3a-TA-9 干渉計を用いた中性子磁気複屈折効果の測定 II
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1990-09-12
著者
-
高橋 敏男
東大物性研
-
中谷 信一郎
東大物性研
-
菊田 惺志
東大工
-
清水 富士夫
電通大レーザー量子・物質
-
長谷川 祐司
東大工
-
富満 広
原研物理
-
菊田 惺志
(財)高輝度光科学研究センター
-
長谷川 祐司
東大・工
関連論文
- 22pGQ-2 Atomic structure of the Si(553)-Au surface
- 22pPSA-8 軟X線吸収・発光分光法によるSiON/SiC(0001)のバンドオフセット構造の研究(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 5p-T-2 透過型X線回折法による表面構造の研究
- 26p-P-2 Si(111)√×√ - Ag 構造によるX線回折
- 26p-P-1 X線I-E曲線によるSi(111)√×√-Bi構造の解析 II
- 28pRE-10 X線CTR散乱を利用した超薄膜界面原子の3次元再構成法(28pRE 領域10,領域5合同 X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 24pPSA-23 表面X線回折法を用いたSi(111)-5×2-Au表面の構造解析(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pXJ-6 X線回折によるSi(111)表面上のFeシリサイド薄膜構造解析(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20aPS-32 表面X線回折法を用いたSi(111)-Au表面構造の研究(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pTD-5 軟X線吸収及び発光分光法によるSiON/SiC(0001)超薄膜の元素選択的電子状態の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 13aTJ-10 動力学的回折効果を利用した X 線パラメトリック散乱の観測(X 線・粒子線 : X 線, 領域 10)
- 13aTJ-9 SiO_2/Si 界面下に誘起されたメゾスコピックスケール歪みの解明 : 位相敏感 X 線回折法による(X 線・粒子線 : X 線, 領域 10)
- 14pXG-10 SiO_2/Si 界面下に誘起された歪み場中の静的構造揺らぎ(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 29aXB-12 放射光を用いた X 線パラメトリック変換
- 19aTH-5 多波回折を利用したSiO_2/Si界面付近の微小歪みの測定
- 26pXC-4 X線回折によるSi(111)-6×1(3×1)-Ag表面の3次元的な原子配列の研究(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 20aPS-27 X 線 CTR 散乱低温試料マニピュレータの開発と Si(111)-6x1-Ag 表面構造の研究
- 21pHT-6 CTR散乱ホログラフィー(21pHT 領域10,領域9,領域1合同シンポジウム:原子分解能をもつX線・電子線ホログラフィー,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 1a-ZB-7 シリコン2結晶法で見た多層膜中性子ミラーの鏡面反射の特性
- 23aYH-3 ブラッグ反射励起条件下のCTR散乱とその応用
- 23aYH-2 微小角入射条件下におけるX線回折理論の研究
- 29a-J-3 X線回折法によるSi(001)-2×1構造の解析
- 29a-YM-7 Si/Ge/Si界面からのX線散漫散乱
- 1p-G-3 X線回折法によるSi(111)√3x√3-Au表面構造の研究
- 25p-S-6 X線回折法によるGe/Si(001)界面構造の研究
- 30a-ZB-3 コッセル線を用いた表面・界面の構造評価法
- 27aXD-7 微小角入射条件におけるX線90度ブラッグ反射の研究(27aXD X線,粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 26pPSB-31 Structures of Pb on high-index Si surfaces
- 29pPSB-58 Si(553)-Auの表面構造の研究(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aXJ-10 酸化によるSiC(0001)-3×3と√×√-R30°表面構造の変化(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25aYH-6 電子線照射によるSn/Ge(111)-3×3表面構造の変化(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27aTE-3 X線回折によるMnSi/Si(111)界面構造の研究(27aTE 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 13aTJ-8 X 線回折を利用した Si/Ge/Si(001) 結晶における Ge island の歪みについての研究(X 線・粒子線 : X 線, 領域 10)
- 30aXC-5 金属単結晶上の酸化物単結晶薄膜の背面ラウエパターンの観測の試み
- 26pYA-6 6軸X線回折計による表面・界面構造の評価
- 30aPS-35 表面X線回折法による埋もれたSi(111)-5×2-Au構造の研究(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aPS-36 表面X線回折法によるSi(111)-Auの埋もれた界面構造の研究(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25a-K-10 X線回折を利用したGaAs/Ge/GeAs(100)副格子反転層の評価
- 23aWS-1 Low temperature superstructure formation in gold atomic chains on high-index Si surfaces
- 23aYH-5 蛍光X線ホログラフィによるGe/Si(001)量子ドット構造の研究
- 31p-B-13 すれすれ入射条件下のX線非対称反射の動力学的扱い
- 21pHT-6 CTR散乱ホログラフィー(21pHT 領域10,領域9,領域1合同シンポジウム:原子分解能をもつX線・電子線ホログラフィー,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 23pWK-5 多波長同時分散光学系を用いたトランケーションロッドの測定III(23pWK X線・粒子線(X線),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 28aYK-9 多波長同時分散光学系を用いたトランケーションロッドの測定II(X線・粒子線(X線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 28pRE-9 多波長同時分散X線光学系を用いた結晶トランケーションロッドの測定(28pRE 領域10,領域5合同 X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 26aWG-13 X線CTR散乱法によるPr_Ba_Cu_3O_/SrTiO_3界面構造解析(26aWG 高温超伝導2(理論・磁気共鳴・中性子),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 27aXE-3 表面X線回折法によるAg/Si(111)界面の√構造とIETモデル
