白澤 徹郎 | 東大物性研
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概要
関連著者
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白澤 徹郎
東大物性研
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高橋 敏男
東大物性研
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白澤 徹郎
東京大学物性研究所
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高橋 敏男
東京大学物性研究所
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高橋 敏男
東大 物性研
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Voegeli W.
東大物性研
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VOEGELI Wolfgang
東大物性研
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Voegelin Wolfgang
KEK-PF
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Vobegeli Wolfgang
東大物性研
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Wolfgang Voegeli
東大物性研
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栃原 浩
九州大学大学院総合理工学研究院
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栃原 浩
九大総理工
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栃原 浩
北大触媒研
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荒川 悦雄
東京学芸大
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栃原 浩
九大
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栃原 浩
九州大学工学部
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杉山 弘
高エネルギー加速器研究機構物質構造科学研究所
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杉山 弘
Kek Pf
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松下 正
高エ研
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秋本 晃一
名大院工
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秋本 晃一
名工大
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田中 悟
九大院工
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松下 正
Kek-pf
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松下 正
高エネルギー加速器研究機構物質構造科学研究所
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久保 公孝
東大物性研
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阿部 誠
東大物性研
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大山 真実
東大物性研
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荒川 悦雄
東京学芸大学
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平原 徹
東大理
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水野 清義
九大院総理工
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高山 透
東大物性研
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廣江 拓
東大物性研
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田中 悟
九州大学大学院工学研究院
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角田 潤一
東大物性研
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荒川 悦雄
東京学芸大学教育学部自然科学系基礎自然科学講座物理科学分野
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長谷川 修司
東大理
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小森 文夫
東大物性研
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関口 浩司
東大物性研
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水野 清義
九大総理工
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林 賢二郎
九大院総理工
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林 賢二郎
九大総理工
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栃原 浩
北大触媒セ
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栃原 浩
物性研
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秋本 晃一
名大工
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福居 直哉
東大理
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辛 埴
東大物性研
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藤浪 真紀
千葉大院工
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木下 豊彦
JASRI, SPring-8
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安藤 康伸
東大院理
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常行 真司
東大院理
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満汐 孝治
東理大院理
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寺部 宏基
東理大院理
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長嶋 泰之
東理大院理
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前川 雅樹
日本原子力研究開発機構先端基礎研
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河裾 厚男
原子力機構先端基礎研
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中辻 寛
東大物性研
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森田 康平
九大院工
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赤木 和人
東北大WPI
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常行 真司
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
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前川 雅樹
(独)日本原子力研究開発機構・先端基礎研センター
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藤原 弘康
東大院理
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原田 慈久
RIKEN Spring-8
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原田 慈久
東大院工:東大放射光機構:理研:spring-8
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立花 隆行
立教大先端科計研
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平山 孝人
立教大理
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HORIKAWA Yuka
RIKEN/SPring-8
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室隆 佳之
JASRI
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平野 馨一
KEK-PF
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岩沢 勇作
東大物性研
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室 隆桂之
高輝度光科学研究センター
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設楽 哲夫
高エ研
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立花 隆行
立教大理
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田尻 寛男
JASRI
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小林 功佳
お茶の水大理
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木下 豊彦
Jasri
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室 桂隆之
JASRI SPring-8
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河裾 厚男
東北大・金研
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田尻 寛男
高輝度光科学研究センター
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大澤 哲
高エネルギー加速器研究機構
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古川 和朗
高エ研
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兵頭 俊夫
東大総合文化
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前川 雅樹
原子力機構・先端基礎研
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赤木 和人
東大院理
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大沢 哲
高エ研加速器
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設楽 哲夫
物質構造科学研究所
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白川 明広
高エ研・放射光
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小林 功佳
お茶の水女子大学理学部物理学科
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赤木 和人
東北大
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望月 出海
原子力機構先端基礎研
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望月 出海
(独)日本原子力研究開発機構・先端基礎研センター
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大沢 哲
高エネルギー加速器研究機構加速器研究施設
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Kawasuso A.
