26pPSB-25 傾斜SiC上グラフェンの空間層厚制御と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)

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概要

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• 2009-08-18

著者

• 日比野 浩樹

  NTT物性科学基礎研

• 田中 悟

  九大院工

• 中辻 寛

  東大物性研

• 小森 文夫

  東大物性研

• 森田 康平

  九大院工

• 水野 清義

  九大院総理工

• 小森 文夫

  東京大学物性研究所

• 日比野 浩樹

  Ntt物性科学基礎研究所

• 日比野 浩樹

  Ntt物性基礎研

• 田中 悟

  九州大学大学院工学研究院

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