中原 仁 | 名大工
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概要
関連著者
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中原 仁
名大工
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中原 仁
名大院工
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一宮 彪彦
名大工
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一宮 彪彦
名古屋大学工学部
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斎藤 弥八
名大院工
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斎藤 弥八
名大工
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Saito Y
Faculty Of Engineering Yamanashi University
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斎藤 弥八
三重大学
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鈴木 秀俊
名大工
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Saito Yahachi
Institute For Materials Research (imr) Tohoku University
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Saito Yahachi
Technology Development Center Toyohashi University Of Technology
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Saito Yahachi
Department Of Applied Physics Faculty Of Engineering Nagoya Universtiy
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Saito Yuji
Department Of Electronic Engineering Graduate School Of Engineering Tohoku University
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Saito Yoshihiko
Toshiba Corp. Semiconductor Materials Engineering Dept.
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Saito Y
Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Mie University
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鈴木 秀俊
豊田工大
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Saito Yukinori
Electrical Engineering Yananashi University
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Saito Y
Faculty Of Engineering Shinshu University
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Saito Y
Yamanashi Univ. Kofu Jpn
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齊藤 弥八
名大院工
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一宮 彪彦
日女大理
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齋藤 弥八
名大院工
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一宮 彪彦
名古屋大学大学院工学研究科
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齋藤 弥八
名大工
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一宮 彪彦
日女大理・原研
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鈴木 猛司
名大工
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菱田 武司
名大工
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一宮 彪彦
名大院工
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西岡 秀雄
名大院工
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宮田 真次
名大工
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田中 淳
北大理
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一宮 彪彦
原研先端基礎研
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秋本 晃一
名大院工
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安坂 幸師
名大院工
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秋本 晃一
名大工
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田中 淳
名大院工
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大屋 強
名大工
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鈴木 猛司
名大院工
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安坂 幸師
名古屋大学大学院工学研究科
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斎藤 幸夫
慶應義塾大学理工学部
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市川 昌和
Jrcat-atp
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松川 知弘
名大院工
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山下 徹也
名大院工
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美濃 匡志
名大工
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西岡 秀雄
名大工
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齋藤 弥八
原研
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Saito Y
Department Of Applied Physics Osaka University
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田窪 暁
名大工
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水野 義人
名大院工
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Saito Y
Synchrotron Radiation Research Center Japan Atomic Energy Agency
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Saitoh Yuji
Department Of Material Physics Osaka University
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Saito Yahachi
Faculty Of Engineering Mie University
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斎藤 幸夫
慶応大学理工学部物理
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市川 昌和
Jrcat
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Saito Y
Toyota Central Res. And Dev. Lab. Inc. Aichi Jpn
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河本 滋
名大工
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持木 健吾
名大工
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山田 尚明
名大工
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Shigeta Yukichi
Institute Of Plasma Physics Nagoya University:department Of Physics Yokohama City University
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樋掛 浩二
名大工
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Saito Yoshiaki
Hatano Research Institute (hri) Food And Drug Safety Center (fdsc)
著作論文
- 27a-PS-61 サーファクタントエピタキシにおける表面拡散過程
- 23aWB-6 その場顕微鏡法による単一カーボンナノチューブエミッタの作製と電界放出特性の評価(ナノチューブ(伝導),領域7,分子性固体・有機導体)
- 22aRA-4 カーボンナノチューブ電界エミッタにおける金属蒸着の効果(ナノチューブ(物性),領域7,分子性固体・有機導体)
- 20aPS-37 Al/Si(113)表面の研究(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pTG-3 In/Si(113)の表面再配列構造の研究III(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 30aPS-34 In/Si(113)の表面再配列構造の研究II(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aPS-37 Ag/Si(111)√×√表面の低温構造の解析IV(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 15aPS-47 Ag/Si(111)√×√ 表面の低温構造の解析 III(領域 9)
- 14pXG-6 In/Si(113) の表面再配列構造の研究(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 23aYD-7 Ga/Si(113) ナノファセットのアニールによる形態変化
- 19pPSB-42 微傾斜したSi(113)面上のGa吸着構造の研究
- 27aXE-6 Ga吸着した高指数Si表面の研究IV
- 25aWB-6 Ga吸着したSi(113)上のナノファセット構造の研究
- 22pT-1 Ga吸着した高指数Si表面の研究 III
- 26aPS-25 Ga吸着した高指数Si表面の研究II
- 29a-PS-6 Ga吸着した高指数Si表面の研究I
- 27pPSA-22 Ag/Si(111)√×√表面の低温構造の解析II(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 23aYD-9 Ag/Si (111) √×√ 表面の低温構造の解析
- 23aYD-8 Sb を吸着した Si(113) 表面再構成構造の研究
- 28pPSB-17 エネルギ分解反射高速電子回折の研究 III
- 20aRH-2 エネルギ分解反射高速電子回折の研究II
- 25pWS-5 SiC(0001)基板上に生成したグラフェン膜のX線ラウエ関数による層数決定(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 5a-T-2 Si(111)7×7からのRHEED図形の動力学的計算
- 29pPSA-9 エネルギ分解反射高速電子回折の研究
- 31a-PS-41 RHEEDロッキング曲線によるSi(113)表面構造の解析
- 29p-C-2 エピタキシャル成長中のRHEED強度と表面構造
- 5a-T-4 a-Si/Si(111)昇温過程のRHEEDによる観察
- 4a-B4-2 Si(111)上へのSiのMBE成長
- 7aSL-4 反射高速電子回折における非弾性散乱電子の解析((電子線),X線・粒子線,領域10)
- 6pPSB-40 Ga/Si(113)ファセット構造の形成過程(表面界面結晶成長,領域9)
- 25pYF-6 微傾斜したSi(113)面上のGa吸着構造の研究II(25pYF 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))