13a-PS-36 LEED・AESによるLi/Cu(110)の吸着構造
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1993-09-20
著者
-
水野 清義
北大触媒セ
-
中西 繁光
阪府大総合科
-
栃原 浩
北大触媒研
-
栃原 浩
北大触媒セ
-
中西 繁光
大阪府立大学
-
中西 繁光
大阪府立大学総合科学部
-
梅沢 憲司
大阪府立大学総合科学部
-
梅沢 憲司
阪府大総合科
-
湯村 太洋
阪府大総合科
-
生川 葉子
阪府大総合科
-
湯村 太洋
大阪府立大学総合科学部
関連論文
- 原子レベルで急峻な界面構造と電子状態 : SiC上の絶縁性SiON超薄膜(最近の研究から)
- 25pYF-8 表面、界面の元素選択電子状態 : SiON/SiC(0001)(X線発光分光の飛躍的発展〜強相関から溶液まで〜,領域5シンポジウム,領域5,光物性)
- 23aXA-9 SiON/SiC(0001)表面での電子状態の深さ依存性とその起源(23aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pPSA-8 軟X線吸収・発光分光法によるSiON/SiC(0001)のバンドオフセット構造の研究(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 微傾斜SiC(0001)表面上の酸窒化シリコン薄膜の作製と低速電子回折による構造解析
- 22pPSA-101 微傾斜SiC(0001)表面上に形成する周期的ナノファセット構造(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pPSA-19 SiC(0001)上にエピタキシャル成長したSiON超薄膜の電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24aPS-60 Phを媒介とするAgナノ構造の形成と制御
- 18pTG-3 光電子分光によるTl/Si(111)-(1×1)(√3×√3)転移の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pTD-5 軟X線吸収及び発光分光法によるSiON/SiC(0001)超薄膜の元素選択的電子状態の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 31p-J-2 Fe(001)上へのTeの蒸着 : LEED・AES・Δφによる
- オ-ジェ電子分光へのマイクロ・コンピュ-タの応用
- 27a-E-8 角度分解光電子分光によるNO/Pt(001)表面の研究
- 31a-T-6 レーザーを用いた角度分解共鳴二光子光電子分光による表面研究の装置製作
- 6a-T-6 シリコン上のアルカリ吸着とモンテカルロシミュレーション
- 6a-T-5 FI-STMおよびLEEDによるSi(001)2x1-Liの研究
- 3a-T-7 Si(001)のLEED : ストリーク・パターン
- 4a-B4-5 金属(M)/Si(111)系の室温界面反応 : M-Si接合
- 30a-D-12 Au-Si(111)系の表面電子状態
- 29a-D-6 Si(001)の角度分解光電子分光
- 29a-D-5 Si(001)面からの二次電子放出
- 2p-S-8 低速電子回折像の迅速測定II
- 1p-S-10 Au/Si(111)の光電子分光
- 4a-E-5 Si(111)2×1上のCs吸着状態
- 24pPSA-18 タングステン針先構造の電界イオン顕微鏡と電流-電圧特性による評価(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24pPSA-19 電界放出電子を用いた低速電子回折装置の開発(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 新結晶・新物質 SiC上の結晶化SiON超薄膜
- 22pPSA-91 Cu(001)表面へのCa吸着により形成する(4×4)構造のLEEDによる決定(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pXJ-7 LEED,STM,ARPESによるSi(111)-√×√R30°-Mnの研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pPSB-6 酸素処理によるタングステン針からの低バイアス電子放出(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 2a-RJ-9 K/Cu(100)の角度分解型SOR光電子分光
- 13aTG-9 低、及び中エネルギー領域でのイオン後方散乱における標的電子の応答効果(放射線物理, 領域 1)
- 固体表面層の相転移の動的観察
- 28p-WB-6 Si(111)7x7 表面でのホモエピタキシャル成長中のRHEED強度振動の初期異常の原因の考察
- 原子レベルでのステップ成長機構 : Si(111)7×7の場合 : 基礎IV
- 25aYH-6 電子線照射によるSn/Ge(111)-3×3表面構造の変化(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27aTE-2 MnSiのSi(111)上でのエピタキシャル成長モードと表面形態(27aTE 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pXF-8 Cu(001)表面上のMnとBi共吸着構造のLEEDによる解析(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-139 電界放出電子による表面への電子線照射と散乱パターンの検出(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 29aZF-3 Si(111)-(1×1)-T1 の構造と電子状態
