13aTJ-8 X 線回折を利用した Si/Ge/Si(001) 結晶における Ge island の歪みについての研究(X 線・粒子線 : X 線, 領域 10)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2004-08-25
著者
-
張 小威
KEK-PF
-
杉山 弘
Kek Pf
-
高橋 敏男
東京大学物性研究所
-
高橋 敏男
東大物性研
-
張 小威
高エネ研物構研
-
田尻 寛男
JASRI
-
宇佐美 徳隆
東北大金研
-
白木 靖寛
都市大総研
-
田尻 寛男
高輝度光科学研究センター
-
草野 修治
物材機構
-
白木 靖寛
武蔵工大総研
-
草野 修治
物材ナノマテ研
-
杉山 弘
Musashi Insts. of Tech.
-
河田 弘
PF
-
白木 靖寛
武蔵工大
-
杉山 弘
KEK/PF
-
張 小威
KEK/PF
-
河田 弘
KEK/PF
関連論文
- 22pGQ-2 Atomic structure of the Si(553)-Au surface
- 15a-DL-1 放射光による核共鳴散乱のフイルター系の開発I
- 特集にあたって-放射光とX線結晶学, この15年
- 29pXD-11 軟組織に有効なX線屈折原理を用いた3次元,3次元像形成理論と実験(29pXD X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 22pPSA-8 軟X線吸収・発光分光法によるSiON/SiC(0001)のバンドオフセット構造の研究(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26p-Q-6 ラウエケース、吸収のある場合のX線熱散浸散乱に及ぼす動力学的回折効果 II
- 5p-T-2 透過型X線回折法による表面構造の研究
- 26p-P-2 Si(111)√×√ - Ag 構造によるX線回折
- 26p-P-1 X線I-E曲線によるSi(111)√×√-Bi構造の解析 II
- 28pRE-10 X線CTR散乱を利用した超薄膜界面原子の3次元再構成法(28pRE 領域10,領域5合同 X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 24pPSA-23 表面X線回折法を用いたSi(111)-5×2-Au表面の構造解析(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pXJ-6 X線回折によるSi(111)表面上のFeシリサイド薄膜構造解析(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20aPS-32 表面X線回折法を用いたSi(111)-Au表面構造の研究(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pTD-5 軟X線吸収及び発光分光法によるSiON/SiC(0001)超薄膜の元素選択的電子状態の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 屈折型X線顕微鏡の病気診断への応用
- 13aTJ-10 動力学的回折効果を利用した X 線パラメトリック散乱の観測(X 線・粒子線 : X 線, 領域 10)
- 13aTJ-9 SiO_2/Si 界面下に誘起されたメゾスコピックスケール歪みの解明 : 位相敏感 X 線回折法による(X 線・粒子線 : X 線, 領域 10)
- 14pXG-10 SiO_2/Si 界面下に誘起された歪み場中の静的構造揺らぎ(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- SiO_2/Si界面下に誘起された格子歪み : 位相敏感X線回折法による(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 位相敏感X線回折法によるSiO_2/Si界面以下の微小歪みの測定(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
- 29aXB-12 放射光を用いた X 線パラメトリック変換
- 19aTH-5 多波回折を利用したSiO_2/Si界面付近の微小歪みの測定
- 29p-F-4 レーザー光によって誘導されるX線パラメトリック散乱の観察 III
- 26pXC-4 X線回折によるSi(111)-6×1(3×1)-Ag表面の3次元的な原子配列の研究(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 20aPS-27 X 線 CTR 散乱低温試料マニピュレータの開発と Si(111)-6x1-Ag 表面構造の研究
- 21pHT-6 CTR散乱ホログラフィー(21pHT 領域10,領域9,領域1合同シンポジウム:原子分解能をもつX線・電子線ホログラフィー,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 1a-ZB-7 シリコン2結晶法で見た多層膜中性子ミラーの鏡面反射の特性
- 23aYH-3 ブラッグ反射励起条件下のCTR散乱とその応用
- 23aYH-2 微小角入射条件下におけるX線回折理論の研究
- 29a-J-3 X線回折法によるSi(001)-2×1構造の解析
- 29a-YM-7 Si/Ge/Si界面からのX線散漫散乱
- 1p-G-3 X線回折法によるSi(111)√3x√3-Au表面構造の研究
- 25p-S-6 X線回折法によるGe/Si(001)界面構造の研究
- 30a-ZB-3 コッセル線を用いた表面・界面の構造評価法
- 24aWG-4 屈折コントラストを用いるトモシンセシスの開発(X線・粒子線(X線光学・イメージング),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 27aXD-7 微小角入射条件におけるX線90度ブラッグ反射の研究(27aXD X線,粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 19aYM-6 結晶核モノクロメーターによる超単色シングルラインX線の生成(X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 26pPSB-31 Structures of Pb on high-index Si surfaces
- 29pPSB-58 Si(553)-Auの表面構造の研究(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aXJ-10 酸化によるSiC(0001)-3×3と√×√-R30°表面構造の変化(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 4p-X-4 偏光を用いた核共鳴散乱フィルター系
- 25a-S-2 Fe等の薄膜ミラーを用いたメスバウアー光用モノクロメーター その1
- 25aYH-6 電子線照射によるSn/Ge(111)-3×3表面構造の変化(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27aTE-3 X線回折によるMnSi/Si(111)界面構造の研究(27aTE 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 13aTJ-8 X 線回折を利用した Si/Ge/Si(001) 結晶における Ge island の歪みについての研究(X 線・粒子線 : X 線, 領域 10)
- 30aXC-5 金属単結晶上の酸化物単結晶薄膜の背面ラウエパターンの観測の試み
- 26pYA-6 6軸X線回折計による表面・界面構造の評価
- 30aPS-35 表面X線回折法による埋もれたSi(111)-5×2-Au構造の研究(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aPS-36 表面X線回折法によるSi(111)-Auの埋もれた界面構造の研究(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 31p-A-8 核共鳴散乱による元素を特定したフォノンスペクトルII
- 4p-X-2 放射光による核共鳴非弾性散乱
- 15a-DL-4 ^Snによる核共鳴前方散乱の観測
- 15a-DL-2 放射光の核共鳴散乱の動的過程
- 25a-K-10 X線回折を利用したGaAs/Ge/GeAs(100)副格子反転層の評価
- 23aWS-1 Low temperature superstructure formation in gold atomic chains on high-index Si surfaces
- 23aYH-5 蛍光X線ホログラフィによるGe/Si(001)量子ドット構造の研究
- 31p-B-13 すれすれ入射条件下のX線非対称反射の動力学的扱い
- 表面構造はどこまで分かったのか?
