26pXC-2 低温で起こる電子励起による構造変化とドーパント依存性 : Si(001)-c(4×2)(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2005-03-04

著者

• 白澤 徹郎

  東京大学物性研究所

• 栃原 浩

  九州大学大学院総合理工学研究院

• 水野 清義

  九大院総理工

• 栃原 浩

  九大総理工

• 水野 清義

  九大総理工

• 白澤 徹郎

  九大総理工

• 栃原 浩

  北大触媒セ

• 栃原 浩

  物性研

• 栃原 浩

  九州大学工学部

関連論文

• 原子レベルで急峻な界面構造と電子状態 : SiC上の絶縁性SiON超薄膜(最近の研究から)
• 21pGP-4 SiC微斜面上エピタキシャル数層グラフェンの電子状態(21pGP グラフェン(成長と評価),領域7(分子性固体・有機導体))
• 22pGQ-2 Atomic structure of the Si(553)-Au surface
• 26pPSB-25 傾斜SiC上グラフェンの空間層厚制御と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pYF-8 表面、界面の元素選択電子状態 : SiON/SiC(0001)(X線発光分光の飛躍的発展〜強相関から溶液まで〜,領域5シンポジウム,領域5,光物性)
• 23aXA-9 SiON/SiC(0001)表面での電子状態の深さ依存性とその起源(23aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pPSA-8 軟X線吸収・発光分光法によるSiON/SiC(0001)のバンドオフセット構造の研究(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pPSB-54 光電子分光による微斜面SiC上の数層grapheneの電子状態測定(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28aYH-8 数層グラフェン電子状態のSTMによる研究(28aYH 領域7,領域9合同 グラフェン構造・表面物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28aYH-2 傾斜SiC表面上のグラフェン形成機構(28aYH 領域7,領域9合同 グラフェン構造・表面物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 微傾斜SiC(0001)表面上の酸窒化シリコン薄膜の作製と低速電子回折による構造解析
• 22pPSB-18 周期的SiCナノ表面におけるグラフェン形成機構 : 基板表面構造依存性(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pPSA-101 微傾斜SiC(0001)表面上に形成する周期的ナノファセット構造(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pPSA-19 SiC(0001)上にエピタキシャル成長したSiON超薄膜の電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21pTG-11 SiC(0001)上にエピタキシャル成長した秩序SiON超薄膜(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pPSB-25 SiC(0001)上の不活性超薄膜のLEED/STMによる構造解析(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20pYE-10 6H-SiC(0001)面におけるカーボンナノチューブの核生成(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-141 6H-SiC(0001)微傾斜面の熱処理による構造変化のSTM観察(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 28pRE-10 X線CTR散乱を利用した超薄膜界面原子の3次元再構成法(28pRE 領域10,領域5合同 X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 24pPSA-23 表面X線回折法を用いたSi(111)-5×2-Au表面の構造解析(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21pXJ-6 X線回折によるSi(111)表面上のFeシリサイド薄膜構造解析(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 18pTG-3 光電子分光によるTl/Si(111)-(1×1)(√3×√3)転移の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pTD-5 軟X線吸収及び発光分光法によるSiON/SiC(0001)超薄膜の元素選択的電子状態の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 24pPSA-18 タングステン針先構造の電界イオン顕微鏡と電流-電圧特性による評価(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 24pPSA-19 電界放出電子を用いた低速電子回折装置の開発(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 新結晶・新物質 SiC上の結晶化SiON超薄膜
• 22pPSA-91 Cu(001)表面へのCa吸着により形成する(4×4)構造のLEEDによる決定(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21pXJ-7 LEED,STM,ARPESによるSi(111)-√×√R30°-Mnの研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pPSB-6 酸素処理によるタングステン針からの低バイアス電子放出(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aYB-8 Si(001),Ge(001)表面におけるc(4×2)構造の解析とc(4×2)-p(2×1)相転移の臨界現象(27aYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pPSB-31 Structures of Pb on high-index Si surfaces
• 29pPSB-58 Si(553)-Auの表面構造の研究(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aYH-6 電子線照射によるSn/Ge(111)-3×3表面構造の変化(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 27aTE-2 MnSiのSi(111)上でのエピタキシャル成長モードと表面形態(27aTE 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pXF-8 Cu(001)表面上のMnとBi共吸着構造のLEEDによる解析(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-139 電界放出電子による表面への電子線照射と散乱パターンの検出(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 29aZF-3 Si(111)-(1×1)-T1 の構造と電子状態
• 28pPSB-30 走査トンネル顕微鏡探針を用いた低速電子回折装置の開発 II
• Si(111)-(7×7)DAS構造成長中のDomain安定化機構 : その場観察I
• 走査トンネル顕微鏡による表面シリサイド形成初期過程の観察:Si(111)7×7上のBa吸着による(3×1)構造
• 19pPSB-36 走査トンネル顕微鏡探針を用いた低速電子回折装置の開発
• Cu(001)表面上のMgとLi共吸着よって協同的に形成する表面構造
• Cu(001)表面上のK原子吸着位置 : p(3x2)-p2mg vs.p(3x2)-p2mm
• Si(111)7×7 表面上のアイランドとステップ終端部の走査トンネル顕微鏡観察
