田中 悟 | 九大院工

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概要

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関連著者

• 田中 悟

  九大院工

• 田中 悟

  九州大学大学院工学研究院

• 小森 文夫

  東大物性研

• 中辻 寛

  東大物性研

• 森田 康平

  九大院工

• 水野 清義

  九大院総理工

• 梶原 隆司

  九大院工

• 小森 文夫

  東京大学物性研究所

• 吉村 継生

  東大物性研

• 栃原 浩

  九州大学大学院総合理工学研究院

• 栃原 浩

  九大総理工

• 林 賢二郎

  九大院総理工

• 栗栖 悠輔

  九大院工

• 白澤 徹郎

  東京大学物性研究所

• 水野 清義

  九大総理工

• 中辻 寛

  東工大院理工

• 林 賢二郎

  九大総理工

• 飯盛 拓嗣

  東大物性研

• 栃原 浩

  北大触媒セ

• 栃原 浩

  物性研

• 栃原 浩

  九州大学工学部

• 白澤 徹郎

  東大物性研

• 上原 直也

  九大院工

• 柴田 祐樹

  東大物性研

• 槙 優

  姫路工大

• 栃原 浩

  北大触媒研

• 栃原 浩

  九大

• 中辻 慎一

  兵庫県立大理

• Visikovsliy Anton

  九大院工

• 辛 埴

  東大物性研

• 松井 文彦

  奈良先端大物質創成

• 前島 尚行

  奈良先端大物質

• 松井 公佑

  奈良先端大物質

• 橋本 美絵

  奈良先端大物質

• 田中 悟

  九大工

• 大門 寛

  奈良先端科学技術大学院大学

• 宇治 進也

  金材研

• 前島 尚行

  奈良先端大物質創成:jasri Spring-8

• Brooks J.

  NHMFL

• 安西 弘行

  姫路工大理

• 松下 智裕

  Jasri

• 松下 智裕

  (財)高輝度光科学研究センター

• 大門 寛

  奈良先端大

• Brooks J.

  フロリダ州立大

• 後藤 謙太郎

  奈良先端大物質創成

• 萩原 好人

  九大院工

• 田中 悟

  北大電子研

• Brooks J.S.

  NHMFL

• 田中 悟

  姫路工大

• 山田 順一

  姫路工大

• 中辻 慎一

  姫路工大

• 橋本 美絵

  奈良先端大物質創成

• 松井 公佑

  奈良先端大物質創成

• Brooks J.s.

