常行 真司 | 東京大学大学院理学系研究科物理学専攻

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概要

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関連著者

• 常行 真司

  東京大学大学院理学系研究科物理学専攻

• 常行 真司

  東大院理

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  東大院理:物性研

• 赤木 和人

  東北大WPI

• 赤木 和人

  東大院理

• 赤木 和人

  東北大

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  東大院理

• 常行 真司

  東大理

• 常行 真司

  東京大学大学院理学系研究科

• 佐久間 怜

  干葉大院融合科学:産総研

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  物性研

• 安藤 康伸

  東大院理

• 袖山 慶太郎

  東大院理

• 佐久間 怜

  東大院理

• 常行 真司

  東京大学大学院 理学系研究科物理学専攻

• 岩崎 誉志紀

  太陽誘電

• 小杉 太一

  東大院理

• 岩崎 誉志紀

  太陽誘電:東大院理

• 鈴木 利昌

  太陽誘電

• 只野 央将

  東大院理

• 合田 義弘

  東大理

• 寺倉 清之

  北陸先端科学技術大学院大学

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  東大院工

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  東大院理

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  東大院理

• 福山 秀敏

  東理大理

• 古家 真之介

  東大院理

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  東大物性研

• 白澤 徹郎

  東京大学物性研究所

• 栃原 浩

  九州大学大学院総合理工学研究院

• 吉信 淳

  東大物性研

• 寺倉 清之

  北陸先端大

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  東大院理

• 白澤 徹郎

  東大物性研

• 栃原 浩

  九大総理工

• 今田 正俊

  東京大学大学院工学系研究科

• 福山 秀敏

  東理大総合研

• 栃原 浩

  北大触媒研

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  東大物性研

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  東大物性研:産総研計算科学

• 栃原 浩

  九大

• 大谷 実

  東大物性研

• 栃原 浩

  九州大学工学部

• 合田 義弘

  東大物性研

• 伊藤 満

  東工大応セラ研

• 内田 慎一

  東大理

• 秋山 亨

  三重大工

• 森川 良忠

  産業技術総合研究所

• 梅澤 直人

  物質材料研究機構(NIMS)

