Si(111)-(7×7)DAS構造の原子レベルでの形成メカニズム : 成長界面IV
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
The (7×7) DAS structure is most stable on clean Si (111) surface. We investigated how to form this complicate reconstruction at atomic level using high-temperature STM. The most important process is the formation of faulted-half. We found semi-stable structures of faulted-half during formation. We will explain why various types of DAS structure exist in quenched surface.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2000-07-01
著者
関連論文
- 原子レベルで急峻な界面構造と電子状態 : SiC上の絶縁性SiON超薄膜(最近の研究から)
- 25pYF-8 表面、界面の元素選択電子状態 : SiON/SiC(0001)(X線発光分光の飛躍的発展〜強相関から溶液まで〜,領域5シンポジウム,領域5,光物性)
- 23aXA-9 SiON/SiC(0001)表面での電子状態の深さ依存性とその起源(23aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 氷表面におけるキセノンクラスレートハイドレート結晶の成長形態と成長機構
- 22pPSA-8 軟X線吸収・発光分光法によるSiON/SiC(0001)のバンドオフセット構造の研究(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 微傾斜SiC(0001)表面上の酸窒化シリコン薄膜の作製と低速電子回折による構造解析
- 22pPSA-101 微傾斜SiC(0001)表面上に形成する周期的ナノファセット構造(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pPSA-19 SiC(0001)上にエピタキシャル成長したSiON超薄膜の電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pTG-11 SiC(0001)上にエピタキシャル成長した秩序SiON超薄膜(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pPSB-25 SiC(0001)上の不活性超薄膜のLEED/STMによる構造解析(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pYE-10 6H-SiC(0001)面におけるカーボンナノチューブの核生成(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-141 6H-SiC(0001)微傾斜面の熱処理による構造変化のSTM観察(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 18pTG-3 光電子分光によるTl/Si(111)-(1×1)(√3×√3)転移の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pTD-5 軟X線吸収及び発光分光法によるSiON/SiC(0001)超薄膜の元素選択的電子状態の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24pPSA-18 タングステン針先構造の電界イオン顕微鏡と電流-電圧特性による評価(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24pPSA-19 電界放出電子を用いた低速電子回折装置の開発(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 新結晶・新物質 SiC上の結晶化SiON超薄膜
- 22pPSA-91 Cu(001)表面へのCa吸着により形成する(4×4)構造のLEEDによる決定(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pXJ-7 LEED,STM,ARPESによるSi(111)-√×√R30°-Mnの研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pPSB-6 酸素処理によるタングステン針からの低バイアス電子放出(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aYB-8 Si(001),Ge(001)表面におけるc(4×2)構造の解析とc(4×2)-p(2×1)相転移の臨界現象(27aYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28p-WB-6 Si(111)7x7 表面でのホモエピタキシャル成長中のRHEED強度振動の初期異常の原因の考察
- 30a-ZF-3 Si(111)7x7表面におけるステップの再構造化とステップ成長
- 1p-TA-11 K/Si(001)吸着系の構造と物性
- 25aYH-6 電子線照射によるSn/Ge(111)-3×3表面構造の変化(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27aTE-2 MnSiのSi(111)上でのエピタキシャル成長モードと表面形態(27aTE 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 31p-PSB-24 Si(111)7×7単位格子形成課程のSTM観察
- 21pXF-8 Cu(001)表面上のMnとBi共吸着構造のLEEDによる解析(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-139 電界放出電子による表面への電子線照射と散乱パターンの検出(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 14a-DH-2 Si(111)7x7上のホモエピタキシャル成長 : ステップの種類毎の成長モデル
- 29aZF-3 Si(111)-(1×1)-T1 の構造と電子状態
- 28aB11 Si(111)7×7表面上でのステップ成長様式(基礎V)
- 25a-Y-5 Si/Si(111)7x7 : ステップおよびテラス成長初期のSTM像の考察
- 28pPSB-30 走査トンネル顕微鏡探針を用いた低速電子回折装置の開発 II
- Si(111)-(7×7)DAS構造成長中のDomain安定化機構 : その場観察I
- 走査トンネル顕微鏡による表面シリサイド形成初期過程の観察:Si(111)7×7上のBa吸着による(3×1)構造
- 19pPSB-36 走査トンネル顕微鏡探針を用いた低速電子回折装置の開発
