白澤 徹郎 | 東京大学物性研究所

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概要

• 同名の論文著者
• 東京大学物性研究所の論文著者

関連著者

• 白澤 徹郎

  東京大学物性研究所

• 白澤 徹郎

  東大物性研

• 栃原 浩

  九州大学大学院総合理工学研究院

• 高橋 敏男

  東京大学物性研究所

• 栃原 浩

  九大総理工

• 高橋 敏男

  東大物性研

• 水野 清義

  九大院総理工

• 栃原 浩

  九州大学工学部

• 栃原 浩

  物性研

• 高橋 敏男

  東大 物性研

• Voegeli W.

  東大物性研

• 水野 清義

  九大総理工

• VOEGELI Wolfgang

  東大物性研

• Voegelin Wolfgang

  KEK-PF

• 白澤 徹郎

  九大総理工

• Vobegeli Wolfgang

  東大物性研

• 栃原 浩

  北大触媒研

• 栃原 浩

  九大

• Wolfgang Voegeli

  東大物性研

• 栃原 浩

  北大触媒セ

• 田中 悟

  九大院工

• 田中 悟

  九州大学大学院工学研究院

• 杉山 弘

  高エネルギー加速器研究機構物質構造科学研究所

• 杉山 弘

  Kek Pf

• 松下 正

  高エネルギー加速器研究機構物質構造科学研究所

• 秋本 晃一

  名大院工

• 荒川 悦雄

  東京学芸大

• 阿部 誠

  東大物性研

• 秋本 晃一

  名工大

• 荒川 悦雄

  東京学芸大学

• 林 賢二郎

  九大院総理工

• 林 賢二郎

  九大総理工

• 松下 正

  高エ研

• 松下 正

  Kek-pf

• 久保 公孝

  東大物性研

• 廣江 拓

  東大物性研

• 高山 透

  東大物性研

• 荒川 悦雄

  東京学芸大学教育学部自然科学系基礎自然科学講座物理科学分野

• 関口 浩司

  東大物性研

• 東 相吾

  九大総理工

• 秋本 晃一

  名大工

• 大山 真実

  東大物性研

• 辛 埴

  東大物性研

• 木下 豊彦

  JASRI, SPring-8

• 安藤 康伸

  東大院理

• 常行 真司

  東大院理

• 中辻 寛

  東大物性研

• 小森 文夫

  東大物性研

• 森田 康平

  九大院工

• 赤木 和人

  東北大WPI

• 常行 真司

  東京大学大学院理学系研究科物理学専攻

• 藤原 弘康

  東大院理

• 原田 慈久

  RIKEN Spring-8

• 原田 慈久

  東大院工:東大放射光機構:理研:spring-8

• HORIKAWA Yuka

  RIKEN/SPring-8

• 室隆 佳之

  JASRI

• 水野 清義

  九州大学大学院総合理工学府 物質理工学専攻

• 田中 悟

  九大工院

• 平野 馨一

  KEK-PF

• 岩沢 勇作

  東大物性研

• 室 隆桂之

  高輝度光科学研究センター

• 田尻 寛男

  JASRI

• 木下 豊彦

  Jasri

• 室 桂隆之

  JASRI SPring-8

• 田尻 寛男

  高輝度光科学研究センター

• 赤木 和人

  東大院理

• 赤木 和人

  東北大

• Mizokawa T

  Univ. Tokyo Tokyo

• 木下 豊彦

  高輝度光科学研究センター

• 大島 誠史

  九大院総理工

• 室 隆桂之

  JASRI

• 木村 滋

  JASRI

• 原田 慈久

  東大院工

• 服部 梓

  阪大院工

• 為則 雄祐

  JASRI, SPring-8

• 梶原 堅太郎

  JASRI

• 八木 直人

  JASRI, SPring-8

• 若林 裕助

  阪大基礎工

• 広井 善二

  東大物性研

• 豊川 秀訓

  SPring-8 JASRI

• 廣井 善二

  東大物性研

• 若林 裕輔

  物構研

• 室 隆桂之

  財団法人高輝度光科学研究センター

• 豊川 秀訓

  JASRI

• 杉山 弘

  高エ研

• 鶴巻 厚

  東大物性研

• Mizutani Teruyoshi