• 内田 和之

  東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻

• 小野 哲平

  東大院理

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  NTT物性基礎研

• 腰原 伸也

  ERATO-JST

• 辛 埴

  理研

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  太陽誘電

• 向井 孝三

  東大物性研

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  東京大学大学院理学系研究科物理学専攻

• 吉信 淳

  東京大学物性研究所

• 佐久間 怜

  干葉大院融合科学

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  東北大理

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  東大物性研

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  千葉大院融合科学

• 原田 慈久

  理研

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  東京大学物性研究所

• 徳島 高

  理研SPring-8

• 辛 埴

  理研SPring-8

• 原田 慈久

  東大院工:東大放射光機構:理研:spring-8

• HORIKAWA Yuka

  RIKEN/SPring-8

• 高田 恭孝

  東大新領域:理研:spring8

• 符 徳勝

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  産業技術総合研究所計算科学研究部門

• 徳島 高

  理研:spring8

• 秋山 亨

  三重大学大学院工学研究科

• 三宅 隆

  産総研:js-crest

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  東大物性研

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  SPring-8

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  東大物性研

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  産総研

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  筑波大学物理学系

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  物質・材料研究機構計算科学センター

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  アリゾナ州立大

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  南カリフォルニア大

• 白石 賢二

  筑波大物理

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  産業技術総合研 計算科学研究部門

• 相澤 秀昭

  物材機構

• 相澤 秀昭

  物質・材料研究機構計算材料科学研究センター

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  北陸先端科学技術大学院大学:産業技術総合研究所

• 赤木 和人

  東大理

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  東大工

• 小杉 太一

  東大理

• 小杉 太一

  東京大学理学系研究科

• 赤木 和人

  東京大学理学系研究科

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  東京大学理学系研究科

• 植松 真司

  慶応義塾大学大学院理工学研究科

• 赤木 和人

  SPring-8

• 内田 和之

  東大院理

• 常行 真司

  東大院理・物理

• 寺倉 清之

  北陸先端融合院

• 符 徳勝

  静岡大学grl:erao-jst

• 常行 真司

  東大・院理 物性研

• 安藤 良記

  東大院理

• 岩崎 健男

  東大理

• 河村 光晶

  東大理

• 徳島 高

  理化学研究所

• 伊藤 満

  東工大応セラ

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著作論文

• 21aGL-6 Al原子とSiON/SiC(0001)表面のSchottky接合に関する電子状態計算(21aGL 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28aPS-23 GPUによる拡散モンテカルロ法の高速化(領域11ポスターセッション,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 20pEL-7 第一原理トランスコリレイティッド法の励起状態への適用(20pEL 電子系(密度汎関数理論),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 22pHS-1 ペロブスカイト酸化物中にドープされた3d遷移金属の第一原理計算(22pHS 誘電体・フォノン(酸化物・第一原理計算),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22pHS-10 第一原理に基づく結晶の非調和格子振動のモデル化(22pHS 誘電体・フォノン(構造解析・フォノン),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 13aXF-6 不飽和結合・水酸基・アミノ基を持つ有機分子の Si(001) 表面での拡散 : プロセスへの第一原理的アプローチ(表面界面ダイナミクス : シリコン・ダイヤモンド, 領域 9)
• 26aYG-3 Al原子を吸着させたSiON/SiC(0001)表面系の電子状態解析(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 四面体分子の大きな構造変化
• 25pRA-4 窒化物半導体/ホウ素化合物界面の第一原理計算(表面磁性,領域3,領域9合同,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26aQL-2 第一原理電子状態計算のフロンティア(第一原理電子状態計算のフロンティアと次世代計算機への期待,領域11,領域4,領域8,領域9,領域12合同シンポジウム,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 26aQL-2 第一原理電子状態計算のフロンティア(領域11,領域4,領域8,領域9,領域12合同シンポジウム:第一原理電子状態計算のフロンティアと次世代計算機への期待,領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
• 25pRA-4 窒化物半導体/ホウ素化合物界面の第一原理計算(領域3,領域9合同 表面磁性,領域3,磁性,磁気共鳴)
• 26aQE-1 FMO-LCMO法に基づく巨大分子系の電子状態解析(電子状態・振動子・エネルギー移動と緩和,領域12,ソフトマター物理,化学物理,生物物理)
• 26aQL-2 第一原理電子状態計算のフロンティア(領域11,領域4,領域8,領域9,領域12合同シンポジウム:第一原理電子状態計算のフロンティアと次世代計算機への期待,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 28pRB-6 チタン酸バリウム中の酸素欠陥による水素価数変化の第一原理計算(28pRB 誘電体(シミュレーション・理論),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 23aXA-9 SiON/SiC(0001)表面での電子状態の深さ依存性とその起源(23aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aXB-9 N/Cu(001)表面の自己組織化構造の理論解析(表面界面構造,22aXB 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aWB-9 FMO法に基づくタンパク質のハミルトニアンの解析(23aWB 光応答・光散乱・化学物理一般・シミュレーション手法・量子系・電子状態,領域12(ソフトマター物理,化学物理,生物物理))
• 20pVC-5 複雑な結晶構造を持つ絶縁体C_ポリマーのフォノン分散の第一原理計算(20pVC 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 20pVC-4 絶縁体電子状態のPseudo SICを施した第一原理計算(20pVC 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 20pVC-3 トランスコリレイティッド法のSCF効果に対する数値的検討(20pVC 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 次世代ナノ複合材料グループ--次世代デバイスに向けたシミュレーション手法開発 (特集 次世代ナノ統合シミュレーションソフトウェアの研究開発--ペタフロップスで拓くナノサイエンスの活用に向けて)
• 24pPSA-30 基板の歪みを考慮した表面自己組織化構造の理論解析(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pPSB-5 基板の歪みを考慮した表面吸着構造の理論解析(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pTD-15 SO_2/Ni(100)における軟X線発光スペクトルの第一原理計算(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 29pXE-13 YH_3の圧力誘起絶縁体金属転移 : 準粒子self-consistent GW近似による第一原理計算(29pXE 液体金属(単元素),領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 22aTE-13 Ba_Ca_xTiO_3単結晶の第一原理計算(誘電体(量子誘電体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 次世代ナノ複合材料グループ : 次世代デバイスに向けたシミュレーション手法開発
