栃原 浩 | 九州大学工学部
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概要
関連著者
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栃原 浩
九州大学工学部
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栃原 浩
九大総理工
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栃原 浩
九州大学大学院総合理工学研究院
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栃原 浩
北大触媒研
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栃原 浩
北大触媒セ
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栃原 浩
物性研
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栃原 浩
九大
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水野 清義
九大院総理工
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白澤 徹郎
東京大学物性研究所
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水野 清義
九大総理工
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白澤 徹郎
東大物性研
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東 相吾
九大総理工
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田中 悟
九大院工
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白澤 徹郎
九大総理工
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田中 悟
九州大学大学院工学研究院
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林 賢二郎
九大院総理工
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林 賢二郎
九大総理工
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高橋 敏男
東京大学物性研究所
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高橋 敏男
東大物性研
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辛 埴
東大物性研
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木下 豊彦
JASRI, SPring-8
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安藤 康伸
東大院理
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常行 真司
東大院理
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赤木 和人
東北大WPI
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常行 真司
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
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藤原 弘康
東大院理
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吉田 学史
九大総理工
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原田 慈久
RIKEN Spring-8
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原田 慈久
東大院工:東大放射光機構:理研:spring-8
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HORIKAWA Yuka
RIKEN/SPring-8
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室隆 佳之
JASRI
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坂本 一之
千葉大院融合
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田中 悟
九大工院
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高輝度光科学研究センター
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坂木 一之
東北大院理
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木下 豊彦
Jasri
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Rahman Faridur
九大総理工
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室 桂隆之
JASRI SPring-8
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赤木 和人
東大院理
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赤木 和人
東北大
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Mizokawa T
Univ. Tokyo Tokyo
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木下 豊彦
高輝度光科学研究センター
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水野 清義
北海道大学触媒化学研究センター
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室 隆桂之
JASRI
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原田 慈久
東大院工
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為則 雄祐
JASRI, SPring-8
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原沢 あゆみ
東大物性研
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奥田 太一
東大物性研
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柿崎 明人
東大物性研
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中辻 寛
東大物性研
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小森 文夫
東大物性研
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室 隆桂之
財団法人高輝度光科学研究センター
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森田 康平
九大院工
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Mizutani Teruyoshi
Department Of Electrical Engineering School Of Engineering Nagoya University
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小林 英一
Saga-ls
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常行 真司
東大院理:物性研
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室隆 桂之
JASRI
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森田 康平
九大総理工
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TOKUSHIMA Takashi
RIKEN/SPring-8
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徳島 高
RIKEN SPring-8
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水野 清義
九州大学大学院総合理工学府 物質理工学専攻
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田中 悟
九州大学大学院工学研究院 エネルギー量子工学部門
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今井 彩子
千葉大院自然
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角田 治哉
千葉大院自然
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馬渡 健児
東北大院理
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谷治 光一郎
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田中 悟
北大電子研
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徳島 高
理研:spring8
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為則 雄祐
Jasri
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水野 清義
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為則 雄祐
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Eriksson P.
IFM Linkoping Univ.
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Uhrberg R.
IFM Linkoping Univ.
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千葉大院融合
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坂本 一之
千葉大院自然
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水野 清義
千葉大院自然
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上野 信雄
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九大総理工
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堀川 裕加
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東大物性研
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九州大学総理工
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栃原 浩
九州大学総理工
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九大総理工
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Eriksson P.
Ifm Linkoping Univ.:nims
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岩崎 大悟
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日本電子
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岩槻 正志
日本電子
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Kocan P.
九大総理工
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水野 精義
九大総理工
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佐藤 智重
日本電子(株)
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岩槻 正志
日本電子(株)
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木下 哲博
九大総理工
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Tamenori Y.
Tohoku Univ.
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天草 貴昭
日本電子(株)
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TAMENORI Y.
Japan Synchrotron Radiation Research Institute
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Miyahara Tsuneaki
Photon Factory National Laboratory For High Energy Physics (kek)
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Tamenori Y.
Jasri
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東 相吾
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大島 誠史
九大院総理工
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白澤 徹郎
九大院総理工
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栃原 浩
九大院総理工
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高橋 敏男
東大 物性研
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室 隆桂之
Jasri/spring-8
-
徳島 高
理化学研究所
著作論文
- 原子レベルで急峻な界面構造と電子状態 : SiC上の絶縁性SiON超薄膜(最近の研究から)
- 25pYF-8 表面、界面の元素選択電子状態 : SiON/SiC(0001)(X線発光分光の飛躍的発展〜強相関から溶液まで〜,領域5シンポジウム,領域5,光物性)
- 23aXA-9 SiON/SiC(0001)表面での電子状態の深さ依存性とその起源(23aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pPSA-8 軟X線吸収・発光分光法によるSiON/SiC(0001)のバンドオフセット構造の研究(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 微傾斜SiC(0001)表面上の酸窒化シリコン薄膜の作製と低速電子回折による構造解析
- 22pPSA-101 微傾斜SiC(0001)表面上に形成する周期的ナノファセット構造(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pPSA-19 SiC(0001)上にエピタキシャル成長したSiON超薄膜の電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pTG-11 SiC(0001)上にエピタキシャル成長した秩序SiON超薄膜(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pPSB-25 SiC(0001)上の不活性超薄膜のLEED/STMによる構造解析(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 18pTG-3 光電子分光によるTl/Si(111)-(1×1)(√3×√3)転移の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pTD-5 軟X線吸収及び発光分光法によるSiON/SiC(0001)超薄膜の元素選択的電子状態の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24pPSA-18 タングステン針先構造の電界イオン顕微鏡と電流-電圧特性による評価(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24pPSA-19 電界放出電子を用いた低速電子回折装置の開発(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 新結晶・新物質 SiC上の結晶化SiON超薄膜
- 22pPSA-91 Cu(001)表面へのCa吸着により形成する(4×4)構造のLEEDによる決定(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pXJ-7 LEED,STM,ARPESによるSi(111)-√×√R30°-Mnの研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pPSB-6 酸素処理によるタングステン針からの低バイアス電子放出(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aYB-8 Si(001),Ge(001)表面におけるc(4×2)構造の解析とc(4×2)-p(2×1)相転移の臨界現象(27aYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aYH-6 電子線照射によるSn/Ge(111)-3×3表面構造の変化(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27aTE-2 MnSiのSi(111)上でのエピタキシャル成長モードと表面形態(27aTE 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pXF-8 Cu(001)表面上のMnとBi共吸着構造のLEEDによる解析(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aTE-3 X線回折によるMnSi/Si(111)界面構造の研究(27aTE 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pTD-6 SiON/SiC(0001)表面系における電子状態の理論的解析(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20aPS-33 Ge(111)-Sn系における相転移のLEEDによる研究(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aPS-50 Si(001),Ge(001)表面における秩序無秩序相転移の臨界現象 : LEEDによる解析(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pXC-2 低温で起こる電子励起による構造変化とドーパント依存性 : Si(001)-c(4×2)(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 24aPS-60 Mo(112)表面上の酸化シリコン構造のLEEDによる解析(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 温度可変STMで観察したSi(001), Ge(001)表面の動的現象
- 24aPS-172 LEEDによるCu(100)上のSb単独吸着構造決定及びSbとMgの共吸着構造(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 金属表面上のアルカリ金属吸着構造
- 再構築化型吸着 -アルカリ吸着金属表面構造を中心にして-
- アルカリ吸着金属表面の構造