21pGP-4 SiC微斜面上エピタキシャル数層グラフェンの電子状態(21pGP グラフェン(成長と評価),領域7(分子性固体・有機導体))
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概要
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- 2010-03-01
著者
-
田中 悟
九大院工
-
中辻 寛
東大物性研
-
小森 文夫
東大物性研
-
森田 康平
九大院工
-
水野 清義
九大院総理工
-
小森 文夫
東京大学物性研究所
-
柴田 祐樹
東大物性研
-
NIIKURA R.
東大物性研
-
新倉 涼太
東大物性研
-
田中 悟
九州大学大学院工学研究院
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