23aJA-8 多波長同時分散型CTR散乱法の時分割測定への応用(23aJA X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2011-08-24
著者
-
白澤 徹郎
東京大学物性研究所
-
高橋 敏男
東京大学物性研究所
-
白澤 徹郎
東大物性研
-
高橋 敏男
東大物性研
-
松下 正
高エ研
-
松下 正
Kek-pf
-
松下 正
高エネルギー加速器研究機構物質構造科学研究所
-
荒川 悦雄
東京学芸大
-
高橋 敏男
東大 物性研
-
荒川 悦雄
東京学芸大学
関連論文
- 原子レベルで急峻な界面構造と電子状態 : SiC上の絶縁性SiON超薄膜(最近の研究から)
- 22pGQ-2 Atomic structure of the Si(553)-Au surface
- 特集にあたって-放射光とX線結晶学, この15年
- 23aXA-9 SiON/SiC(0001)表面での電子状態の深さ依存性とその起源(23aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pPSA-8 軟X線吸収・発光分光法によるSiON/SiC(0001)のバンドオフセット構造の研究(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29pPSB-54 光電子分光による微斜面SiC上の数層grapheneの電子状態測定(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 微傾斜SiC(0001)表面上の酸窒化シリコン薄膜の作製と低速電子回折による構造解析
- 22pPSA-101 微傾斜SiC(0001)表面上に形成する周期的ナノファセット構造(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pPSA-19 SiC(0001)上にエピタキシャル成長したSiON超薄膜の電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pTG-11 SiC(0001)上にエピタキシャル成長した秩序SiON超薄膜(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pPSB-25 SiC(0001)上の不活性超薄膜のLEED/STMによる構造解析(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 5p-T-2 透過型X線回折法による表面構造の研究
- 26p-P-2 Si(111)√×√ - Ag 構造によるX線回折
- 26p-P-1 X線I-E曲線によるSi(111)√×√-Bi構造の解析 II
- 28pRE-10 X線CTR散乱を利用した超薄膜界面原子の3次元再構成法(28pRE 領域10,領域5合同 X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 24pPSA-23 表面X線回折法を用いたSi(111)-5×2-Au表面の構造解析(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pXJ-6 X線回折によるSi(111)表面上のFeシリサイド薄膜構造解析(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20aPS-32 表面X線回折法を用いたSi(111)-Au表面構造の研究(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pTD-5 軟X線吸収及び発光分光法によるSiON/SiC(0001)超薄膜の元素選択的電子状態の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 新結晶・新物質 SiC上の結晶化SiON超薄膜
- 27aYB-8 Si(001),Ge(001)表面におけるc(4×2)構造の解析とc(4×2)-p(2×1)相転移の臨界現象(27aYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 13aTJ-10 動力学的回折効果を利用した X 線パラメトリック散乱の観測(X 線・粒子線 : X 線, 領域 10)
- 13aTJ-9 SiO_2/Si 界面下に誘起されたメゾスコピックスケール歪みの解明 : 位相敏感 X 線回折法による(X 線・粒子線 : X 線, 領域 10)
- 14pXG-10 SiO_2/Si 界面下に誘起された歪み場中の静的構造揺らぎ(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- SiO_2/Si界面下に誘起された格子歪み : 位相敏感X線回折法による(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 位相敏感X線回折法によるSiO_2/Si界面以下の微小歪みの測定(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
- 29aXB-12 放射光を用いた X 線パラメトリック変換
- 19aTH-5 多波回折を利用したSiO_2/Si界面付近の微小歪みの測定
- 26pXC-4 X線回折によるSi(111)-6×1(3×1)-Ag表面の3次元的な原子配列の研究(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 20aPS-27 X 線 CTR 散乱低温試料マニピュレータの開発と Si(111)-6x1-Ag 表面構造の研究
- 21pHT-6 CTR散乱ホログラフィー(21pHT 領域10,領域9,領域1合同シンポジウム:原子分解能をもつX線・電子線ホログラフィー,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 1a-ZB-7 シリコン2結晶法で見た多層膜中性子ミラーの鏡面反射の特性
- 23aYH-3 ブラッグ反射励起条件下のCTR散乱とその応用
- 23aYH-2 微小角入射条件下におけるX線回折理論の研究
