岩崎 誉志紀 | 太陽誘電
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概要
関連著者
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岩崎 誉志紀
太陽誘電
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常行 真司
東大院理
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常行 真司
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
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岩崎 誉志紀
太陽誘電:東大院理
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鈴木 利昌
太陽誘電
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常行 真司
東大院理:物性研
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合田 義弘
東大院理
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常行 真司
東大物性研
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吉澤 香奈子
東大物性研
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常行 真司
東大物性研:東大院理
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水野 洋一
太陽誘電
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吉本 芳秀
東大物性研
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岩崎 誉志紀
太陽誘電(株)R & Dセンター 材料開発部
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岩崎 誉志紀
太陽誘電(株)r&dセンター 材料1グループ
著作論文
- 22pHS-1 ペロブスカイト酸化物中にドープされた3d遷移金属の第一原理計算(22pHS 誘電体・フォノン(酸化物・第一原理計算),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 28pRB-6 チタン酸バリウム中の酸素欠陥による水素価数変化の第一原理計算(28pRB 誘電体(シミュレーション・理論),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 20pVC-4 絶縁体電子状態のPseudo SICを施した第一原理計算(20pVC 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 23pTE-4 誘電体点欠陥の電子状態計算におけるPseudo SICの効果(電子系(密度汎関数法),領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 23pTK-10 SrTiO_3におけるMn微量添加元素の第一原理電子状態計算(誘電体,領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- BaTiO_3の還元処理に対する第一原理計算からの考察
- 26aXS-6 ルチルTiO_2の酸素欠陥と不純物水素の第一原理計算(26aXS 格子欠陥・ナノ構造(水素・炭素系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27aKA-10 ルチル型酸化物半導体中の不純物水素の電子状態とその起源(格子欠陥・ナノ構造(炭素系・金属・水素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))