28pWP-12 低速電子線照射によるSi(001)-c(4×2)表面構造の変化(表面界面構造(半導体))(領域9)

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2004-03-03

著者

• 白澤 徹郎

  東京大学物性研究所

• 栃原 浩

  九州大学大学院総合理工学研究院

• 水野 清義

  九大院総理工

• 栃原 浩

  九大総理工

• 水野 清義

  九大総理工

• 白澤 徹郎

  九大総理工

• 栃原 浩

  物性研

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