水野 清義 | 九大院総理工
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概要
関連著者
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水野 清義
九大院総理工
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栃原 浩
九州大学大学院総合理工学研究院
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栃原 浩
九大総理工
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栃原 浩
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水野 清義
九大総理工
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白澤 徹郎
東京大学物性研究所
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栃原 浩
北大触媒研
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栃原 浩
北大触媒セ
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栃原 浩
九州大学工学部
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田中 悟
九大院工
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田中 悟
九州大学大学院工学研究院
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白澤 徹郎
九大総理工
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栃原 浩
九大
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林 賢二郎
九大院総理工
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森田 康平
九大院工
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中辻 寛
東大物性研
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小森 文夫
東大物性研
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林 賢二郎
九大総理工
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白澤 徹郎
東大物性研
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東 相吾
九大総理工
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小森 文夫
東京大学物性研究所
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柴田 祐樹
東大物性研
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田中 悟
北大電子研
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吉田 学史
九大総理工
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新倉 涼太
東大物性研
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水野 清義
九州大学大学院総合理工学府 物質理工学専攻
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千葉大院融合
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九大工院
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東北大院理
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Rahman Faridur
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Ntt物性科学基礎研究所
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JASRI, SPring-8
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東大物性研
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財団法人高輝度光科学研究センター
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高橋 敏男
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室隆 桂之
JASRI
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森田 康平
九大総理工
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原田 慈久
RIKEN Spring-8
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高橋 敏男
東大物性研
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原田 慈久
東大院工:東大放射光機構:理研:spring-8
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HORIKAWA Yuka
RIKEN/SPring-8
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室隆 佳之
JASRI
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NIIKURA R.
東大物性研
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チェンダ スレイ
九大院工
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萩原 好人
九大院工
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日比野 浩樹
NTT基礎研
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田中 悟
九州大学大学院工学研究院 エネルギー量子工学部門
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今井 彩子
千葉大院自然
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角田 治哉
千葉大院自然
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馬渡 健児
東北大院理
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谷治 光一郎
東大物性研
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室 隆桂之
高輝度光科学研究センター
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水野 清義
九州大学総合理工学研究科
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Eriksson P.
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Uhrberg R.
IFM Linkoping Univ.
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上野 信雄
千葉大院融合
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坂本 一之
千葉大院自然
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水野 清義
千葉大院自然
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上野 信雄
九大総理工
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木下 豊彦
Jasri
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小野田 穣
九大総理工
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今泉 幸治
九大総理工
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Rahman F.H.M.
九大総理工
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岩崎 大悟
九州大学総理工
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栃原 浩
九州大学総理工
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池堂 祐一
九大総理工
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Kocan Pavel
九大総理工
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室 桂隆之
JASRI SPring-8
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Eriksson P.
Ifm Linkoping Univ.:nims
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岩崎 大悟
九大総理工
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岩永 巨之
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九大総理工
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九大総理工
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POSTEC
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POSTEC
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Chung J.
