23aWS-7 Si(111)面(1×1)-(7×7)構造変化に関する微斜面効果V : 低温でのステップ・バンチング消失とmRSOS-I模型の相図(23aWS 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))

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概要

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• 2010-08-18

著者

• 阿久津 典子

  大阪電通大工

• 山本 隆夫

  群馬大工

• 日比野 浩樹

  NTT物性科学基礎研

• 山本 隆夫

  群馬大学工学部共通講座

• 日比野 浩樹

  NTT基礎研

• 日比野 浩樹

  Ntt物性科学基礎研究所

• 岡村 典子

  お茶の水大・理

• 日比野 浩樹

  Ntt物性基礎研

• 阿久津 典子

  大阪電通大大学院総合電子工学専攻

• 山本 隆夫

  群馬大院・工

• 阿久津 典子

  学習院大学理学部

• 阿久 津典子

  大阪電気通信大学工学部

• 阿久津 典子

  大阪電通大

• 山本 隆夫

  群馬大

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