白澤 徹郎 | 九大総理工
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概要
関連著者
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白澤 徹郎
東京大学物性研究所
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栃原 浩
九州大学大学院総合理工学研究院
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栃原 浩
九大総理工
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白澤 徹郎
九大総理工
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水野 清義
九大院総理工
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水野 清義
九大総理工
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栃原 浩
物性研
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栃原 浩
九州大学工学部
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栃原 浩
北大触媒セ
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田中 悟
九大院工
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林 賢二郎
九大院総理工
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林 賢二郎
九大総理工
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田中 悟
九州大学大学院工学研究院
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田中 悟
九大工院
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田中 悟
北大電子研
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栃原 浩
北大触媒研
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東 相吾
九大総理工
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水野 精義
九大総理工
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栃原 浩
九大
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大島 誠史
九大院総理工
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大島 誠史
九大総理工
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白石 雄一郎
九大総理工
著作論文
- 21pTG-11 SiC(0001)上にエピタキシャル成長した秩序SiON超薄膜(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pPSB-25 SiC(0001)上の不活性超薄膜のLEED/STMによる構造解析(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aYB-8 Si(001),Ge(001)表面におけるc(4×2)構造の解析とc(4×2)-p(2×1)相転移の臨界現象(27aYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aPS-33 Ge(111)-Sn系における相転移のLEEDによる研究(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aPS-50 Si(001),Ge(001)表面における秩序無秩序相転移の臨界現象 : LEEDによる解析(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pXC-2 低温で起こる電子励起による構造変化とドーパント依存性 : Si(001)-c(4×2)(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 15pXG-12 低速電子線励起による Si(001)-c(4×2) 構造の無秩序化(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 28pWP-12 低速電子線照射によるSi(001)-c(4×2)表面構造の変化(表面界面構造(半導体))(領域9)
- 27pPSA-18 Cu(001)-Bi系のLEEDによる構造解析(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 23aYE-2 Cu (001)-Bi, Li 共吸着構造の LEED 解析
- 22pYE-5 Si(001) 表面の低温 LEED による観察
- 28aWD-7 Cu(001) 表面上の Bi と Mg および Bi と Li の共吸着構造の LEED 解析