2p-M-8 X線定在波法によるInGaAsP混晶薄膜の評価
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
22pGQ-2 Atomic structure of the Si(553)-Au surface
-
特集にあたって-放射光とX線結晶学, この15年
-
5p-T-2 透過型X線回折法による表面構造の研究
-
30p-D-11 X線回折法によるSi(111)√×√-Bi構造
-
1p-S-5 高角入射条件下でのSi(111)√×√Bi構造によるX線回折の観測
-
2p-K-6 Si単結晶からの干渉制動輻射の偏極の測定
-
24pPSA-23 表面X線回折法を用いたSi(111)-5×2-Au表面の構造解析(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
20aPS-32 表面X線回折法を用いたSi(111)-Au表面構造の研究(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
26pXC-4 X線回折によるSi(111)-6×1(3×1)-Ag表面の3次元的な原子配列の研究(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
-
20aPS-27 X 線 CTR 散乱低温試料マニピュレータの開発と Si(111)-6x1-Ag 表面構造の研究
-
1p-E-9 軟 X 線ホログラフィ
-
APD検出器による^Tm核共鳴電子線の検出
-
1a-D-2 APD検出器による^ Tm核共鳴電子線の検出
-
1p-D-8 半導体成長への応用 : (1)内殻電子励起によるGaAsの構造変化 : (2)X線波動場による薄膜成長制御
-
26pPSB-31 Structures of Pb on high-index Si surfaces
-
29pPSB-58 Si(553)-Auの表面構造の研究(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
22aXJ-10 酸化によるSiC(0001)-3×3と√×√-R30°表面構造の変化(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
12p-T-1 PF精密X線光学実験装置 : I概要
-
26pYA-6 6軸X線回折計による表面・界面構造の評価
-
RF磁場変調下の^FeBO_3の核共鳴前方散乱
-
1a-D-4 パルス磁場摂動下の^FeBO_3の核共鳴散乱
-
30aPS-35 表面X線回折法による埋もれたSi(111)-5×2-Au構造の研究(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
-
21aPS-36 表面X線回折法によるSi(111)-Auの埋もれた界面構造の研究(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
7a-X-13 核共鳴非弾性散乱による元素を特定したフォノン状態密度
-
31p-A-8 核共鳴散乱による元素を特定したフォノンスペクトルII
-
31p-A-6 鉄微粒子の核共鳴非弾性散乱
-
核共鳴散乱による元素を特定したフォノンスペクトル
-
核共鳴非弾性散乱を用いた^Fe微粒子のフォノンの測定
-
1a-D-3 フォノン励起核共鳴散乱の温度依存性
-
4p-X-2 放射光による核共鳴非弾性散乱
-
23aYD-8 Sb を吸着した Si(113) 表面再構成構造の研究
-
逆スパッタ表面処理による絶縁膜-半導体界面近傍の格子歪(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
逆スパッタ表面処理による絶縁膜-半導体界面近傍の格子歪(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
-
逆スパッタ表面処理による絶縁膜-半導体界面近傍の格子歪(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
25pWS-5 SiC(0001)基板上に生成したグラフェン膜のX線ラウエ関数による層数決定(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
23aWS-1 Low temperature superstructure formation in gold atomic chains on high-index Si surfaces
-
31p-B-6 トリスタン主リング用いた超高輝度放射光計画
-
23pZL-7 X線による半導体表面界面の構造研究
-
X線反射率による磁性流体表面の観察
-
3a-J-8 Ag/Si界面の√3構造
-
12p-T-4 PF精密X線光学実験装置IV : Fe-3%Si結晶におけるX線の磁気散乱
-
2a-NR-1 角度分解型平面波X線トポグラフィによる転位像 II