  Department Of Electrical Engineering School Of Engineering Nagoya University

• 小森 文夫

  東京大学物性研究所

• 小林 英一

  Saga-ls

• 豊川 秀訓

  高輝度光科学研究セ

• 常行 真司

  東大院理:物性研

• 室隆 桂之

  JASRI

• 吉田 学史

  九大総理工

• 森田 康平

  九大総理工

• TOKUSHIMA Takashi

  RIKEN/SPring-8

• 若林 祐助

  物構研

• 徳島 高

  RIKEN SPring-8

• 柴田 祐樹

  東大物性研

• 田中 悟

  九州大学大学院工学研究院 エネルギー量子工学部門

• 今井 彩子

  千葉大院自然

• 角田 治哉

  千葉大院自然

• 馬渡 健児

  東北大院理

• 谷治 光一郎

  東大物性研

• 坂本 一之

  千葉大院融合

• 田中 悟

  北大電子研

• 徳島 高

  理研:spring8

• 為則 雄祐

  Jasri

• VOEGELI Woflgang

  東大物性研

• 杉山 弘

  高エ研PF

• 野島 健大

  東大物性研

• 新井 大輔

  東大物性研

• 服部 賢

  奈良先端大物質創成

• 服部 梓

  奈良先端大物質創成

• 若林 裕助

  高工研PF

• 為則 雄祐

  Jasri/spring-8

• 坂木 一之

  東北大院理

• 堀川 裕加

  理研 SPring-8

• 森 健太郎

  九大総理工

• 堀川 裕加

  RIKEN Spring-8

• 八木 直人

  高輝度光科学研究センター

• 坂田 修身

  JASRI

• 八木 直人

  財団法人高輝度光科学研究センター 利用研究促進部門

• 八木 直人

  Jasri

• 八木 直人

  高輝度光科学研究センター放射光研究所利用促進部門ii

• 杉山 弘

  KEK-PF

• 梶原 堅太郎

  Jasri Spring-8

• 服部 賢

  奈良先端大物質

• 八木 直人

  高輝度光研

• 坂田 修身

  Jst-crest:高輝度光科学研

• 坂田 修身

  高輝度光科学研究センター

• 坂田 修身

  Spring-8 Jasri

• 坂田 修身

  財団法人 高輝度光科学研究センター

• 康江 拓

  東大物性研

• 水野 精義

  九大総理工

• 白澤 徹郎

  九州大学大学院総合理工学府物質理工学専攻

• 服部 賢

  奈良先端大

• 八木 直人

  輝度光学研究セ

• 坂田 修身

  (財)高輝度光科学研究センター(jasri/spring-8)

• Tamenori Y.

  Tohoku Univ.

• TAMENORI Y.

  Japan Synchrotron Radiation Research Institute

• 坂田 修身

  財団法人 高輝度光科学研究センター 利用研究促進部門

• 坂田 修身

  高輝度光科学研究センター放射光研究所利用促進部門

• Miyahara Tsuneaki

  Photon Factory National Laboratory For High Energy Physics (kek)

• Tamenori Y.

  Jasri

• 加藤 和男

  JASRI, SPring-8

• 八木 直人

  Jasri Spring-8

• 東 相吾

  九大院総理工

• 白澤 徹郎

  九大院総理工

• 栃原 浩

  九大院総理工

• 大島 誠史

  九大総理工

• 白石 雄一郎

  九大総理工

• 木村 滋

  Jasri Spring-8

• 加藤 和男

  Jasri Spring-8

• 室 隆桂之

  Jasri/spring-8

• 廣江 拓

  東京大学物性研究所

• Wolfgang Voegeli

  東京大学物性研究所

• 阿部 誠

  東京大学物性研究所

• 松下 正

  高エネルギー加速器研究機構

• 徳島 高

  理化学研究所

• VOEGELI Wolfgang

  高エネルギー加速器研究機構物質構造科学研究所

• 豊川 秀訓

  Japan Synchrotron Radiation Research Institute(JASRI)

