常行 真司 | 東大物性研
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概要
関連著者
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常行 真司
東大物性研
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荻津 格
東大物性研
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荻津 格
東京大学物性研究所
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荻津 格
東大物性研:イリノイ大
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草部 浩一
東大物性研
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草部 浩一
大阪大 大学院基礎工学研究科
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相澤 秀昭
北大創成
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館山 佳尚
東大物性研
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相澤 秀昭
東大物性研
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赤木 和人
東北大WPI
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赤木 和人
東大院理
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赤木 和人
東北大
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常行 真司
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
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Briere Tina
東大物性研
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菊地 章仁
東大物生研
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相澤 秀昭
物材機構
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相澤 秀昭
物質・材料研究機構計算材料科学研究センター
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Briere T.m
東大物性研
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菊地 章仁
東大物性研
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赤木 和人
東大物性研
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吉信 淳
東大物性研
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常行 真司
東大院理
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谷垣 勝己
大阪市立大
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岩崎 誉志紀
太陽誘電
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合田 義弘
東大院理
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常行 真司
東大院理:物性研
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越智 正之
東大院理
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三宅 隆
産総研:js-crest
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吉本 芳英
東大物性研
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北村 光
京大院理
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相澤 秀昭
東大理
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北村 光
東大物性研
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小川 弘純
東大物性研
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三宅 隆
東大物性研
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吉澤 香奈子
東大物性研
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常行 真司
東大物性研:東大院理
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福谷 克之
東大生研
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川合 真紀
理研
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加藤 浩之
理研
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鈴木 直
阪大基礎工
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辛 埴
理研
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松本 益明
東大生研
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岡野 達雄
東大生研
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向井 孝三
東大物性研
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高田 康民
東大物性研
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原田 慈久
理研
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山本 達
東京大学物性研究所
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原田 慈久
東大院工:東大放射光機構:理研:spring-8
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HORIKAWA Yuka
RIKEN/SPring-8
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高田 恭孝
東大新領域:理研:spring8
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門野 良典
理研
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奥山 弘
京大院理
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Prassides K.
サ***大
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山下 良之
東大物性研
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高田 恭孝
SPring-8
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福谷 克之
東大生産研
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山本 達
東大物性研
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Margadonna S.
Sussex大
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塚田 捷
東大理
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塚田 捷
東北大学原子分子材料科学高等研究機構
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塚田 捷
東京大学理学部
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大谷 実
東大物性研:産総研計算科学
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三宅 晃司
産業技術総合研究所 機械システム研究部門
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Prassides K.
Sussex大
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奥山 弘
理研
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重川 秀実
筑波大学 物理工学系21世紀coe
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諏訪 雄二
東理大理
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草部 浩一
新潟大学自然
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ブリエール ティナ
Kek
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塚田 捷
東京大学理学部物理学科
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重川 秀実
筑波大物理工学系・21世紀 COE
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三宅 隆
融合研
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三宅 隆
CREST
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草部 浩一
新潟大学大学院自然科学研究科
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三宅 晃司
筑波大物理工
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赤木 和人
SPring-8
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大谷 実
東大物性研
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荻津 格
イリノイ大学
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プラシデス コスマス
サ***大
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Tsukada Mineharu
Fujitsu Laboratories Inorganic Materials & Polymers Laboratory
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重川 秀実
筑波大物理工学系
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家永 憲人
東大物性研
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川合 真紀
理研:東大新領域
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鈴木 直
大阪大学 基礎工学部
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Prassides K.