- 23aY-5 表面反射放射光トポグラフィによるMOCVD法で成長させたZnSe/GaAs薄膜の評価
- 21pHT-6 CTR散乱ホログラフィー(21pHT 領域10,領域9,領域1合同シンポジウム:原子分解能をもつX線・電子線ホログラフィー,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 23pWK-5 多波長同時分散光学系を用いたトランケーションロッドの測定III(23pWK X線・粒子線(X線),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 28aYK-9 多波長同時分散光学系を用いたトランケーションロッドの測定II(X線・粒子線(X線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 28pRE-9 多波長同時分散X線光学系を用いた結晶トランケーションロッドの測定(28pRE 領域10,領域5合同 X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 26aWG-13 X線CTR散乱法によるPr_Ba_Cu_3O_/SrTiO_3界面構造解析(26aWG 高温超伝導2(理論・磁気共鳴・中性子),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 27aXE-3 表面X線回折法によるAg/Si(111)界面の√構造とIETモデル
- 22pT-5 表面X線回折法によるAg/Si界面の構造
- 25a-K-11 多波回折を利用した表面構造解析手法の開発
- 7a-X-4 二次元Bravais格子からのX線回折
- 24aPS-66 表面X線回折法によるPb/Si(111)表面の再構成構造とその相転移(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-65 Structures formed by Pb deposition onto high-index Si surfaces
- 29pPSB-60 Sn/Ge(111)及びSn/Si(111)低温相のLEEDによる検証(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pYA-4 多波回折を利用した表面X線回折における位相間問題の研究
- 19pPSB-33 微小角入射X線回折法によるSi(111)-√×√-Ag表面の低温相の構造評価II
- 17pWD-8 表面X線回折法によるSi(111)-√×√-Ag上のAg薄膜の結晶配向性
- 27aXE-4 微小角入射X線回折法によるSi(111)√×√-Ag表面の低温相の構造評価
- 24pPSA-13 表面X線回折法によるSi(111)-√×√-(Ag+Au)表面の構造解析
- ラウエ写真を撮ってみよう
- 3. 微少量・高精度・極限に迫る 表面構造をX線回折で調べる
- 表面を探る : 1. ビーム・表面相互作用: 放射光: 新しい展開 ( 表面)
- B. K. Tanner and D. K. Bowen編: Characterization of Crystal Growth Defects by X-Ray Methods; Proceedings of the NATO Advanced Study Institute, Durham, 1979, Plenum Press, New York and London, 1980, xxvi+589ページ, 26×17.5cm, 21,840円(NATO Advanced Study Instit
- 27a-Q-11 干渉計を用いた中性子磁気複屈折効果の測定III
- PIN フォトダイオードによるX線強度の測定
- 4p-X-3 放射光による高圧下メスバウアー分光 (II)
- 表面X線回折の最近の動向と位相問題
- X線回折によるSi(111)-√×√-Ag表面構造解析と相転移研究
- 29p-E-11 α-^Fe_2O_3 結晶の育成・評価と核ブラッグ散乱反射率
- 5p-TA-2 SRX線のα-^Fe_2O_3結晶における核共鳴ブラッグ散乱
- 29p-E-13 二結晶法を用いたα-^Fe_2O_3からの核共鳴ブラッグ散乱
- 31p-ZB-5 シンクロトロン放射光によるフーリエ変換メスバウアー分光
- 28p-ZB-5 SR光による超高圧下メスバウアー分光
- 25pTN-2 中性子微分位相コントラストイメージング法の開発(25pTN X線・粒子線(中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 25pTG-11 Pb/Si(111)表面の1×1↔√7×√3相転移(25pTG 表面界面構造(半導体・無機化合物),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pTH-1 Si(111)上のBi(001)超薄膜の界面構造解析(28pTH 表面界面構造(金属),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pPSA-38 ペンタセン超薄膜のX線CTR散乱法による構造解析(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aJA-8 多波長同時分散型CTR散乱法の時分割測定への応用(23aJA X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 23aJA-7 ラウエケースのX線CTR散乱(23aJA X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 21aHA-7 X線CTR散乱法によるペンタセン超薄膜の界面構造(21aHA 表面界面構造(有機化合物),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 多波長同時分散型光学系を用いた結晶トランケーションロッド散乱プロファイルの迅速測定法の開発
- 表面X線回折による研究 : さらなる発展と広がりを
- 27aWG-3 低波数フォノンが励起された媒質中で生じるX線エコー現象(27aWG X線・粒子線,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性分野))