-
2p-N-4 角度分解型平面波X線トポグラフィによる転位像
-
1PD023 異常分散X線回折法によるLangmuir-Blodgett膜の構造解析
-
27aXE-3 表面X線回折法によるAg/Si(111)界面の√構造とIETモデル
-
31p-B-7 放射光での偏光可変X線光学系
-
28p-ZB-2 X線偏光光学系IV : 円偏光の高速スイッチング
-
28p-ZB-1 X線円偏光光学系
-
26p-Q-3 X線偏光光学系 II. : 偏光状態の完全決定
-
X線定在法によるNiSi_2/(111)Si界面構造の解析(表面に特有な超格子構造の解析とその新しい方法の開発,科研費研究会報告)
-
2a-KK-4 X線定在波法によるNisi_2/(111)Si界面構造の解析
-
2p-N-1 共平面同時反射条件下におけるX線回折強度曲線
-
26p-Q-4 X線偏光光学系III : 波長可変左右円偏光の生成
-
3a-M-11 X線散漫散乱によるシリコン単結晶中の微小欠陥の解析
-
ラウエ写真を撮ってみよう
-
3. 微少量・高精度・極限に迫る 表面構造をX線回折で調べる
-
表面を探る : 1. ビーム・表面相互作用: 放射光: 新しい展開 ( 表面)
-
B. K. Tanner and D. K. Bowen編: Characterization of Crystal Growth Defects by X-Ray Methods; Proceedings of the NATO Advanced Study Institute, Durham, 1979, Plenum Press, New York and London, 1980, xxvi+589ページ, 26×17.5cm, 21,840円(NATO Advanced Study Instit
-
27a-Q-11 干渉計を用いた中性子磁気複屈折効果の測定III
-
3a-TA-9 干渉計を用いた中性子磁気複屈折効果の測定 II
-
4a-W-11 干渉計を用いた中性子磁気複屈折効果の測定
-
13a-T-1 表面弾性波による中性子回折強度の変化
-
5a-PS-21 X線回折法によるSi(111)√3x√3-Gaの構造解析
-
5a-PS-20 X線回折法によるSi(111)√3x√3-Sbの構造解析
-
4p-X-3 放射光による高圧下メスバウアー分光 (II)
-
3a-G-1 X線スペクトロメーターによるロッキング・カーブの精密測定
-
11p-A-9 表面における低エネルギーヘリウムイオン散乱の共鳴現象
-
27p-L-11 X線波動場法による蛍光X線放射と光伝導の変化の測定
-
29p-E-11 α-^Fe_2O_3 結晶の育成・評価と核ブラッグ散乱反射率
-
29p-E-9 放射光核ブラッグ散乱実験用精密ディフラクトメータ
-
5p-TA-2 SRX線のα-^Fe_2O_3結晶における核共鳴ブラッグ散乱
-
31p-A-7 ^FeBO_3による核共鳴同時反射
-
^FeBO_3による核共鳴同時反射
-
31p-A-10 厚いシリコン単結晶による同時反射の回折像
-
31a-N-3 微小角X線散乱法によるアモルファス及び結晶性物質の研究
-
5p-TA-3 多層膜を利用した核共鳴散乱のシミュレーション
-
15a-DH-8 軟X線定在波法によるAu/Si(111)表面の解析
-
29p-E-12 AR-NE3における核共鳴散乱の時間スペクトルおよび吸収スペクトル
-
31p-ZB-5 シンクロトロン放射光によるフーリエ変換メスバウアー分光
-
28p-ZB-5 SR光による超高圧下メスバウアー分光
-
31p-A-11 ダイアモンド単結晶を用いたX線パラメトリック散乱
-
31p-B-3 ヘマタイト単結晶のブラッグ散乱および核共鳴散乱の散乱強度測定
-
29p-E-3 SR光による干渉実験
-
5p-TA-1 X線干渉計を用いた状態の混合による干渉効果の消失の研究
-
非対称反射を用いた複結晶法による格子歪の観察 : X線・粒子線
-
X線二結晶スペクトロメーターによる格子歪みの精密測定 : 格子欠陥
-
荷電粒子の単結晶透過
-
X線結晶表面構造解析における位相問題
-
垂直入射に近いX線回折法によるSi (111) 〓3x〓3-Bi構造
-
2p-M-8 X線定在波法によるInGaAsP混晶薄膜の評価
-
合金ガラスFe78B12Si10, Ni78B12Si10の極小角中性子散乱
-
30p-E-15 表面弾性波によるX線回析強度の変調
-
中性子極小角散乱
-
単結晶におけるX線回折に伴う非弾性散乱強度の変化II : X線粒子線
-
單結晶におけるX線回折に伴う非彈性散乱強度の変化 : 粒子線・X線
-
メスバウアー効果の応用国際会議 : ICAME '93
-
X線=結晶スペクトロメーターによる単結晶回折現象の研究 : 粒子線・X線
-
科学技術庁大型放射光施設計画について
-
タイトル無し
-
31p-M3-2 レーザアニールのX線時分割測定(X線・粒子線)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク