5a-C-14 (TMTSF)_2ClO_4の強磁場ホール抵抗と短周期振動

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1997-09-16

著者

• 田中 悟

  九大院工

• 宇治 進也

  金材研

• Brooks J.

  NHMFL

• 安西 弘行

  姫路工大理

• Brooks J.

  フロリダ州立大

• Brooks J.S.

  NHMFL

• 田中 悟

  姫路工大

• 槙 優

  姫路工大

• 山田 順一

  姫路工大

• 中辻 慎一

  姫路工大

• Brooks J.s.

  フロリダ州立大

• J.S. Brooks

  フロリダ大

• 安西 弘行

  姫路工大 理

• 田中 悟

  九州大学大学院工学研究院

• 中辻 慎一

  兵庫県立大理

関連論文

• 21pPSA-21 二次元光電子分光法による6H-SiC(0001)表面上酸窒化膜の原子構造解析(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pGV-3 SiCナノ表面上のエピタキシャルグラフェンの形成と評価(22pGV 領域7,領域4,領域6,領域9合同シンポジウム:グラフェンの生成・評価と物性-最前線と展望-,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pGP-4 SiC微斜面上エピタキシャル数層グラフェンの電子状態(21pGP グラフェン(成長と評価),領域7(分子性固体・有機導体))
• 29a-YQ-3 Co/Cu, Fe/Cr人工格子膜の巨大磁気抵抗効果の温度依存性
• 26pPSB-25 傾斜SiC上グラフェンの空間層厚制御と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pPSA-8 軟X線吸収・発光分光法によるSiON/SiC(0001)のバンドオフセット構造の研究(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pPSB-54 光電子分光による微斜面SiC上の数層grapheneの電子状態測定(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28aYH-8 数層グラフェン電子状態のSTMによる研究(28aYH 領域7,領域9合同 グラフェン構造・表面物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28aYH-2 傾斜SiC表面上のグラフェン形成機構(28aYH 領域7,領域9合同 グラフェン構造・表面物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 微傾斜SiC(0001)表面上の酸窒化シリコン薄膜の作製と低速電子回折による構造解析
• 22pPSB-18 周期的SiCナノ表面におけるグラフェン形成機構 : 基板表面構造依存性(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pPSA-101 微傾斜SiC(0001)表面上に形成する周期的ナノファセット構造(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21pXJ-11 自己形成SiC表面ナノファセットの規則化距離(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pPSA-19 SiC(0001)上にエピタキシャル成長したSiON超薄膜の電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21pTG-11 SiC(0001)上にエピタキシャル成長した秩序SiON超薄膜(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pPSB-25 SiC(0001)上の不活性超薄膜のLEED/STMによる構造解析(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20pYE-10 6H-SiC(0001)面におけるカーボンナノチューブの核生成(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-141 6H-SiC(0001)微傾斜面の熱処理による構造変化のSTM観察(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 5p-C-4 (TMTSF)_2ClO_4の24K転移の圧力依存性
• 5a-C-14 (TMTSF)_2ClO_4の強磁場ホール抵抗と短周期振動
• 5a-C-13 (TMTSF)_2PF_6のSDW状態と短周期振動
• 1a-S-8 Co/Cu,Co-Fe/Cu人工格子膜の巨大磁気抵抗効果の温度依存性
• 26p-PSB-63 YBC系QMG試料の低温フラックス緩和
• 28p-K-11 (BEDT-TTF)_2RbHg(SCN)_4のdHvA及びSdH効果
• 28p-K-10 (BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4のdHvA及びSdH信号の波形解析
• 27p-K-8 β"(BEDT-TTF)_2AuBr_2のdHvA及びSdH効果
• 28a-ZJ-6 LaRu_2Si_2とCeRu_2Si_2のドハース・ファンアルフェン効果
• 29p-APS-26 重い電子系UGe_2のドハース・ファンアルフェン効果
• 27p-PS-103 YBCO系絶縁体相のNMR
• 25pPSA-33 単結晶CeRhSi_3の磁性と伝導
• 30aYK-10 CeNiSnのシュブニコフ・ドハース効果
• ロングパルスマグネットを用いたドハース・ファンアルフェン効果測定系の開発
• 25aH-7 Upt_3のドハース・ファンアルフェン効果によるメタ磁性の研究
• 27a-A-10 Bi_2Sr_2CaCu_2O_8単結晶の磁化の長時間緩和 III
• 28a-YJ-3 UPt_3のドハース・ファンアルフェン効果と主要フェルミ面
• 30aYX-13 (TMTSF)_2PF_6の一軸性圧力下, 低温, 強磁場下での電子物性
• 25p-N-6 (DMET)_2I_3の強磁場電子状態
• 27pYX-7 磁場誘起超伝導
• 28aYS-10 超伝導Al量子細線における磁気抵抗の線幅依存性
• 24pYG-9 λ-(BETS)_2FeCl_4の強磁場電子状態
• 23aSB-1微小超伝導リングにおけるLittle-Parks振動の試料形状依存性
• 1p-PSB-44 U_2Rh_3Si_5 のメタ磁性転移と dHvA 効果 II
• 8a-YF-18 U_2Rh_3Si_5のメタ磁性転移とdHvA効果
• 24aH-2 CePの磁場中輸送物性 II強磁場 : Γ_8の磁気異方性およびホール効果
• 24aH-1 CePの磁場中輸送物性 I低磁場 : CePは零磁場で本当に単純な反強磁性体か?
• 28p-K-7 V_3Siの超伝導状態と常伝導状態におけるドハース・ファンアルフェン効果