- Cu(001)表面上のMgとLi共吸着よって協同的に形成する表面構造
- Cu(001)表面上のK原子吸着位置 : p(3x2)-p2mg vs.p(3x2)-p2mm
- Si(111)7×7 表面上のアイランドとステップ終端部の走査トンネル顕微鏡観察
- Si(111)7×7表面上のアイランドとステップ終端部の走査トンネル顕微鏡観察
- Cu(001)表面上のMgとLi共吸着により形成する構造のLEEDによる解析
- 28aXE-4 Cu(001)表面上のMg, Li共吸着構造とNa, Li共吸着構造の比較
- 27aTE-3 X線回折によるMnSi/Si(111)界面構造の研究(27aTE 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pTD-6 SiON/SiC(0001)表面系における電子状態の理論的解析(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20aPS-33 Ge(111)-Sn系における相転移のLEEDによる研究(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aPS-50 Si(001),Ge(001)表面における秩序無秩序相転移の臨界現象 : LEEDによる解析(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 低温での電子線照射によるSi(001)-c(4×2)構造の変化
- 26pXC-2 低温で起こる電子励起による構造変化とドーパント依存性 : Si(001)-c(4×2)(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 2p-T-1 Ag(001)上のアルカリ金属吸着 : 温度による違い
- Si(111)-(7×7)DAS構造上のホモエピタキシャル成長過程のSTMによるその場観察 : 成長界面IV
- Si(111)-(7×7)DAS構造の原子レベルでの形成メカニズム : 成長界面IV
- Si(111)7x7DAS構造形成過程のSTMによるその場観察
- 29a-PS-3 Si(111)急冷表面上のDAS構造のサイズ変化 : モンテカルロシミュレーション
- 7a-PS-33 Si(111)急冷表面における7×7構造の成長
- 28a-T-8 Si(111)過冷却表面のDAS成長パターン
- Si(111)7×7構造の相転移のモデル
- Si(111)7×7上のステップ成長の微視的機構
- 2007年度 日本雪氷学会全国大会報告
- 19aC01 CH_4 clathrate hydrate解離過程の自己保存機構(結晶成長基礎(3),第35回結晶成長国内会議)
- 27aD05 氷表面におけるXe clathrate hydrate結晶成長過程のその場観察(結晶成長基礎・理論シンポジウム,第34回結晶成長国内会議)
- 2-6.メタンハイドレート解離過程のその場観察((2)天然ガス・メタンハイドレート等II,Session 2 天然ガス・メタンハイドレート等)
- 準包接水和物(TBAB-hydrate)によるガス分離(有機結晶)
- 2-2.準包接水和物の物性とガス分離への応用((1)メタンハイドレートI,Session 2 天然ガス・メタンハイドレート等)
- 準包接水和物(TBAB-hydrate)単結晶の成長機構 : その場観察I
- 2-24.ガスハイドレートの生成過程における粘度変化(Session 2 天然ガス)
- 低バックグラウンド液体シンチレーション法による極域雪氷試料中のHTO濃度測定
- 24aPS-37 低速電子回折法を用いたSi(111)-(3x1)-Ag構造解析
- 24aPS-60 Mo(112)表面上の酸化シリコン構造のLEEDによる解析(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29p-S-8 Cu単結晶表面上におけるLi原子の吸着構造
- 13a-PS-36 LEED・AESによるLi/Cu(110)の吸着構造
- 01pC02 氷表面におけるXe clathrate hydrate結晶成長過程のその場観察(II)(結晶成長基礎(3),第36回結晶成長国内会議)
- 2-23.ガスハイドレートの生成速度(Session 2 天然ガス)
- 31p-PSB-22 ステップのあるSi(001)表面のc(4×2)ドメイン形成
- 23aT-10 Si(111)7×7上のホモエピタキシャル成長初期過程のSTMによるその場観察(II) : 基板の積層欠陥の解消と二次元核の結晶化
- 31p-PSB-25 Ge(001)表面のダイマーのフリップ・フロップ運動のSTMによる観察
- 3a-Q-1 Si(001)2x1表面の低温でのSTM像
- 24aPS-34 Si(111)7×7上のステップとアイランドの終端部のSTM観察
- 24aPS-172 LEEDによるCu(100)上のSb単独吸着構造決定及びSbとMgの共吸着構造(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 15pXG-12 低速電子線励起による Si(001)-c(4×2) 構造の無秩序化(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 28pWP-12 低速電子線照射によるSi(001)-c(4×2)表面構造の変化(表面界面構造(半導体))(領域9)
- 27pPSA-18 Cu(001)-Bi系のLEEDによる構造解析(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 23aYE-2 Cu (001)-Bi, Li 共吸着構造の LEED 解析
- 22pYE-5 Si(001) 表面の低温 LEED による観察
- 28aWD-7 Cu(001) 表面上の Bi と Mg および Bi と Li の共吸着構造の LEED 解析
- 27a-E-7 Cu/p4g(2x2)C/Ni(001)の安定性とカーボンの表面偏析
- 27a-R-9 Cu(001)上でのLiとH_2Oとの相互作用 : 被覆率による反応性の違い
- 2a-E-6 金属表面上でのアルカリ原子と簡単な分子との相互作用
- 3a-J-1 銅(基板金属)-リチウム(吸着金属)系の複雑な表面秩序構造決定の完了
- 29p-S-9 銅(基板金属)-リチウム(吸着金属)系の作る複雑な表面秩序構造の決定
- 3a-J-3 Ni(001)上にエピタキシャル成長させた銅単原子層の上へのリチウム吸着
- 3a-J-2 Ag(001)-Na(K)の複雑な表面構造の決定
- 5a-Q-6 Li/Cu(111)系での表面合金形成
- 12p-DJ-5 アルカリ金属上のアルカリ金属吸着II : LiとNaの場合
- 27a-E-11 Li/Cu(001)系の表面構造
- 12p-DJ-4 アルカリ金属上のアルカリ金属吸着I : KとLiの場合
- 1p-G-5 Li/Cu(001)系のLEEDによる表面構造決定II
- 28a-Z-5 Li/Cu(001)系のLEEDによる表面構造決定 I
- 1p-G-6 Li/Cu(001)系のARUPS : タム型表面準位
- 28a-Z-6 Cu(001)上のLiの成長過程 : 置換吸着とそれに続く表面合金形成