  フロリダ州立大

• J.S. Brooks

  フロリダ大

• 日比野 浩樹

  Ntt物性科学基礎研究所

• 安西 弘行

  姫路工大 理

• 金 聖憲

  東大物性研

• 後藤 謙太郎

  奈良先端大

• 前島 尚行

  奈良先端大

• 橋本 美絵

  奈良先端大

• 松井 公佑

  奈良先端大

• 後藤 健太郎

  奈良先端大物質

• 松下 智裕

  SPring-8/JASRI

• 松井 文彦

  奈良先端大

• 中辻 寛

  東工大総理工

• 加藤 有香子

  JASRI

• 加藤 有香子

  Jasri Spring-8

• 西嘉山 徳之

  奈良先端大物質

• 後藤 謙太郎

  奈良先端大物質

• 松下 智裕

  JASRI, SPring-8

• 大門 寛

  奈良先端大物質

• 石田 行章

  東大物性研

• 高橋 敏男

  東大物性研

• 新倉 涼太

  東大物性研

• 日比野 浩樹

  NTT基礎研

• 田中 悟

  九大工院

• 白澤 徹郎

  九大総理工

• 西嘉山 徳之

  奈良先端大物質創成

• 金井 輝人

  東大物性研

• 安西 弘之

  姫路工大

• 渡部 俊太郎

  東理大総合研

• 日比野 浩樹

  Ntt物性基礎研

• 山本 貴士

  東大物性研

• 松下 智裕

  財団法人高輝度光科学研究センター 制御・情報部門

• 松下 智裕

  財団法人高輝度光科学研究センター

• 松井 文彦

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 松下 智裕

  JASRI-SPring-8

• 中森 弓弦

  九大院工

• 日比野 浩樹

  NTT物性科学基礎研

• 宇治 進也

  物材機構

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  JASRI, SPring-8

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  金材研

• 安西 弘行

  姫工大理

• 室 隆桂之

  財団法人高輝度光科学研究センター

• 村田 惠三

  阪市大院理

• 渡部 俊太郎

  東大物性研

• 高橋 敏男

  東京大学物性研究所

• 小林 英一

  Saga-ls

• 室隆 桂之

  JASRI

• 吉田 学史

  九大総理工

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  九大総理工

• 原田 慈久

  RIKEN Spring-8

• 原田 慈久

  東大院工:東大放射光機構:理研:spring-8

• HORIKAWA Yuka

  RIKEN/SPring-8

• 室隆 佳之

  JASRI

• NIIKURA R.