- 29a-J-3 X線回折法によるSi(001)-2×1構造の解析
- 29a-YM-7 Si/Ge/Si界面からのX線散漫散乱
- 1p-G-3 X線回折法によるSi(111)√3x√3-Au表面構造の研究
- 25p-S-6 X線回折法によるGe/Si(001)界面構造の研究
- 27aXD-7 微小角入射条件におけるX線90度ブラッグ反射の研究(27aXD X線,粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 26pPSB-31 Structures of Pb on high-index Si surfaces
- 29pPSB-58 Si(553)-Auの表面構造の研究(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aXJ-10 酸化によるSiC(0001)-3×3と√×√-R30°表面構造の変化(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25aYH-6 電子線照射によるSn/Ge(111)-3×3表面構造の変化(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27aTE-3 X線回折によるMnSi/Si(111)界面構造の研究(27aTE 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pTD-6 SiON/SiC(0001)表面系における電子状態の理論的解析(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20aPS-33 Ge(111)-Sn系における相転移のLEEDによる研究(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aPS-50 Si(001),Ge(001)表面における秩序無秩序相転移の臨界現象 : LEEDによる解析(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 低温での電子線照射によるSi(001)-c(4×2)構造の変化
- 26pXC-2 低温で起こる電子励起による構造変化とドーパント依存性 : Si(001)-c(4×2)(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 13aTJ-8 X 線回折を利用した Si/Ge/Si(001) 結晶における Ge island の歪みについての研究(X 線・粒子線 : X 線, 領域 10)
- 30aPS-35 表面X線回折法による埋もれたSi(111)-5×2-Au構造の研究(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aPS-36 表面X線回折法によるSi(111)-Auの埋もれた界面構造の研究(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aWS-1 Low temperature superstructure formation in gold atomic chains on high-index Si surfaces
- 表面構造はどこまで分かったのか?
- 21pHT-6 CTR散乱ホログラフィー(21pHT 領域10,領域9,領域1合同シンポジウム:原子分解能をもつX線・電子線ホログラフィー,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 20pXB-1 低速電子線照射によるSi(001)表面の構造変化(20pXB 領域9,領域4合同招待講演,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pWK-5 多波長同時分散光学系を用いたトランケーションロッドの測定III(23pWK X線・粒子線(X線),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 28aYK-9 多波長同時分散光学系を用いたトランケーションロッドの測定II(X線・粒子線(X線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 28pRE-9 多波長同時分散X線光学系を用いた結晶トランケーションロッドの測定(28pRE 領域10,領域5合同 X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 26aWG-13 X線CTR散乱法によるPr_Ba_Cu_3O_/SrTiO_3界面構造解析(26aWG 高温超伝導2(理論・磁気共鳴・中性子),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 24aPS-66 表面X線回折法によるPb/Si(111)表面の再構成構造とその相転移(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-65 Structures formed by Pb deposition onto high-index Si surfaces
- 29pPSB-60 Sn/Ge(111)及びSn/Si(111)低温相のLEEDによる検証(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- ラウエ写真を撮ってみよう
- 3. 微少量・高精度・極限に迫る 表面構造をX線回折で調べる
- 表面を探る : 1. ビーム・表面相互作用: 放射光: 新しい展開 ( 表面)
- B. K. Tanner and D. K. Bowen編: Characterization of Crystal Growth Defects by X-Ray Methods; Proceedings of the NATO Advanced Study Institute, Durham, 1979, Plenum Press, New York and London, 1980, xxvi+589ページ, 26×17.5cm, 21,840円(NATO Advanced Study Instit