Sussex University
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三牧 旬
阪大理
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梅澤 直人
東大物性研:東大院理
著作論文
- 28p-S-3 BCNヘテロダイヤモンド超格子の電子状態
- 27p-YL-4 Pt表面へのCO吸着の理論
- 1p-YF-4 金属表面上COの吸着機構に関する第一原理的研究
- 7a-PS-22 Si(100)表面エッチングにおける吸着子の役割
- 31a-T-8 ハロゲン吸着Si(100)のエッチングに関する第一原理計算
- 光刺激脱離のレーザー波長および強度依存性に関する理論的考察
- 1a-YA-6 非断熱カップリングによる光刺激脱離機構
- 29p-PSB-25 金属表面吸着分子の光刺激脱離機構に関する理論的考察
- 31p-J-11 CO, NO/Pt(111)の光刺激脱離に関する第一原理電子状態計算
- 27pY-5 NO/Pt(111)表面構造の理論
- 25a-T-2 First Principles Study of Pseudo-Al in Silicon
- 8a-S-9 First Principles Investigation of the Negative Muon in Silicon
- 22pZK-9 高圧固体水素の配向秩序相における陽子の量子効果の第一原理的研究
- 27a-M-1 第一原理経路積分分子動力学法による高圧固体水素のシミュレーション
- 26a-YK-5 Li-GICの超高圧圧縮シミュレーション
- 第一原理計算による層状CaSi_2の圧力誘起相転移の探索
- GICの圧縮によるLi内包ダイヤモンド合成の可能性
- BC_2Nヘテロダイヤモンドの高圧合成と物性に関する圧力一定の第一原理分子動力学計算
- 29p-X-18 Caシリサイドの構造相転移の第一原理分子動力学計算
- 29a-X-12 第一原理分子動力学法を用いたグラファイト-ダイヤモンド構造変化の転移経路の探索
- 31a-J-5 原子の表面拡散における逆同位体効果
- 27p-M-13 アルカリドープフラーレン結晶の価電状態と重合構造の第一原理的研究
- 24aPS-24 Pt(111)表面上のNO分子吸着構造の研究
- 15pXE-1 軟 X 線発光分光法による SiO_2/Si 界面電子状態のサイト選択的観測(表面界面電子物性, 領域 9)
- 26pF-4 第一原理計算によるC_ポリマーの電子状態
- 27pE-5 フラーレン結晶系に対する衝撃圧縮のシミュレーション
- 王子国際セミナー「Quest for New Physical Phases under Extreme Conditions」
- 6a-B-2 遷移金属ダイカルコゲナイド系(MX_2)の電子構造とCDW
- 17aWD-6 Cu(100)-c(2×2)N表面におけるN原子間有効相互作用
- 28aTE-6 トランスコリレイティッド法による固体の第一原理計算 : 擬分散最小化に基づくジャストロウ因子の最適化(28aTE 電子系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 3a-M-8 シリコン結晶中の水素の量子状態とダイナミクス
- 31a-YM-5 グラファイトの圧力誘起構造相転移の第一原理分子動力学計算
- 19pPSB-43 「1,4-シクロヘキサジエン/Si(001)面」系を利用した2次元反応場におけるハロゲン分子付加反応の第一原理計算からの予測
- 22aWB-1 Si(001)上の不飽和環式炭化水素吸着を用いた表面デザインの可能性
- 24pY-8 Si(001)表面における環式炭化水素吸着の第一原理計算
- 24pPSA-21 Si(001)面3,4原子層目に点欠陥がある時のSTM像の計算
- 29a-YR-4 変分モンテカルロ法による水素結合の同位体効果の研究
- 21pGT-6 トランスコリレイティッド法による固体の第一原理計算 : ジャストロウ因子の最適化の新手法とその効果(21pGT 電子系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 20pWF-15 第一原理分子動力学法による高圧下での水素化ホウ素の挙動
- 25aTF-4 高圧下におけるバナジウムの格子振動及び電子格子相互作用の第一原理計算
- タイトル無し
- 26aXS-6 ルチルTiO_2の酸素欠陥と不純物水素の第一原理計算(26aXS 格子欠陥・ナノ構造(水素・炭素系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27aKA-10 ルチル型酸化物半導体中の不純物水素の電子状態とその起源(格子欠陥・ナノ構造(炭素系・金属・水素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 25aXY-3 Transcorrelated method による電子状態計算(25aXY 電子系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理分野))
- 24pXM-1 超高圧下の水素分子(24pXM 領域7シンポジウム主題:高圧環境がもたらす単純分子性固体の新展開,領域7(分子性固体・有機導体分野))
- 2p-Y-11 トンネリングにおける量子摩擦と弱い同位体効果(2pY 統計力学・物性基礎論(散逸系の動力学(規則的な運動,パターン形成)Complex Materialの動力学,レオロジー),統計力学・物性基礎論)