吉村 継生 | 東大物性研
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
小森 文夫
東大物性研
-
吉村 継生
東大物性研
-
中辻 寛
東大物性研
-
田中 悟
九大院工
-
小森 文夫
東京大学物性研究所
-
飯盛 拓嗣
東大物性研
-
中辻 寛
東工大院理工
-
森田 康平
九大院工
-
田中 悟
九州大学大学院工学研究院
-
上原 直也
九大院工
著作論文
- 25pWS-2 傾斜SiC上グラフェンの角度分解光電子分光(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pWS-1 傾斜Sic上埋め込まれたグラフェンナノリボンの構造とラマン分光特性(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aTA-7 微傾斜SiC上グラフェンの電子状態(26aTA 領域7,領域9合同 グラフェン(ラマン分光/端状態),領域7(分子性固体・有機導体))
- 25aTH-3 微傾斜Ge(001)-Au表面における1次元鎖構造と電子状態(25aTH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aTE-3 SiC上グラフェンπ電子状態の時間分解光電子分光(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aTE-2 微傾斜SiC上グラフェンπ電子状態の異方性(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pRC-6 Ge(001)-Au表面における1次元鎖構造の電子バンド形状(22pRC 表面界面電子物性(表面伝導・光電子分光),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pSB-13 微傾斜SiC上グラフェンπ電子状態の時間分解光電子分光II(26pSB 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pSB-12 微傾斜SiC上水素化グラフェンのπ電子状態(26pSB 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
- 19aEC-1 微傾斜SiC上のMBEグラフェンのπ電子状態(19aEC 領域7,領域9合同 グラフェン(分光・構造),領域7(分子性固体・有機導体))