• 豊川 秀訓

  高輝度光科学研究センター

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著作論文

• 原子レベルで急峻な界面構造と電子状態 : SiC上の絶縁性SiON超薄膜(最近の研究から)
• 22pGQ-2 Atomic structure of the Si(553)-Au surface
• 23aXA-9 SiON/SiC(0001)表面での電子状態の深さ依存性とその起源(23aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pPSA-8 軟X線吸収・発光分光法によるSiON/SiC(0001)のバンドオフセット構造の研究(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pPSB-54 光電子分光による微斜面SiC上の数層grapheneの電子状態測定(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 微傾斜SiC(0001)表面上の酸窒化シリコン薄膜の作製と低速電子回折による構造解析
• 22pPSA-101 微傾斜SiC(0001)表面上に形成する周期的ナノファセット構造(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pPSA-19 SiC(0001)上にエピタキシャル成長したSiON超薄膜の電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21pTG-11 SiC(0001)上にエピタキシャル成長した秩序SiON超薄膜(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pPSB-25 SiC(0001)上の不活性超薄膜のLEED/STMによる構造解析(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28pRE-10 X線CTR散乱を利用した超薄膜界面原子の3次元再構成法(28pRE 領域10,領域5合同 X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 24pPSA-23 表面X線回折法を用いたSi(111)-5×2-Au表面の構造解析(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21pXJ-6 X線回折によるSi(111)表面上のFeシリサイド薄膜構造解析(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pTD-5 軟X線吸収及び発光分光法によるSiON/SiC(0001)超薄膜の元素選択的電子状態の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 新結晶・新物質 SiC上の結晶化SiON超薄膜
• 27aYB-8 Si(001),Ge(001)表面におけるc(4×2)構造の解析とc(4×2)-p(2×1)相転移の臨界現象(27aYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pPSB-31 Structures of Pb on high-index Si surfaces
• 29pPSB-58 Si(553)-Auの表面構造の研究(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aYH-6 電子線照射によるSn/Ge(111)-3×3表面構造の変化(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 27aTE-3 X線回折によるMnSi/Si(111)界面構造の研究(27aTE 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pTD-6 SiON/SiC(0001)表面系における電子状態の理論的解析(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20aPS-33 Ge(111)-Sn系における相転移のLEEDによる研究(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21aPS-50 Si(001),Ge(001)表面における秩序無秩序相転移の臨界現象 : LEEDによる解析(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 低温での電子線照射によるSi(001)-c(4×2)構造の変化
• 26pXC-2 低温で起こる電子励起による構造変化とドーパント依存性 : Si(001)-c(4×2)(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 23aWS-1 Low temperature superstructure formation in gold atomic chains on high-index Si surfaces
• 20pXB-1 低速電子線照射によるSi(001)表面の構造変化(20pXB 領域9,領域4合同招待講演,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pWK-5 多波長同時分散光学系を用いたトランケーションロッドの測定III(23pWK X線・粒子線(X線),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 28aYK-9 多波長同時分散光学系を用いたトランケーションロッドの測定II(X線・粒子線(X線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 28pRE-9 多波長同時分散X線光学系を用いた結晶トランケーションロッドの測定(28pRE 領域10,領域5合同 X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 26aWG-13 X線CTR散乱法によるPr_Ba_Cu_3O_/SrTiO_3界面構造解析(26aWG 高温超伝導2(理論・磁気共鳴・中性子),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 24aPS-66 表面X線回折法によるPb/Si(111)表面の再構成構造とその相転移(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-65 Structures formed by Pb deposition onto high-index Si surfaces
• 29pPSB-60 Sn/Ge(111)及びSn/Si(111)低温相のLEEDによる検証(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-172 LEEDによるCu(100)上のSb単独吸着構造決定及びSbとMgの共吸着構造(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 15pXG-12 低速電子線励起による Si(001)-c(4×2) 構造の無秩序化(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
• 28pWP-12 低速電子線照射によるSi(001)-c(4×2)表面構造の変化(表面界面構造(半導体))(領域9)
• 27pPSA-18 Cu(001)-Bi系のLEEDによる構造解析(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 23aYE-2 Cu (001)-Bi, Li 共吸着構造の LEED 解析
• 22pYE-5 Si(001) 表面の低温 LEED による観察
• 28aWD-7 Cu(001) 表面上の Bi と Mg および Bi と Li の共吸着構造の LEED 解析
• 25pTG-11 Pb/Si(111)表面の1×1↔√7×√3相転移(25pTG 表面界面構造(半導体・無機化合物),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28pTH-1 Si(111)上のBi(001)超薄膜の界面構造解析(28pTH 表面界面構造(金属),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pPSA-38 ペンタセン超薄膜のX線CTR散乱法による構造解析(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aJA-8 多波長同時分散型CTR散乱法の時分割測定への応用(23aJA X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 23aJA-7 ラウエケースのX線CTR散乱(23aJA X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 21aHA-7 X線CTR散乱法によるペンタセン超薄膜の界面構造(21aHA 表面界面構造(有機化合物),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 多波長同時分散型光学系を用いた結晶トランケーションロッド散乱プロファイルの迅速測定法の開発

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