  東大物性研

• チェンダ スレイ

  九大院工

• 水野 清義

  九州大学大学院総合理工学府 物質理工学専攻

• 田中 悟

  九州大学大学院工学研究院 エネルギー量子工学部門

• 藤井 政弘

  北大電子研

• 今井 彩子

  千葉大院自然

• 角田 治哉

  千葉大院自然

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  東北大院理

• 谷治 光一郎

  東大物性研

• 坂本 一之

  千葉大院融合

• 郭 方准

  阪市大理

• 村田 惠三

  阪市大理

• 吉野 治一

  阪市大理

• 槙 優

  姫工大理

• 田中 悟

  姫工大理

• 山田 順一

  姫工大理

• 中辻 慎一

  姫工大理

• 寺倉 千恵子

  産総研cerc

• 遠藤 彰

  東大物性研

• 橋本 明弘

  福井大学工学部

• 郭 方准

  Jasri

• 郭 方准

  高輝度光科学研究センター

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  高輝度光科学研究センター

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  金材研

• 木下 豊彦

  Jasri

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  金材研

• 室 桂隆之

  JASRI SPring-8

• 寺倉 千恵子

  金材研

• 高下 雅弘

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  東理大理:東大物性研

• 山田 正理

  東大物性研

• 高下 雅弘

  金材研

• 村田 惠三

  大阪市立大学 理学研究科 物質科学科

• Mizokawa T

  Univ. Tokyo Tokyo

• 橋本 明弘

  福井大工学部

• 木下 豊彦

  高輝度光科学研究センター

• 元村 勇也

  東大物性研

• 森田 康平

  九州大学大学院工学研究院

• 室 隆桂之

  Jasri/spring-8

• 大山 真実

  東大物性研

• 橋本 明弘

  福井大工

• 辛 埴

  東大物性研:jst-crest:理研

• 角田 潤一

  東大物性研

• Srey Chenda

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• 渡部 俊太郎

  東理大総研機構

• 高木 勝也

  九大院工

• 山本 貴士

  東大物性研:東理大理

• 橋本 明弘

  福井大院工

• 梶原 隆次

  九大院工

• Visikovskiy Anton

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  東大物性研

• 林 真吾

  九大院工

• ピシコフスキー アントン

  九大院工

• 間瀬 一彦

  高エネ研物構研

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著作論文

• 21pPSA-21 二次元光電子分光法による6H-SiC(0001)表面上酸窒化膜の原子構造解析(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pGV-3 SiCナノ表面上のエピタキシャルグラフェンの形成と評価(22pGV 領域7,領域4,領域6,領域9合同シンポジウム:グラフェンの生成・評価と物性-最前線と展望-,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pGP-4 SiC微斜面上エピタキシャル数層グラフェンの電子状態(21pGP グラフェン(成長と評価),領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pPSB-25 傾斜SiC上グラフェンの空間層厚制御と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pPSA-8 軟X線吸収・発光分光法によるSiON/SiC(0001)のバンドオフセット構造の研究(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pPSB-54 光電子分光による微斜面SiC上の数層grapheneの電子状態測定(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28aYH-8 数層グラフェン電子状態のSTMによる研究(28aYH 領域7,領域9合同 グラフェン構造・表面物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28aYH-2 傾斜SiC表面上のグラフェン形成機構(28aYH 領域7,領域9合同 グラフェン構造・表面物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 微傾斜SiC(0001)表面上の酸窒化シリコン薄膜の作製と低速電子回折による構造解析
• 22pPSB-18 周期的SiCナノ表面におけるグラフェン形成機構 : 基板表面構造依存性(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pPSA-101 微傾斜SiC(0001)表面上に形成する周期的ナノファセット構造(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21pXJ-11 自己形成SiC表面ナノファセットの規則化距離(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pPSA-19 SiC(0001)上にエピタキシャル成長したSiON超薄膜の電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21pTG-11 SiC(0001)上にエピタキシャル成長した秩序SiON超薄膜(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pPSB-25 SiC(0001)上の不活性超薄膜のLEED/STMによる構造解析(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20pYE-10 6H-SiC(0001)面におけるカーボンナノチューブの核生成(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-141 6H-SiC(0001)微傾斜面の熱処理による構造変化のSTM観察(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 5p-C-4 (TMTSF)_2ClO_4の24K転移の圧力依存性
• 5a-C-14 (TMTSF)_2ClO_4の強磁場ホール抵抗と短周期振動
• 5a-C-13 (TMTSF)_2PF_6のSDW状態と短周期振動
• 5a-C-12 (TMTSF)_2X(X=AsF_6, PF_6)のSDW状態でのc軸抵抗とカイラル状態
• 25pWS-2 傾斜SiC上グラフェンの角度分解光電子分光(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pWS-1 傾斜Sic上埋め込まれたグラフェンナノリボンの構造とラマン分光特性(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-69 Ols光電子およびO KLL Auger電子回折とO K-edge XANESによるSiON/SiC(0001)原子構造解析(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• SiC表面上のエピタキシャルグラフェンの成長
• 26aTA-7 微傾斜SiC上グラフェンの電子状態(26aTA 領域7,領域9合同 グラフェン(ラマン分光/端状態),領域7(分子性固体・有機導体))
• 26aTA-6 傾斜SiC上の埋め込まれたグラフェンナノリボンのラマン分光特性(26aTA 領域7,領域9合同 グラフェン(ラマン分光/端状態),領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pTH-3 SiC上酸窒化膜のO-K edgeサイト別XANESによる電子状態の研究(26pTH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aTE-3 SiC上グラフェンπ電子状態の時間分解光電子分光(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aTE-2 微傾斜SiC上グラフェンπ電子状態の異方性(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aTE-1 グラフェンナノ構造の偏光ラマン分光特性(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pPSB-15 グラフェンナノ構造の顕微ラマン分光(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pSB-13 微傾斜SiC上グラフェンπ電子状態の時間分解光電子分光II(26pSB 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pSB-12 微傾斜SiC上水素化グラフェンのπ電子状態(26pSB 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pPSB-34 表面X線回折法によるSiC(000-1)上のエピタキシャルグラフェンの界面構造の研究(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20pPSA-38 エピタキシャルグラフェンにおけるDバンド,Gバンドラマン分光特性(20pPSA 領域9 ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長)
• 18pFB-2 微傾斜SiC上グラフェンの低温磁気輸送(18pFB 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19aEC-1 微傾斜SiC上のMBEグラフェンのπ電子状態(19aEC 領域7,領域9合同 グラフェン(分光・構造),領域7(分子性固体・有機導体))
• 27aXK-1 微傾斜SiC上に形成したグラフェンナノリボンのπ電子状態(27aXK グラフェン・半導体,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aJA-11 MBE成長したナノリボン・グラフェンのπ電子状態(表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pPSA-26 SiC(0001)上のグラフェン成長過程におけるC-rich(√3x√3)R30°の構造解析(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28pPSA-76 微傾斜SiC(0001)表面上のMBEグラフェン.ナノリボンの電子状態(28pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面・結晶成長))

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