29p-PSB-25 金属表面吸着分子の光刺激脱離機構に関する理論的考察

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1995-09-12

著者

• 相澤 秀昭

  北大創成

• 常行 真司

  東大物性研

• 相澤 秀昭

  東大物性研

関連論文

• 28p-S-3 BCNヘテロダイヤモンド超格子の電子状態
• 21pXL-9 遷移金属ステップ表面上におけるNO解離反応の第一原理的研究(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21pXF-10 Rh(331)ステップ表面でのNO分子の解離過程に関する第一原理的研究(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-140 遷移金属ステップ表面におけるNO分子の吸着構造の理論的研究(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 第一原理計算による触媒の物性予測 (
• 30pYQ-2 Si(111)-√×√-Ag非対称構造表面の非接触AFM像の第一原理シミュレーション
• 27pYQ-4 Si(111)√×√-Ag再構成表面の相転移とデバイワラー因子
• 27pYQ-2 Si(111)-√×√-Ag表面の構造相転移に関する第一原理的研究
• 24pPSA-18 Si(111)-√×√表面構造の対称性の破れに関するポテンシャル面
• 24pPSA-5 Si(111)√×√表面のDebye-Waller因子
• 24pW-14 Si(111)√3×√3-Ag表面の非接触AFM像の第一原理計算
• 28p-YR-3 Ag/Si(111)-√x√-Ag表面の構造と電子状態
• 27p-YL-4 Pt表面へのCO吸着の理論
• 1p-YF-4 金属表面上COの吸着機構に関する第一原理的研究
• 光刺激脱離過程に対する理論的アプローチ
• 7a-PS-22 Si(100)表面エッチングにおける吸着子の役割
• 31a-T-8 ハロゲン吸着Si(100)のエッチングに関する第一原理計算
• 光刺激脱離のレーザー波長および強度依存性に関する理論的考察
• 1a-YA-6 非断熱カップリングによる光刺激脱離機構
• 29p-PSB-25 金属表面吸着分子の光刺激脱離機構に関する理論的考察
• 31p-J-11 CO, NO/Pt(111)の光刺激脱離に関する第一原理電子状態計算
• 27pY-5 NO/Pt(111)表面構造の理論
• 25a-T-2 First Principles Study of Pseudo-Al in Silicon
• 8a-S-9 First Principles Investigation of the Negative Muon in Silicon
• 22pZK-9 高圧固体水素の配向秩序相における陽子の量子効果の第一原理的研究
• 27a-M-1 第一原理経路積分分子動力学法による高圧固体水素のシミュレーション
• 26a-YK-5 Li-GICの超高圧圧縮シミュレーション
• 第一原理計算による層状CaSi_2の圧力誘起相転移の探索
• GICの圧縮によるLi内包ダイヤモンド合成の可能性
• BC_2Nヘテロダイヤモンドの高圧合成と物性に関する圧力一定の第一原理分子動力学計算
• 29p-X-18 Caシリサイドの構造相転移の第一原理分子動力学計算
• 29a-X-12 第一原理分子動力学法を用いたグラファイト-ダイヤモンド構造変化の転移経路の探索
• 31a-J-5 原子の表面拡散における逆同位体効果
• 27p-M-13 アルカリドープフラーレン結晶の価電状態と重合構造の第一原理的研究
• 24aPS-24 Pt(111)表面上のNO分子吸着構造の研究
• 15pXE-1 軟 X 線発光分光法による SiO_2/Si 界面電子状態のサイト選択的観測(表面界面電子物性, 領域 9)
• 26pF-4 第一原理計算によるC_ポリマーの電子状態
• 27pE-5 フラーレン結晶系に対する衝撃圧縮のシミュレーション
• 王子国際セミナー「Quest for New Physical Phases under Extreme Conditions」
• 6a-B-2 遷移金属ダイカルコゲナイド系(MX_2)の電子構造とCDW
• 17aWD-6 Cu(100)-c(2×2)N表面におけるN原子間有効相互作用
• 28aTE-6 トランスコリレイティッド法による固体の第一原理計算 : 擬分散最小化に基づくジャストロウ因子の最適化(28aTE 電子系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 3a-M-8 シリコン結晶中の水素の量子状態とダイナミクス
• 31a-YM-5 グラファイトの圧力誘起構造相転移の第一原理分子動力学計算
• 19pPSB-43 「1,4-シクロヘキサジエン/Si(001)面」系を利用した2次元反応場におけるハロゲン分子付加反応の第一原理計算からの予測
• 22aWB-1 Si(001)上の不飽和環式炭化水素吸着を用いた表面デザインの可能性
• 24pY-8 Si(001)表面における環式炭化水素吸着の第一原理計算
• 24pPSA-21 Si(001)面3,4原子層目に点欠陥がある時のSTM像の計算
• 29a-YR-4 変分モンテカルロ法による水素結合の同位体効果の研究
• 21pGT-6 トランスコリレイティッド法による固体の第一原理計算 : ジャストロウ因子の最適化の新手法とその効果(21pGT 電子系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 20pWF-15 第一原理分子動力学法による高圧下での水素化ホウ素の挙動
• 25aTF-4 高圧下におけるバナジウムの格子振動及び電子格子相互作用の第一原理計算
• タイトル無し
• 26aXS-6 ルチルTiO_2の酸素欠陥と不純物水素の第一原理計算(26aXS 格子欠陥・ナノ構造(水素・炭素系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27aKA-10 ルチル型酸化物半導体中の不純物水素の電子状態とその起源(格子欠陥・ナノ構造(炭素系・金属・水素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 25aXY-3 Transcorrelated method による電子状態計算(25aXY 電子系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理分野))
• 24pXM-1 超高圧下の水素分子(24pXM 領域7シンポジウム主題:高圧環境がもたらす単純分子性固体の新展開,領域7(分子性固体・有機導体分野))
• 2p-Y-11 トンネリングにおける量子摩擦と弱い同位体効果(2pY 統計力学・物性基礎論(散逸系の動力学(規則的な運動,パターン形成)Complex Materialの動力学,レオロジー),統計力学・物性基礎論)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク