中辻 寛 | 東工大総理工
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概要
関連著者
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中辻 寛
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青木 悠樹
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平山 博之
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間瀬 一彦
高エネ研物構研
著作論文
- 19aFE-9 Pd(111)/Ag(111)/Si(111)における水素昇温脱離(II)(19aFE 表面界面構造・水素ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長)
- 19aFE-10 Pd-Ag超格子構造ナノ薄膜における水素昇温脱離(19aFE 表面界面構造・水素ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長)
- 28pXZA-9 格子拡張されたPd(111)薄膜における水素吸蔵のスピノーダル転移(28pXZA 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aXK-4 エピタキシャルシリセンの電子状態(27aXK グラフェン・半導体,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aXK-1 微傾斜SiC上に形成したグラフェンナノリボンのπ電子状態(27aXK グラフェン・半導体,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aXZA-8 銅(001)表面上の窒化クロム超薄膜の形成II(26aXZA 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aJA-11 MBE成長したナノリボン・グラフェンのπ電子状態(表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pPSA-27 Ag/Si(111)上におけるPd成長と水素吸着・吸蔵(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pPSA-15 Ag超薄膜とSi(111)基板との界面における水素吸着(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pPSA-76 微傾斜SiC(0001)表面上のMBEグラフェン.ナノリボンの電子状態(28pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面・結晶成長))