• 25pTD-6 SiON/SiC(0001)表面系における電子状態の理論的解析(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• トピックス
• 21pWA-8 トランスコリレイティッド法の固体への応用 : バンドギャップと全エネルギー(電子系,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 19pWB-6 トランスコリレイティッド法を用いた固体全エネルギー計算(電子系,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 20pWB-7 平面波基底によるハイブリット法HSEの実装と希土類水素化物への適用(電子系(密度汎関数法),領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 21aPS-22 双直交形式を用いたトランスコリレイティッド法の開発とハバードモデルへの応用(ポスターセッション,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 27aYF-3 TC法による固体の第一原理計算(密度汎関数法,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 29pPSA-18 トランスコリレイティッド法による固体の電子状態計算(領域11ポスターセッション)
• 26pWY-3 第一原理非調和格子モデルによる格子熱伝導率計算(26pWY フォノン,領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• Pt(111)表面に吸着したNO分子の振動スペクトル : 第一原理計算による解析
• シリコン表面における環化付加反応
• 次世代ナノ情報機能・材料
• 水素-境界領域の物質科学(第48回物性若手夏の学校(2003年度),講義ノート)
• 高圧下の物質構造と計算機シミュレーション
• 高圧下の物質構造と計算機シミュレーション
• 高圧物性研究のためのコンピュータ・シミュレーション
• 25pYE-2 Ba_Ca_xTiO_3におけるフォノン分散の第一原理計算(誘電体(酸化物系),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 21aRG-2 三次元重合フラーレンの第一原理計算(フラーレン,領域7,分子性固体・有機導体)
• 27pRC-12 三次元重合フラーレンの第一原理計算(27pRC フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23pTE-4 誘電体点欠陥の電子状態計算におけるPseudo SICの効果(電子系(密度汎関数法),領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 23pTK-10 SrTiO_3におけるMn微量添加元素の第一原理電子状態計算(誘電体,領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 第一原理電子状態計算の現状と課題:概観(電子状態の第一原理計算の現状と課題)
• 電子相関の精緻な取り扱い(電子状態の第一原理計算の現状と課題)
• 15aPS-29 SiO_2/Si(100) での格子間 Si の研究(領域 9)
• 24aYC-8 吸着子・表面間の軌道混成への電場の影響の第一原理計算による評価(24aYC 領域9,領域10,領域11合同招待講演,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pXJ-3 「不飽和炭化水素/Si(001)」吸着系への電場の影響の第一原理計算による評価(29pXJ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 15pXE-1 軟 X 線発光分光法による SiO_2/Si 界面電子状態のサイト選択的観測(表面界面電子物性, 領域 9)
• 30aPS-39 SrTiO_3における格子欠陥と光キャリアの相互作用に関する第一原理計算(領域5ポスターセッション)(領域5)
• 21pRK-13 アミノ酸集合体として見たタンパク質電子状態のモデル化(生物物理,領域12,ソフトマター物理,化学物理,生物物理)
• 25pTE-5 Si(100)表面における1,4-シクロヘキサジエンの吸着状態と温度依存性(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22aXJ-9 Si(001)表面におけるエチレン・アセチレンの反応経路の詳細(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21aWH-2 アルケン分子/Si(001)表面系の化学吸着における「マルコフニコフ則」(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pXD-9 Si(001)表面に化学吸着したアルケン/アルキン分子の配向性の差異の起源(表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 23pQA-5 相関波動関数を用いた固体の電子状態計算(23pQA 領域1シンポジウム:精密電子状態計算の現状と展望,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 28aTE-6 トランスコリレイティッド法による固体の第一原理計算 : 擬分散最小化に基づくジャストロウ因子の最適化(28aTE 電子系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 28aPS-67 第一原理に基づく非調和格子モデルの開発と熱伝導率計算への応用(28aPS ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 戦略分野2:新物質・エネルギー創成をめざす計算物質科学イニシアティブ(次世代スーパーコンピュータ「京」:動き出した大型プロジェクトの全体像)
• 水素の第一原理計算 (新しい水素の科学--新手法が明かす水素分布・ダイナミクス・電子状態) -- (理論)
• 28pTG-1 固液界面の電気二重層に関する第一原理計算(28pTG 表面界面電子物性(シミュレーション),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pTG-5 分子動力学シミュレーションによるC_ハイドレート構造の理論予測(クラスレート1,領域7,分子性固体・有機導体)
• 28pTG-3 第一原理計算による窒化物/ホウ化物界面のスピン物性(28pTG 表面界面電子物性(シミュレーション),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 先端科学シンポジウム(FoS)という試み (特集:日本学術振興会と国際交流)
• 21pGT-7 超伝導密度汎関数理論による超伝導転移温度の第一原理的予測(21pGT 電子系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 22aHA-11 水-金属界面系の電気二重層キャパシタンスに関する第一原理計算(22aHA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pGT-6 トランスコリレイティッド法による固体の第一原理計算 : ジャストロウ因子の最適化の新手法とその効果(21pGT 電子系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 23pHA-8 非磁性元素界面における磁性の可能性(23pHA 表面界面電子物性(シミュレーション),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pHA-11 第一原理非調和格子モデルを用いたナノワイヤの熱伝導率計算(24pHA ナノチューブ・ナノワイヤ・表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 計算物理 (20周年企画 特集:物理科学,この20年(3)) -- (物性物理)
• 27aPS-32 定圧定温のレプリカ交換分子動力学法(領域11,領域12合同ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 講座:計算物理(第12回・物性編最終回)さらに信頼できる計算をめざして
• 講座:計算物理(第10回)物性編 固体の電子をいかに扱うか
• 講座:計算物理(第8回)物性編 電子の波動方程式を解く
• 講座:計算物理(第6回)物性編 原子の間に働く力
• 講座:計算物理(第4回)物性編 原子の動きを追う--分子動力学法
• 講座:計算物理(第2回)物性編 計算物理学とその必要性
• 25pYM-7 電子と陽子の量子シミュレーション(領域10, 領域9合同シンポジウム:固体における水素の科学の新展開,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
• 14pTM-6 極限条件下の量子シミュレーション(主題 : 計算機ナノマテリアルデザイン・量子シミュレーション手法の開発と応用, 領域 3)
• 14pTM-6 極限条件下の量子シミュレーション(主題 : 計算機ナノマテリアルデザイン・量子シミュレーション手法の開発と応用, 領域 11)
• 14pTM-6 極限条件下の量子シミュレーション(主題 : 計算機ナノマテリアルデザイン・量子シミュレーション手法の開発と応用, 領域 4)
• 領域8,領域3,領域4,領域7,領域9,領域10「元素戦略が促進する分野融合と物理」(第68回年次大会シンポジウムの報告,学会報告)

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