• Si(111)7×7表面上のアイランドとステップ終端部の走査トンネル顕微鏡観察
• Cu(001)表面上のMgとLi共吸着により形成する構造のLEEDによる解析
• 28aXE-4 Cu(001)表面上のMg, Li共吸着構造とNa, Li共吸着構造の比較
• 27aTE-3 X線回折によるMnSi/Si(111)界面構造の研究(27aTE 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pTD-6 SiON/SiC(0001)表面系における電子状態の理論的解析(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20aPS-33 Ge(111)-Sn系における相転移のLEEDによる研究(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21aPS-50 Si(001),Ge(001)表面における秩序無秩序相転移の臨界現象 : LEEDによる解析(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 低温での電子線照射によるSi(001)-c(4×2)構造の変化
• 26pXC-2 低温で起こる電子励起による構造変化とドーパント依存性 : Si(001)-c(4×2)(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
• Si(111)-(7×7)DAS構造上のホモエピタキシャル成長過程のSTMによるその場観察 : 成長界面IV
• Si(111)-(7×7)DAS構造の原子レベルでの形成メカニズム : 成長界面IV
• Si(111)7x7DAS構造形成過程のSTMによるその場観察
• 29a-PS-3 Si(111)急冷表面上のDAS構造のサイズ変化 : モンテカルロシミュレーション
• 7a-PS-33 Si(111)急冷表面における7×7構造の成長
• 28a-T-8 Si(111)過冷却表面のDAS成長パターン
• Si(111)7×7構造の相転移のモデル
• 27pY-3 還移金属(001)面上に吸着した単純金属原子単一層の構造 : 正方格子的相
• 24aPS-37 低速電子回折法を用いたSi(111)-(3x1)-Ag構造解析
• 27pY-6 Si(111)上のIn吸着構造の解析
• 23aWS-1 Low temperature superstructure formation in gold atomic chains on high-index Si surfaces
• 24aPS-60 Mo(112)表面上の酸化シリコン構造のLEEDによる解析(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 8p-B-3 Cu(001)-(4x4)-Li表面のSTMによる観察
• 20pXB-1 低速電子線照射によるSi(001)表面の構造変化(20pXB 領域9,領域4合同招待講演,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pWK-5 多波長同時分散光学系を用いたトランケーションロッドの測定III(23pWK X線・粒子線(X線),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 28aYK-9 多波長同時分散光学系を用いたトランケーションロッドの測定II(X線・粒子線(X線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 28pRE-9 多波長同時分散X線光学系を用いた結晶トランケーションロッドの測定(28pRE 領域10,領域5合同 X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 26aWG-13 X線CTR散乱法によるPr_Ba_Cu_3O_/SrTiO_3界面構造解析(26aWG 高温超伝導2(理論・磁気共鳴・中性子),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 24aPS-66 表面X線回折法によるPb/Si(111)表面の再構成構造とその相転移(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-65 Structures formed by Pb deposition onto high-index Si surfaces
• 29pPSB-60 Sn/Ge(111)及びSn/Si(111)低温相のLEEDによる検証(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 31p-PSB-22 ステップのあるSi(001)表面のc(4×2)ドメイン形成
• 23aT-10 Si(111)7×7上のホモエピタキシャル成長初期過程のSTMによるその場観察(II) : 基板の積層欠陥の解消と二次元核の結晶化
• 24aY-3 Si(111)上のホモエピタキシャル成長初期過程のSTMによるその場観察
• 30p-S-8 Si(111)-(n×n)-DAS構造形成のアトムプロセス
• 28p-Q-13 急冷Si(111)表面の高分解能STM観察
• 温度可変STMで観察したSi(001), Ge(001)表面の動的現象
• 28a-YM-11 STMによるSi(111)-(nxn)-DAS構造形成過程の観察 : DASサイズ変換モデルの確認
• 28a-YM-6 Ge(001)表面におけるSTM像のちらつきと特定原子上での電流の時間変化
• 31p-PSB-25 Ge(001)表面のダイマーのフリップ・フロップ運動のSTMによる観察
• 3a-Q-1 Si(001)2x1表面の低温でのSTM像
• 24aPS-34 Si(111)7×7上のステップとアイランドの終端部のSTM観察
• 24aPS-172 LEEDによるCu(100)上のSb単独吸着構造決定及びSbとMgの共吸着構造(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 15pXG-12 低速電子線励起による Si(001)-c(4×2) 構造の無秩序化(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
• 28pWP-12 低速電子線照射によるSi(001)-c(4×2)表面構造の変化(表面界面構造(半導体))(領域9)
• 27pPSA-18 Cu(001)-Bi系のLEEDによる構造解析(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 23aYE-2 Cu (001)-Bi, Li 共吸着構造の LEED 解析
• 22pYE-5 Si(001) 表面の低温 LEED による観察
• 28aWD-7 Cu(001) 表面上の Bi と Mg および Bi と Li の共吸着構造の LEED 解析
• 25pTG-11 Pb/Si(111)表面の1×1↔√7×√3相転移(25pTG 表面界面構造(半導体・無機化合物),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28pTH-1 Si(111)上のBi(001)超薄膜の界面構造解析(28pTH 表面界面構造(金属),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pPSA-38 ペンタセン超薄膜のX線CTR散乱法による構造解析(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aJA-8 多波長同時分散型CTR散乱法の時分割測定への応用(23aJA X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 23aJA-7 ラウエケースのX線CTR散乱(23aJA X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 21aHA-7 X線CTR散乱法によるペンタセン超薄膜の界面構造(21aHA 表面界面構造(有機化合物),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 多波長同時分散型光学系を用いた結晶トランケーションロッド散乱プロファイルの迅速測定法の開発
• 26pPSA-26 Ni及びCu上に形成したグラフェンのLEEDによる構造解析(26pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク