25pWS-5 SiC(0001)基板上に生成したグラフェン膜のX線ラウエ関数による層数決定(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
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概要
- 論文の詳細を見る
- 2010-08-18
著者
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斎藤 幸夫
慶應義塾大学理工学部
-
秋本 晃一
名大院工
-
齊藤 弥八
名大院工
-
斎藤 弥八
名大院工
-
齋藤 弥八
名大工
-
秋本 晃一
名大工
-
斎藤 弥八
名大工
-
中原 仁
名大院工
-
齋藤 弥八
名大院工
-
Saito Y
Faculty Of Engineering Yamanashi University
-
Saito Yukinori
Electrical Engineering Yananashi University
-
中原 仁
名大工
-
斎藤 弥八
三重大学
-
Saito Y
Department Of Applied Physics Osaka University
-
Saito Y
Synchrotron Radiation Research Center Japan Atomic Energy Agency
-
Saitoh Yuji
Department Of Material Physics Osaka University
-
Saito Yahachi
Institute For Materials Research (imr) Tohoku University
-
Saito Yahachi
Technology Development Center Toyohashi University Of Technology
-
Saito Yahachi
Faculty Of Engineering Mie University
-
Saito Yahachi
Department Of Applied Physics Faculty Of Engineering Nagoya Universtiy
-
Saito Y
Faculty Of Engineering Shinshu University
-
斎藤 幸夫
慶応大学理工学部物理
-
Saito Yuji
Department Of Electronic Engineering Graduate School Of Engineering Tohoku University
-
Saito Yoshihiko
Toshiba Corp. Semiconductor Materials Engineering Dept.
-
Saito Y
Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Mie University
-
Saito Y
Toyota Central Res. And Dev. Lab. Inc. Aichi Jpn
-
持木 健吾
名大工
-
山田 尚明
名大工
-
Shigeta Yukichi
Institute Of Plasma Physics Nagoya University:department Of Physics Yokohama City University
-
Saito Y
Yamanashi Univ. Kofu Jpn
-
Saito Yoshiaki
Hatano Research Institute (hri) Food And Drug Safety Center (fdsc)
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