東北大金研
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河裾 厚男
日本原子力研究開発機構
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池田 光男
高エ研
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Mizokawa T
Univ. Tokyo Tokyo
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木下 豊彦
高輝度光科学研究センター
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和田 健
高エ研
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兵頭 俊夫
高エ研
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河裾 厚男
原子力機構 先端基礎研
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前川 雅樹
原研 高崎研
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鈴木 亮平
東理大院理
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長嶋 泰之
東理大
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室 隆桂之
JASRI
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川合 眞紀
理研
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高木 紀明
東大新領域
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木村 滋
JASRI
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木村 真一
分子研
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原田 慈久
東大院工
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服部 梓
阪大院工
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田中 悟
九大工
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為則 雄祐
JASRI, SPring-8
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梶原 堅太郎
JASRI
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八木 直人
JASRI, SPring-8
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若林 裕助
阪大基礎工
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広井 善二
東大物性研
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豊川 秀訓
SPring-8 JASRI
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廣井 善二
東大物性研
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若林 裕輔
物構研
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室 隆桂之
財団法人高輝度光科学研究センター
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豊川 秀訓
JASRI
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杉山 弘
高エ研
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鶴巻 厚
東大物性研
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Mizutani Teruyoshi
Department Of Electrical Engineering School Of Engineering Nagoya University
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小森 文夫
東京大学物性研究所
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小林 英一
Saga-ls
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豊川 秀訓
高輝度光科学研究セ
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常行 真司
東大院理:物性研
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室隆 桂之
JASRI
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吉田 学史
九大総理工
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森田 康平
九大総理工
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TOKUSHIMA Takashi
RIKEN/SPring-8
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若林 祐助
物構研
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徳島 高
RIKEN SPring-8
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柴田 祐樹
東大物性研
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萩原 好人
九大院工
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今井 彩子
千葉大院自然
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角田 治哉
千葉大院自然
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馬渡 健児
東北大院理
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谷治 光一郎
東大物性研
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坂本 一之
千葉大院融合
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田中 悟
九大工院
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徳島 高
理研:spring8
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松波 雅冶
神戸大院自然
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為則 雄祐
Jasri
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VOEGELI Woflgang
東大物性研
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杉山 弘
高エ研PF
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野島 健大
東大物性研
-
新井 大輔
東大物性研
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服部 賢
奈良先端大物質創成
-
服部 梓
奈良先端大物質創成
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若林 裕助
高工研PF
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橋本 光博
東大物性研
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為則 雄祐
Jasri/spring-8
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坂木 一之
東北大院理
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堀川 裕加
理研 SPring-8
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森 健太郎
九大総理工
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堀川 裕加
RIKEN Spring-8
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八木 直人
高輝度光科学研究センター
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坂田 修身
JASRI
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東 相吾
九大総理工
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八木 直人
財団法人高輝度光科学研究センター 利用研究促進部門
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八木 直人
Jasri
-
八木 直人
高輝度光科学研究センター放射光研究所利用促進部門ii
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杉山 弘
KEK-PF
-
梶原 堅太郎
Jasri Spring-8
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服部 賢
奈良先端大物質
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八木 直人
高輝度光研
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坂田 修身
Jst-crest:高輝度光科学研
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坂田 修身
高輝度光科学研究センター
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坂田 修身
Spring-8 Jasri
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坂田 修身
財団法人 高輝度光科学研究センター
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康江 拓
東大物性研
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小林 功佳
お茶大理
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服部 賢
奈良先端大
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八木 直人
輝度光学研究セ
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坂田 修身
(財)高輝度光科学研究センター(jasri/spring-8)
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Tamenori Y.
Tohoku Univ.
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TAMENORI Y.
Japan Synchrotron Radiation Research Institute
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坂田 修身
財団法人 高輝度光科学研究センター 利用研究促進部門
-
坂田 修身
高輝度光科学研究センター放射光研究所利用促進部門
-
Miyahara Tsuneaki
Photon Factory National Laboratory For High Energy Physics (kek)
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Tamenori Y.
