吉村 継生 | 東大物性研
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概要
関連著者
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小森 文夫
東大物性研
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吉村 継生
東大物性研
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中辻 寛
東大物性研
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田中 悟
九大院工
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小森 文夫
東京大学物性研究所
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飯盛 拓嗣
東大物性研
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中辻 寛
東工大院理工
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森田 康平
九大院工
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田中 悟
九州大学大学院工学研究院
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上原 直也
九大院工
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栗栖 悠輔
九大院工
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梶原 隆司
九大院工
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元村 勇也
東大物性研
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辛 埴
東大物性研
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石田 行章
東大物性研
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新倉 涼太
東大物性研
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金井 輝人
東大物性研
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岩崎 悠真
東大物性研
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渡部 俊太郎
東理大総合研
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山本 貴士
東大物性研
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Visikovsliy Anton
九大院工
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渡部 俊太郎
東大物性研
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柴田 祐樹
東大物性研
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山本 貴士
東理大理:東大物性研
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山田 正理
東大物性研
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金 聖憲
東大物性研
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飯森 拓嗣
東大物性研
-
辛 埴
東大物性研:jst-crest:理研
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渡部 俊太郎
東理大総研機構
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高木 勝也
九大院工
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山本 貴士
東大物性研:東理大理
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中辻 寛
東工大総理工
著作論文
- 25pWS-2 傾斜SiC上グラフェンの角度分解光電子分光(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pWS-1 傾斜Sic上埋め込まれたグラフェンナノリボンの構造とラマン分光特性(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aTA-7 微傾斜SiC上グラフェンの電子状態(26aTA 領域7,領域9合同 グラフェン(ラマン分光/端状態),領域7(分子性固体・有機導体))
- 25aTH-3 微傾斜Ge(001)-Au表面における1次元鎖構造と電子状態(25aTH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aTE-3 SiC上グラフェンπ電子状態の時間分解光電子分光(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aTE-2 微傾斜SiC上グラフェンπ電子状態の異方性(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pRC-6 Ge(001)-Au表面における1次元鎖構造の電子バンド形状(22pRC 表面界面電子物性(表面伝導・光電子分光),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pSB-13 微傾斜SiC上グラフェンπ電子状態の時間分解光電子分光II(26pSB 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pSB-12 微傾斜SiC上水素化グラフェンのπ電子状態(26pSB 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
- 19aEC-1 微傾斜SiC上のMBEグラフェンのπ電子状態(19aEC 領域7,領域9合同 グラフェン(分光・構造),領域7(分子性固体・有機導体))
- 27aXK-1 微傾斜SiC上に形成したグラフェンナノリボンのπ電子状態(27aXK グラフェン・半導体,領域9(表面・界面,結晶成長))