梶原 隆司 | 九大院工
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概要
関連著者
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田中 悟
九大院工
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梶原 隆司
九大院工
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小森 文夫
東大物性研
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飯盛 拓嗣
東大物性研
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中辻 寛
東工大院理工
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吉村 継生
東大物性研
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Visikovsliy Anton
九大院工
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中辻 寛
東大物性研
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金 聖憲
東大物性研
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栗栖 悠輔
九大院工
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中辻 寛
東工大総理工
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辛 埴
東大物性研
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石田 行章
東大物性研
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森田 康平
九大院工
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遠藤 彰
東大物性研
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橋本 明弘
福井大学工学部
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金井 輝人
東大物性研
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山田 正理
東大物性研
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渡部 俊太郎
東理大総合研
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橋本 明弘
福井大工学部
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元村 勇也
東大物性研
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田中 悟
九州大学大学院工学研究院
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山本 貴士
東大物性研
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橋本 明弘
福井大工
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高木 勝也
九大院工
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山本 貴士
東大物性研:東理大理
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中森 弓弦
九大院工
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Visikovskiy Anton
九大院工
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宮町 俊生
東大物性研
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林 真吾
九大院工
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ピシコフスキー アントン
九大院工
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間瀬 一彦
高エネ研物構研
著作論文
- 22aTE-1 グラフェンナノ構造の偏光ラマン分光特性(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pSB-13 微傾斜SiC上グラフェンπ電子状態の時間分解光電子分光II(26pSB 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pSB-12 微傾斜SiC上水素化グラフェンのπ電子状態(26pSB 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
- 20pPSA-38 エピタキシャルグラフェンにおけるDバンド,Gバンドラマン分光特性(20pPSA 領域9 ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長)
- 18pFB-2 微傾斜SiC上グラフェンの低温磁気輸送(18pFB 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19aEC-1 微傾斜SiC上のMBEグラフェンのπ電子状態(19aEC 領域7,領域9合同 グラフェン(分光・構造),領域7(分子性固体・有機導体))
- 27aXK-1 微傾斜SiC上に形成したグラフェンナノリボンのπ電子状態(27aXK グラフェン・半導体,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aJA-11 MBE成長したナノリボン・グラフェンのπ電子状態(表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pPSA-26 SiC(0001)上のグラフェン成長過程におけるC-rich(√3x√3)R30°の構造解析(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pPSA-76 微傾斜SiC(0001)表面上のMBEグラフェン.ナノリボンの電子状態(28pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面・結晶成長))