Visikovsliy Anton | 九大院工

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概要

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• 田中 悟

  九大院工

• 小森 文夫

  東大物性研

• 飯盛 拓嗣

  東大物性研

• 梶原 隆司

  九大院工

• Visikovsliy Anton

  九大院工

• 金 聖憲

  東大物性研

• 中辻 寛

  東工大総理工

• 吉村 継生

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  東工大院理工

• 中辻 寛

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• 山田 正理

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• 元村 勇也

  東大物性研

• 宮町 俊生

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• 間瀬 一彦

  高エネ研物構研

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著作論文

• 19aEC-1 微傾斜SiC上のMBEグラフェンのπ電子状態(19aEC 領域7,領域9合同 グラフェン(分光・構造),領域7(分子性固体・有機導体))
• 27aXK-1 微傾斜SiC上に形成したグラフェンナノリボンのπ電子状態(27aXK グラフェン・半導体,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aJA-11 MBE成長したナノリボン・グラフェンのπ電子状態(表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28pPSA-76 微傾斜SiC(0001)表面上のMBEグラフェン.ナノリボンの電子状態(28pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面・結晶成長))

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