- 22pT-5 表面X線回折法によるAg/Si界面の構造
- 25a-K-11 多波回折を利用した表面構造解析手法の開発
- 7a-X-4 二次元Bravais格子からのX線回折
- 24aPS-66 表面X線回折法によるPb/Si(111)表面の再構成構造とその相転移(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-65 Structures formed by Pb deposition onto high-index Si surfaces
- 29pPSB-60 Sn/Ge(111)及びSn/Si(111)低温相のLEEDによる検証(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pYA-4 多波回折を利用した表面X線回折における位相間問題の研究
- 19pPSB-33 微小角入射X線回折法によるSi(111)-√×√-Ag表面の低温相の構造評価II
- 17pWD-8 表面X線回折法によるSi(111)-√×√-Ag上のAg薄膜の結晶配向性
- 27aXE-4 微小角入射X線回折法によるSi(111)√×√-Ag表面の低温相の構造評価
- 24pPSA-13 表面X線回折法によるSi(111)-√×√-(Ag+Au)表面の構造解析
- 27a-Q-11 干渉計を用いた中性子磁気複屈折効果の測定III
- 3a-TA-9 干渉計を用いた中性子磁気複屈折効果の測定 II
- 4a-W-11 干渉計を用いた中性子磁気複屈折効果の測定
- 5a-PS-21 X線回折法によるSi(111)√3x√3-Gaの構造解析
- 5a-PS-20 X線回折法によるSi(111)√3x√3-Sbの構造解析
- 20aPS-28 透過 X 線回折による表面構造解析
- 27aXE-5 X線回折法による室温Si(111)-√×√-Ag構造の再解析
- 4a-B5-10 逆格子点近くでのX線回折強度分布
- 31p-B-8 ダーウィン流の動力学的X線回折理論
- 28p-PSB-37 X線の絶対反射率測定による表面構造解析
- 15a-DL-8 表面X線回折現象における動力学的考察
- 25pTN-2 中性子微分位相コントラストイメージング法の開発(25pTN X線・粒子線(中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 28pTH-1 Si(111)上のBi(001)超薄膜の界面構造解析(28pTH 表面界面構造(金属),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pPSA-38 ペンタセン超薄膜のX線CTR散乱法による構造解析(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 31p-B-9 吸収のない完全結晶による中性子のロッキング曲線
- 行列形式の動力学的回折理論によるX線定在波
- 27a-ZS-1 X線回折法によるSi(111)√x√-Ag構造の決定
- イメージング・グレートを用いたX線回折法による四塩化炭素の凝固・融解過程の研究
- 垂直入射に近いX線回折法によるSi (111) 〓3x〓3-Bi構造
- 23aJA-8 多波長同時分散型CTR散乱法の時分割測定への応用(23aJA X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 23aJA-7 ラウエケースのX線CTR散乱(23aJA X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 21aHA-7 X線CTR散乱法によるペンタセン超薄膜の界面構造(21aHA 表面界面構造(有機化合物),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pCK-4 Bi_2Te_3上のBi超薄膜の電子状態と表面構造解析(25pCK トポロジカル絶縁体,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pCK-3 Bi_2Te_3超薄膜および1BL BiのLEED-IV構造解析(25pCK トポロジカル絶縁体,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aCC-5 表面X線回折法によるBi/Bi_2Te_3トポロジカル絶縁体界面の構造研究(24aCC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aCE-1 X線多波回折現象を利用したX線照射効果のその場観察(24aCE X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 26pPSB-34 表面X線回折法によるSiC(000-1)上のエピタキシャルグラフェンの界面構造の研究(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 18pAG-9 Quick time-resolved X-ray reflectivity using an undulator source
- 18pAG-8 波長分散型X線CTR散乱法を用いたルチルTiO_2(110)表面超親水化反応の時分割測定(18pAG X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 29aXZB-6 KEK低速陽電子実験施設におけるビームライン整備と新しい測定装置(29aXZB 領域10,ビーム物理領域合同 X線・粒子線(電子線・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 26pPSA-38 X線CTR散乱法によるトポロジカル絶縁体Bi_2Se_3超薄膜の構造解析(26pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29aXZB-6 KEK低速陽電子実験施設におけるビームライン整備と新しい測定装置(29aXZB 領域10,ビーム物理領域合同 X線・粒子線(電子線・陽電子),ビーム物理領域)
- タイトル無し
- 26aXZA-2 CuドープBi_2Se_3薄膜のX線CTR散乱法による構造解析(26aXZA 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 8aSM-5 表面X線回折法によるSiC(0001)3×3構造の研究(表面界面構造・電子物性,領域9)
- 9aSM-2 X線回折法によるAl2O3/Ru(0001)の構造解析(表面界面構造・電子物性,領域9)
- 26aDK-7 LEEDによるAg(111)上シリセンの構造解析(グラフェン(新物質・表面界面),領域7,領域4合同,領域7(分子性個体・有機導体))
- 7aSM-6 表面X線回折法によるSi(111)-√3×√3-Ag表面の相転移研究(表面界面構造・電子物性,領域9)
- 25aJA-1 X線回折によるトポロジカル絶縁体Bi_2Se_3超薄膜構造の膜厚依存性の研究(トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aJB-10 ルチル型TiO_2(110)表面超親水化反応における表面構造変化(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pWG-1 表面X線回折を用いたイメージング法によるSi/Ge/Si(001)界面構造解析(27pWG X線・粒子線,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性分野))
- 28aAQ-3 多層シリセンの構造解析(28aAQ グラフェン・シリセン,領域9(表面・界面・結晶成長))