Jasri
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加藤 和男
JASRI, SPring-8
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八木 直人
Jasri Spring-8
-
木村 滋
Jasri Spring-8
-
加藤 和男
Jasri Spring-8
-
室 隆桂之
Jasri/spring-8
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山田 学
東大理
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松波 雅治
分子研uvosr:総研大物理
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吉澤 俊介
東大物性研
-
宮崎 秀俊
名工大工
-
徳島 高
理化学研究所
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相谷 昌紀
東大理
-
Srey Chenda
九大院工
-
川合 眞紀
東大新領域
-
川合 真紀
東京大学工学部応用化学科:東京大学新領域創成科学研究科
-
松波 雅治
分子研
-
小林 功佳
お茶の水女子大
-
柳生 数馬
福岡大工
-
鈴木 孝将
福岡大工
著作論文
- 22pGQ-2 Atomic structure of the Si(553)-Au surface
- 23aXA-9 SiON/SiC(0001)表面での電子状態の深さ依存性とその起源(23aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pPSA-8 軟X線吸収・発光分光法によるSiON/SiC(0001)のバンドオフセット構造の研究(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29pPSB-54 光電子分光による微斜面SiC上の数層grapheneの電子状態測定(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pPSA-101 微傾斜SiC(0001)表面上に形成する周期的ナノファセット構造(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pPSA-19 SiC(0001)上にエピタキシャル成長したSiON超薄膜の電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 28pRE-10 X線CTR散乱を利用した超薄膜界面原子の3次元再構成法(28pRE 領域10,領域5合同 X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 24pPSA-23 表面X線回折法を用いたSi(111)-5×2-Au表面の構造解析(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pXJ-6 X線回折によるSi(111)表面上のFeシリサイド薄膜構造解析(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pTD-5 軟X線吸収及び発光分光法によるSiON/SiC(0001)超薄膜の元素選択的電子状態の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26pPSB-31 Structures of Pb on high-index Si surfaces
- 29pPSB-58 Si(553)-Auの表面構造の研究(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aYH-6 電子線照射によるSn/Ge(111)-3×3表面構造の変化(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27aTE-3 X線回折によるMnSi/Si(111)界面構造の研究(27aTE 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pTD-6 SiON/SiC(0001)表面系における電子状態の理論的解析(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 23aWS-1 Low temperature superstructure formation in gold atomic chains on high-index Si surfaces
- 23pWK-5 多波長同時分散光学系を用いたトランケーションロッドの測定III(23pWK X線・粒子線(X線),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 28aYK-9 多波長同時分散光学系を用いたトランケーションロッドの測定II(X線・粒子線(X線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 28pRE-9 多波長同時分散X線光学系を用いた結晶トランケーションロッドの測定(28pRE 領域10,領域5合同 X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 26aWG-13 X線CTR散乱法によるPr_Ba_Cu_3O_/SrTiO_3界面構造解析(26aWG 高温超伝導2(理論・磁気共鳴・中性子),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 24aPS-66 表面X線回折法によるPb/Si(111)表面の再構成構造とその相転移(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-65 Structures formed by Pb deposition onto high-index Si surfaces
- 29pPSB-60 Sn/Ge(111)及びSn/Si(111)低温相のLEEDによる検証(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pTH-1 Si(111)上のBi(001)超薄膜の界面構造解析(28pTH 表面界面構造(金属),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pPSA-38 ペンタセン超薄膜のX線CTR散乱法による構造解析(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aJA-8 多波長同時分散型CTR散乱法の時分割測定への応用(23aJA X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 23aJA-7 ラウエケースのX線CTR散乱(23aJA X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 21aHA-7 X線CTR散乱法によるペンタセン超薄膜の界面構造(21aHA 表面界面構造(有機化合物),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pCK-4 Bi_2Te_3上のBi超薄膜の電子状態と表面構造解析(25pCK トポロジカル絶縁体,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pCK-3 Bi_2Te_3超薄膜および1BL BiのLEED-IV構造解析(25pCK トポロジカル絶縁体,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aCC-5 表面X線回折法によるBi/Bi_2Te_3トポロジカル絶縁体界面の構造研究(24aCC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pPSB-34 表面X線回折法によるSiC(000-1)上のエピタキシャルグラフェンの界面構造の研究(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 18pAG-9 Quick time-resolved X-ray reflectivity using an undulator source
- 18pAG-8 波長分散型X線CTR散乱法を用いたルチルTiO_2(110)表面超親水化反応の時分割測定(18pAG X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 29aXZB-6 KEK低速陽電子実験施設におけるビームライン整備と新しい測定装置(29aXZB 領域10,ビーム物理領域合同 X線・粒子線(電子線・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 26pPSA-38 X線CTR散乱法によるトポロジカル絶縁体Bi_2Se_3超薄膜の構造解析(26pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29aXZB-6 KEK低速陽電子実験施設におけるビームライン整備と新しい測定装置(29aXZB 領域10,ビーム物理領域合同 X線・粒子線(電子線・陽電子),ビーム物理領域)
- 26aXZA-2 CuドープBi_2Se_3薄膜のX線CTR散乱法による構造解析(26aXZA 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aDK-7 LEEDによるAg(111)上シリセンの構造解析(グラフェン(新物質・表面界面),領域7,領域4合同,領域7(分子性個体・有機導体))
- 25aJA-1 X線回折によるトポロジカル絶縁体Bi_2Se_3超薄膜構造の膜厚依存性の研究(トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aJB-10 ルチル型TiO_2(110)表面超親水化反応における表面構造変化(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aAQ-3 多層シリセンの構造解析(28aAQ グラフェン・シリセン,領域9(表面・界面・結晶成長))
- 27pAP-6 SiC上の結晶性シリカシートのSTM観察とそのバンドギャップ(27pAP 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))