- 表面X線回折の最近の動向と位相問題
- X線回折によるSi(111)-√×√-Ag表面構造解析と相転移研究
- 24aPS-172 LEEDによるCu(100)上のSb単独吸着構造決定及びSbとMgの共吸着構造(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 15pXG-12 低速電子線励起による Si(001)-c(4×2) 構造の無秩序化(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 28pWP-12 低速電子線照射によるSi(001)-c(4×2)表面構造の変化(表面界面構造(半導体))(領域9)
- 27pPSA-18 Cu(001)-Bi系のLEEDによる構造解析(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 23aYE-2 Cu (001)-Bi, Li 共吸着構造の LEED 解析
- 22pYE-5 Si(001) 表面の低温 LEED による観察
- 28aWD-7 Cu(001) 表面上の Bi と Mg および Bi と Li の共吸着構造の LEED 解析
- 25pTN-2 中性子微分位相コントラストイメージング法の開発(25pTN X線・粒子線(中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 25pTG-11 Pb/Si(111)表面の1×1↔√7×√3相転移(25pTG 表面界面構造(半導体・無機化合物),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pTH-1 Si(111)上のBi(001)超薄膜の界面構造解析(28pTH 表面界面構造(金属),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pPSA-38 ペンタセン超薄膜のX線CTR散乱法による構造解析(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aJA-8 多波長同時分散型CTR散乱法の時分割測定への応用(23aJA X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 23aJA-7 ラウエケースのX線CTR散乱(23aJA X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 21aHA-7 X線CTR散乱法によるペンタセン超薄膜の界面構造(21aHA 表面界面構造(有機化合物),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 多波長同時分散型光学系を用いた結晶トランケーションロッド散乱プロファイルの迅速測定法の開発
- 表面X線回折による研究 : さらなる発展と広がりを
- 25pCK-4 Bi_2Te_3上のBi超薄膜の電子状態と表面構造解析(25pCK トポロジカル絶縁体,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pCK-3 Bi_2Te_3超薄膜および1BL BiのLEED-IV構造解析(25pCK トポロジカル絶縁体,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aCC-5 表面X線回折法によるBi/Bi_2Te_3トポロジカル絶縁体界面の構造研究(24aCC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pPSB-34 表面X線回折法によるSiC(000-1)上のエピタキシャルグラフェンの界面構造の研究(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 18pAG-9 Quick time-resolved X-ray reflectivity using an undulator source
- 18pAG-8 波長分散型X線CTR散乱法を用いたルチルTiO_2(110)表面超親水化反応の時分割測定(18pAG X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 29aXZB-6 KEK低速陽電子実験施設におけるビームライン整備と新しい測定装置(29aXZB 領域10,ビーム物理領域合同 X線・粒子線(電子線・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 26pPSA-38 X線CTR散乱法によるトポロジカル絶縁体Bi_2Se_3超薄膜の構造解析(26pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29aXZB-6 KEK低速陽電子実験施設におけるビームライン整備と新しい測定装置(29aXZB 領域10,ビーム物理領域合同 X線・粒子線(電子線・陽電子),ビーム物理領域)
- 26aXZA-2 CuドープBi_2Se_3薄膜のX線CTR散乱法による構造解析(26aXZA 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aDK-7 LEEDによるAg(111)上シリセンの構造解析(グラフェン(新物質・表面界面),領域7,領域4合同,領域7(分子性個体・有機導体))
- 25aJA-1 X線回折によるトポロジカル絶縁体Bi_2Se_3超薄膜構造の膜厚依存性の研究(トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aJB-10 ルチル型TiO_2(110)表面超親水化反応における表面構造変化(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aAQ-3 多層シリセンの構造解析(28aAQ グラフェン・シリセン,領域9(表面・界面・結晶成長))
- 27pAP-6 SiC上の結晶性シリカシートのSTM観察とそのバンドギャップ(27pAP 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))