- 28pPSB-30 走査トンネル顕微鏡探針を用いた低速電子回折装置の開発 II
- 走査トンネル顕微鏡による表面シリサイド形成初期過程の観察:Si(111)7×7上のBa吸着による(3×1)構造
- 19pPSB-36 走査トンネル顕微鏡探針を用いた低速電子回折装置の開発
- Cu(001)表面上のMgとLi共吸着よって協同的に形成する表面構造
- Cu(001)表面上のK原子吸着位置 : p(3x2)-p2mg vs.p(3x2)-p2mm
- Si(111)7×7 表面上のアイランドとステップ終端部の走査トンネル顕微鏡観察
- Si(111)7×7表面上のアイランドとステップ終端部の走査トンネル顕微鏡観察
- Cu(001)表面上のMgとLi共吸着により形成する構造のLEEDによる解析
- 28aXE-4 Cu(001)表面上のMg, Li共吸着構造とNa, Li共吸着構造の比較
- 27aTE-3 X線回折によるMnSi/Si(111)界面構造の研究(27aTE 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pTD-6 SiON/SiC(0001)表面系における電子状態の理論的解析(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 2a-E-1 (1+1)共鳴多光子イオン化法による、pt(001)-NOの紫外レーザー刺激脱離の研究 II : 照射レーザー偏光依存性
- 2p-T-5 (1+1)共鳴多光子イオン化法による、Pt(100)-NOの紫外レーザー刺激脱離の研究I : 並進・回転エネルギー分布
- 2p-T-4 Pt(100)表面上に化学吸着したNOの紫外レーザー刺激脱離IV : 偏光・波長依存性
- 5a-W-1 Pt(100)表面上に化学吸着したNOの紫外レーザー刺激脱離III
- 5a-B4-4 Pt(100)表面上に化学吸着したNOの光刺激脱離を含む3光子過程によるNO^+の生成。
- 28a-WB-4 TOF-ICISSよるCu単結晶上のFe膜成長過程
- 29p-PSB-21 TOF-ICISSによるCu(001)上のfccFe成長過程
- 29p-PS-13 LEED/AES/ICISSによるAu, Ag/Cu(001)の観察
- 30a-E-11 TOF-ICISSによるAu-Cu(001)表面における表面近傍の組成と構造
- 27p-PS-35 Bi系超伝導体におけるフォノン (赤外吸収)
- 27p-PS-34 Ba_2YCu_3O_y単結晶における酸素拡散の直接観察
- 5a-PS-35 Cu-Au合金表面への酸素吸着とCu原子の表面偏析 : LEED.AES,ISS
- 31p-PS-124 新しいPb系銅酸化物の合成と超伝導特性
- 3p-T-11 FCC(100)面を持つ2元合金に於ける規則-不規則転移
- 29p-PS-54 Ortho-II相 Ba_2YCu_3O_の特性
- 26p-O-5 Modified Surface へのCOの吸着
- 8p-B-3 Cu(001)-(4x4)-Li表面のSTMによる観察
- 低速イオン散乱分光法によるH/Pt(111)およびH/Ni(111)の研究
- 29p-S-8 Cu単結晶表面上におけるLi原子の吸着構造
- 13a-PS-36 LEED・AESによるLi/Cu(110)の吸着構造
- 低速原子散乱分光装置の計測制御系
- 金属エピタキシャル成長における成長方位の基板温度依存 : Au/Ni(111), Ag/Cu(111)
- 7a-PS-44 低速イオン散乱分光法によるAg/Ni(111)表面構造解析
- 7a-PS-34 Au/Ni(111)エピタキシャル成長方位の温度依存性
- 直衝突イオン散乱法によるLi/Cu(110)の表面構造の研究
- 31p-PSB-25 Ge(001)表面のダイマーのフリップ・フロップ運動のSTMによる観察
- 合金表面の組成と構造-イオン散乱法を中心として-
- 29p-T-7 Ni(001)上のリチウムおよびナトリウムの吸着構造
- 27a-E-7 Cu/p4g(2x2)C/Ni(001)の安定性とカーボンの表面偏析
- 27a-R-9 Cu(001)上でのLiとH_2Oとの相互作用 : 被覆率による反応性の違い
- 2a-E-6 金属表面上でのアルカリ原子と簡単な分子との相互作用
- 低速イオン散乱法 (ICISS) によるAu-Cu系合金単結晶表面の構造および組成
- 3a-J-1 銅(基板金属)-リチウム(吸着金属)系の複雑な表面秩序構造決定の完了
- 29p-S-9 銅(基板金属)-リチウム(吸着金属)系の作る複雑な表面秩序構造の決定
- 29p-T-6 Ag(001)-Rb系の複雑な表面構造の決定
- LEEDによる構造解析システム : MacintoshによるI-V曲線測定とテンソルLEED計算
- Ag(001)-Na(K)の複雑な表面構造の決定II
- Ni(001)-Li吸着系の構造決定 : (4×4)および(5×5)構造
- 3a-J-3 Ni(001)上にエピタキシャル成長させた銅単原子層の上へのリチウム吸着
- 3a-J-2 Ag(001)-Na(K)の複雑な表面構造の決定
- 5a-Q-6 Li/Cu(111)系での表面合金形成
- 12p-DJ-5 アルカリ金属上のアルカリ金属吸着II : LiとNaの場合
- 27a-E-11 Li/Cu(001)系の表面構造
- 12p-DJ-4 アルカリ金属上のアルカリ金属吸着I : KとLiの場合
- 1p-G-5 Li/Cu(001)系のLEEDによる表面構造決定II
- 28a-Z-5 Li/Cu(001)系のLEEDによる表面構造決定 I
- 1p-G-6 Li/Cu(001)系のARUPS : タム型表面準位
- 28a-Z-6 Cu(001)上のLiの成長過程 : 置換吸着とそれに続く表面合金形成
- 1a-F4-4 Pt(100)上に化学吸着したNOからの紫外レーザー刺激NO+脱離(表面・界面)