中辻 寛 | 東工大院理工
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概要
関連著者
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中辻 寛
東工大院理工
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小森 文夫
東大物性研
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中辻 寛
東大物性研
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飯盛 拓嗣
東大物性研
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田中 悟
九大院工
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吉村 継生
東大物性研
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小森 文夫
東京大学物性研究所
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山田 正理
東大物性研
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梶原 隆司
九大院工
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河村 紀一
NHK放送技研
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元村 勇也
東大物性研
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河村 紀一
東大物性研:NHK技研
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辛 埴
東大物性研
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石田 行章
東大物性研
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田中 悟
九州大学大学院工学研究院
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栗栖 悠輔
九大院工
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森田 康平
九大院工
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新倉 涼太
東大物性研
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金井 輝人
東大物性研
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渡部 俊太郎
東理大総合研
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山本 貴士
東大物性研
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Krukowski Pawel
東大物性研
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中森 弓弦
九大院工
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Visikovsliy Anton
九大院工
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中辻 寛
東工大総理工
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Taskin Alexey
阪大産研
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安藤 陽一
阪大産研
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松田 巌
東大物性研
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中嶋 誠
東大物性研
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末元 徹
東大物性研
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渡部 俊太郎
東大物性研
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萩原 好人
九大院工
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松田 巌
東大理
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山本 貴士
東理大理:東大物性研
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岩崎 悠真
東大物性研
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日比野 浩樹
Ntt物性基礎研
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森田 康平
九州大学大学院工学研究院
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金 聖憲
東大物性研
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吉澤 俊介
東大物性研
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辛 埴
東大物性研:jst-crest:理研
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中嶋 誠
東京大学 物性研究所
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榊 茂之
東大物性研
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栗栖 悠輔
九州大
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田中 悟
九州大
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森田 康平
九州大
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渡部 俊太郎
東理大総研機構
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高木 勝也
九大院工
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中村 史一
東大物性研
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中辻 寛
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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山本 貴士
東大物性研:東理大理
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橋本 明弘
福井大院工
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梶原 隆次
九大院工
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Visikovskiy Anton
九大院工
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中嶋 誠
千葉大理
著作論文
- 22aTE-3 SiC上グラフェンπ電子状態の時間分解光電子分光(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pHA-5 Au/Ge(111)表面のSTMによる原子構造研究(21pHA 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pRC-6 Ge(001)-Au表面における1次元鎖構造の電子バンド形状(22pRC 表面界面電子物性(表面伝導・光電子分光),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aJB-1 窒素飽和吸着Cu(001)面における圧縮応力の緩和機構(23aJB 表面界面構造(金属・無機化合物),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pPSB-15 グラフェンナノ構造の顕微ラマン分光(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pSB-13 微傾斜SiC上グラフェンπ電子状態の時間分解光電子分光II(26pSB 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pSB-4 グラファイト及び2層グラフェンの赤外超高速発光の観察(26pSB 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
- 25pCK-5 Co吸着Bi_Sb_x (111)表面の走査トンネル分光(25pCK トポロジカル絶縁体,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pSB-12 微傾斜SiC上水素化グラフェンのπ電子状態(26pSB 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pPSB-25 銅(001)表面上の窒化クロム超薄膜の形成(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pPSB-46 窒素吸着銅表面上におけるナノ構造形成過程の観測(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pPSB-24 穏和な表面窒化のための低速イオン源の製作(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pCC-1 Ge(111)微傾斜面のAu蒸着量に依る1次元原子構造の変化(24pCC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- エピタキシャルグラフェンの成長と電子物性
- 20pPSA-38 エピタキシャルグラフェンにおけるDバンド,Gバンドラマン分光特性(20pPSA 領域9 ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長)
- 19aEC-1 微傾斜SiC上のMBEグラフェンのπ電子状態(19aEC 領域7,領域9合同 グラフェン(分光・構造),領域7(分子性固体・有機導体))
- 19aFE-6 N/Cu(001)微傾斜領域に形成されるストライプ状配列構造(19aFE 表面界面構造・水素ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長)
- 19aFE-8 窒素吸着Cu(001)表面における超構造形成のその場観察(19aFE 表面界面構造・水素ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長)
- 27aXK-1 微傾斜SiC上に形成したグラフェンナノリボンのπ電子状態(27aXK グラフェン・半導体,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aXZA-8 銅(001)表面上の窒化クロム超薄膜の形成II(26aXZA 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))