における表面デバイ温度の精密測定(表面界面構造(半導体))(領域9)
• 23aYD-13 反射高速陽電子回折の視射角依存性による最表面構造の研究
• 15aPS-47 Ag/Si(111)√×√ 表面の低温構造の解析 III(領域 9)
• 14pXG-6 In/Si(113) の表面再配列構造の研究(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
• 22aYE-2 反射高速陽電子回折によるGe(111)-√×√-Sn表面の相転移の研究(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aPS-35 反射高速陽電子回折によるSi(111)-√×√-Ag表面構造解析(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))

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