• 5a-C-12 (TMTSF)_2X(X=AsF_6, PF_6)のSDW状態でのc軸抵抗とカイラル状態
• 30a-K-7 TMTSF系の短周期振動現象と磁気抵抗
• 29a-X-17 低次元導体η-Mo_4O_のフェルミ面と磁気相転移
• 30p-YS-7 (TMTSF)_2ClO_4のRapid Oscillation
• 3a-S-10 (BEDT-TTF)_2MHg(SCN)_4系のフェルミ面の再構成
• 30p-S-5 (BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4の強磁場電子相 (II)
• 2p-YP-4 (BEDT-TTF)_2Br(DIA)のフェルミ面
• 5a-YF-10 CePのメタ磁性転移と磁気抵抗
• 8p-C-1 (TMET-STF)_2BF_4の超伝導と角度依存磁気抵抗
• 25pWS-2 傾斜SiC上グラフェンの角度分解光電子分光(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 13p-C-13 β''-(BEDT-TTF)_2AuBr_2のフェルミ面と磁気抵抗
• 5p-PS-39 高温超伝導体に関連したCu酸化物のCe添加効果
• 25pWS-1 傾斜Sic上埋め込まれたグラフェンナノリボンの構造とラマン分光特性(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
• news 磁場誘起超伝導
• 3a-F-5 Cu_3VO_4の相転移II
• 28p-J-9 Tlバナジウムブロンズの磁気共鳴
• 27a-QA-4 擬一次元導体Pb, TlバナジウムブロンズのEPR
• 一次元電子系の物理 : 超伝導と強い電子・格子相互作用を中心として(講義,講義の報告,1985年度物性若手夏の学校報告)
• 4p-KD-5 Pb_xV_2O_5のEPR
• 13a-Q-3 PbxV_2O_5の磁気共鳴
• 13a-Q-1 α-LixV_2O_5及びH_xV_2O_5の磁気共鳴
• 2次元有機伝導体λ-(BETS)2FeCl4の磁場誘起超伝導
• 3p-S-11 θ-(BEDT-TTF)_2I_3の角度依存磁気抵抗振動とマグネティック・ブレークダウン
• 31a-YJ-1 θ-(BEDT-TTF)_2I_3における3次元的フェルミ面
• 28p-YJ-1 (DMe-DCNQI)_2Cu系のフェルミ面
• 13p-C-11 (BEDT-TTF)_2TlHg(SCN)_4の低磁場SdH
• 24aPS-69 Ols光電子およびO KLL Auger電子回折とO K-edge XANESによるSiON/SiC(0001)原子構造解析(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 3a-Z-1 CepのdHvA効果 I
• 有機伝導体における磁場誘起超伝導
• 27p-PS-82 Nd_2CuO_4系の^Feメスバウワー効果
• 3p-N-10 超伝導アモルファスCr-BN膜の磁性と電気伝導II
• 22pPSA-57 CeRu_2Si_2のメタ磁性転移の圧力効果 : 量子相転移点との関連性について
• YNi_2B_2CのdHvA効果III
• ホウ素炭化物超伝導体YNi_2B_2Cのド・ハース=ファン・アルフェン効果
• 2次元有機伝導体における磁場誘起超伝導
• 23pPSB-12 DyB_2C_2の四重極秩序状態におけるフェルミ面
• SiC表面上のエピタキシャルグラフェンの成長
• 26aTA-7 微傾斜SiC上グラフェンの電子状態(26aTA 領域7,領域9合同 グラフェン(ラマン分光/端状態),領域7(分子性固体・有機導体))
• 26aTA-6 傾斜SiC上の埋め込まれたグラフェンナノリボンのラマン分光特性(26aTA 領域7,領域9合同 グラフェン(ラマン分光/端状態),領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pTH-3 SiC上酸窒化膜のO-K edgeサイト別XANESによる電子状態の研究(26pTH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aTE-3 SiC上グラフェンπ電子状態の時間分解光電子分光(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aTE-2 微傾斜SiC上グラフェンπ電子状態の異方性(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aTE-1 グラフェンナノ構造の偏光ラマン分光特性(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pPSB-15 グラフェンナノ構造の顕微ラマン分光(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pSB-13 微傾斜SiC上グラフェンπ電子状態の時間分解光電子分光II(26pSB 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pSB-12 微傾斜SiC上水素化グラフェンのπ電子状態(26pSB 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pPSB-34 表面X線回折法によるSiC(000-1)上のエピタキシャルグラフェンの界面構造の研究(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20pPSA-38 エピタキシャルグラフェンにおけるDバンド,Gバンドラマン分光特性(20pPSA 領域9 ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長)
• 18pFB-2 微傾斜SiC上グラフェンの低温磁気輸送(18pFB 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19aEC-1 微傾斜SiC上のMBEグラフェンのπ電子状態(19aEC 領域7,領域9合同 グラフェン(分光・構造),領域7(分子性固体・有機導体))
• 27aXK-1 微傾斜SiC上に形成したグラフェンナノリボンのπ電子状態(27aXK グラフェン・半導体,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aJA-11 MBE成長したナノリボン・グラフェンのπ電子状態(表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pPSA-26 SiC(0001)上のグラフェン成長過程におけるC-rich(√3x√3)R30°の構造解析(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28pPSA-76 微傾斜SiC(0001)表面上のMBEグラフェン.ナノリボンの電子状態(28pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面・結晶成長))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク