原子レベルで急峻な界面構造と電子状態 : SiC上の絶縁性SiON超薄膜(最近の研究から)
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概要
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半導体SiCは次世代エレクトロニクス材料として有望視されており,実用化を目指した研究開発が世界中で盛んに行われている.しかし,良質な絶縁膜/SiC界面の作製が困難であり,実用化への大きな課題となっている.本稿では,最近の研究で発見したSiC上にエピタキシャル成長した絶縁性シリコン酸窒化超薄膜の界面構造と電子状態を紹介する.原子レベルで制御され理想的な絶縁膜/SiC界面が実現していることを示す.
- 2010-03-05
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