柴田 祐樹 | 東大物性研
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概要
関連著者
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中辻 寛
東大物性研
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小森 文夫
東大物性研
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柴田 祐樹
東大物性研
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小森 文夫
東京大学物性研究所
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新倉 涼太
東大物性研
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田中 悟
九大院工
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森田 康平
九大院工
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飯盛 拓嗣
東大物性研
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山田 正理
東大物性研
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田中 悟
九州大学大学院工学研究院
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水野 清義
九大院総理工
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白澤 徹郎
東京大学物性研究所
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松田 巌
東大物性研
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原沢 あゆみ
東大物性研
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奥田 太一
東大物性研
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白澤 徹郎
東大物性研
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原沢 あゆみ
東京大学物性研究所
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NIIKURA R.
東大物性研
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富松 宏太
東大物性研
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岩崎 悠真
東大物性研
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元村 勇也
東大物性研
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吉村 継生
東大物性研
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上原 直也
九大院工
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松田 巌
東大物性研究所
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奥田 太一
広大放射光セ・先端計測
著作論文
- 21pGP-4 SiC微斜面上エピタキシャル数層グラフェンの電子状態(21pGP グラフェン(成長と評価),領域7(分子性固体・有機導体))
- 29pPSB-54 光電子分光による微斜面SiC上の数層grapheneの電子状態測定(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aYH-8 数層グラフェン電子状態のSTMによる研究(28aYH 領域7,領域9合同 グラフェン構造・表面物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20aGQ-5 Ge(111)√×√-Au表面の電子状態(20aGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aYG-1 Au/Ge(001)及び(111)表面の電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 30pRD-5 Au/Ge(001)表面の電子状態II(30pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aXA-2 Au/Ge(001)表面の電子状態(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pWS-2 傾斜SiC上グラフェンの角度分解光電子分光(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aWX-1 Ge(111)√×√-Au表面の電子状態II(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))