POSTEC
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福田 淳
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陳 明樹
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白澤 徹郎
九州大学大学院総合理工学府物質理工学専攻
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三好 永作
九大院総理工
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木下 哲博
九大総理工
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Mizokawa T
Univ. Tokyo Tokyo
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木下 豊彦
高輝度光科学研究センター
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東 相吾
九大院総理工
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白澤 徹郎
九大院総理工
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栃原 浩
九大院総理工
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大島 誠史
九大総理工
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白石 雄一郎
九大総理工
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日比野 浩樹
Ntt物性基礎研
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室 隆桂之
Jasri/spring-8
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中川 剛志
九大院総理工
-
佐々木 均
九大院総理工
著作論文
- 21pGP-4 SiC微斜面上エピタキシャル数層グラフェンの電子状態(21pGP グラフェン(成長と評価),領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pPSB-25 傾斜SiC上グラフェンの空間層厚制御と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pPSA-8 軟X線吸収・発光分光法によるSiON/SiC(0001)のバンドオフセット構造の研究(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29pPSB-54 光電子分光による微斜面SiC上の数層grapheneの電子状態測定(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aYH-8 数層グラフェン電子状態のSTMによる研究(28aYH 領域7,領域9合同 グラフェン構造・表面物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28aYH-2 傾斜SiC表面上のグラフェン形成機構(28aYH 領域7,領域9合同 グラフェン構造・表面物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 微傾斜SiC(0001)表面上の酸窒化シリコン薄膜の作製と低速電子回折による構造解析
- 22pPSB-18 周期的SiCナノ表面におけるグラフェン形成機構 : 基板表面構造依存性(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pPSA-101 微傾斜SiC(0001)表面上に形成する周期的ナノファセット構造(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pPSA-19 SiC(0001)上にエピタキシャル成長したSiON超薄膜の電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pTG-11 SiC(0001)上にエピタキシャル成長した秩序SiON超薄膜(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pPSB-25 SiC(0001)上の不活性超薄膜のLEED/STMによる構造解析(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pYE-10 6H-SiC(0001)面におけるカーボンナノチューブの核生成(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-141 6H-SiC(0001)微傾斜面の熱処理による構造変化のSTM観察(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 18pTG-3 光電子分光によるTl/Si(111)-(1×1)(√3×√3)転移の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24pPSA-18 タングステン針先構造の電界イオン顕微鏡と電流-電圧特性による評価(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24pPSA-19 電界放出電子を用いた低速電子回折装置の開発(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 新結晶・新物質 SiC上の結晶化SiON超薄膜
- 22pPSA-91 Cu(001)表面へのCa吸着により形成する(4×4)構造のLEEDによる決定(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pXJ-7 LEED,STM,ARPESによるSi(111)-√×√R30°-Mnの研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pPSB-6 酸素処理によるタングステン針からの低バイアス電子放出(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aYB-8 Si(001),Ge(001)表面におけるc(4×2)構造の解析とc(4×2)-p(2×1)相転移の臨界現象(27aYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pXF-8 Cu(001)表面上のMnとBi共吸着構造のLEEDによる解析(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-139 電界放出電子による表面への電子線照射と散乱パターンの検出(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 29aZF-3 Si(111)-(1×1)-T1 の構造と電子状態
- 28pPSB-30 走査トンネル顕微鏡探針を用いた低速電子回折装置の開発 II
- 走査トンネル顕微鏡による表面シリサイド形成初期過程の観察:Si(111)7×7上のBa吸着による(3×1)構造
- 19pPSB-36 走査トンネル顕微鏡探針を用いた低速電子回折装置の開発
- Cu(001)表面上のMgとLi共吸着よって協同的に形成する表面構造
- 21aPS-50 Si(001),Ge(001)表面における秩序無秩序相転移の臨界現象 : LEEDによる解析(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 低温での電子線照射によるSi(001)-c(4×2)構造の変化
- 26pXC-2 低温で起こる電子励起による構造変化とドーパント依存性 : Si(001)-c(4×2)(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 24aPS-60 Mo(112)表面上の酸化シリコン構造のLEEDによる解析(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-172 LEEDによるCu(100)上のSb単独吸着構造決定及びSbとMgの共吸着構造(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 15pXG-12 低速電子線励起による Si(001)-c(4×2) 構造の無秩序化(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 28pWP-12 低速電子線照射によるSi(001)-c(4×2)表面構造の変化(表面界面構造(半導体))(領域9)
- 27pPSA-18 Cu(001)-Bi系のLEEDによる構造解析(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 23aYE-2 Cu (001)-Bi, Li 共吸着構造の LEED 解析
- 22pYE-5 Si(001) 表面の低温 LEED による観察
- 28aWD-7 Cu(001) 表面上の Bi と Mg および Bi と Li の共吸着構造の LEED 解析
- 26pPSA-26 Ni及びCu上に形成したグラフェンのLEEDによる構造解析(26pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))