相澤 秀昭 | 北大創成
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概要
関連著者
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相澤 秀昭
北大創成
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相澤 秀昭
物材機構
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相澤 秀昭
物質・材料研究機構計算材料科学研究センター
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常行 真司
東大物性研
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相澤 秀昭
東大物性研
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塚田 捷
東北大学原子分子材料科学高等研究機構
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塚田 捷
東京大学理学部物理学科
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塚田 捷
東大理
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寺倉 清之
北陸先端大融合院
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塚田 捷
東京大学理学部
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相澤 秀昭
金材技研
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Tsukada Mineharu
Fujitsu Laboratories Inorganic Materials & Polymers Laboratory
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佐々木 成朗
成蹊大学理工学部物質生命理工学科
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垣谷 公徳
岡理大工
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吉森 昭夫
岡理大総情
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相澤 秀昭
東大理
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吉森 昭夫
岡理大総合情報
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寺倉 清之
北大創成科学
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荻津 格
東大物性研
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荻津 格
東京大学物性研究所
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荻津 格
東大物性研:イリノイ大
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寺倉 清之
北陸先端大
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渡邉 聡
東大院工
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佐々木 成朗
東大院工
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相澤 秀昭
金材研
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塚田 捷
東大院理
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佐々木 成朗
東大工
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佐々木 成朗
東大理
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相澤 秀昭
東京大学物性研究所
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常行 真司
東京大学物性研究所
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垣谷 公徳
岡山理科大学工学部
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吉森 昭夫
岡山理科大学 工学部
著作論文
- 21pXL-9 遷移金属ステップ表面上におけるNO解離反応の第一原理的研究(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pXF-10 Rh(331)ステップ表面でのNO分子の解離過程に関する第一原理的研究(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-140 遷移金属ステップ表面におけるNO分子の吸着構造の理論的研究(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 第一原理計算による触媒の物性予測 (
- 30pYQ-2 Si(111)-√×√-Ag非対称構造表面の非接触AFM像の第一原理シミュレーション
- 27pYQ-4 Si(111)√×√-Ag再構成表面の相転移とデバイワラー因子
- 27pYQ-2 Si(111)-√×√-Ag表面の構造相転移に関する第一原理的研究
- 24pPSA-18 Si(111)-√×√表面構造の対称性の破れに関するポテンシャル面
- 24pPSA-5 Si(111)√×√表面のDebye-Waller因子
- 24pW-14 Si(111)√3×√3-Ag表面の非接触AFM像の第一原理計算
- 28p-YR-3 Ag/Si(111)-√x√-Ag表面の構造と電子状態
- 27p-YL-4 Pt表面へのCO吸着の理論
- 1p-YF-4 金属表面上COの吸着機構に関する第一原理的研究
- 光刺激脱離過程に対する理論的アプローチ
- 7a-PS-22 Si(100)表面エッチングにおける吸着子の役割
- 31a-T-8 ハロゲン吸着Si(100)のエッチングに関する第一原理計算
- 光刺激脱離のレーザー波長および強度依存性に関する理論的考察
- 1a-YA-6 非断熱カップリングによる光刺激脱離機構
- 29p-PSB-25 金属表面吸着分子の光刺激脱離機構に関する理論的考察
- 31p-J-11 CO, NO/Pt(111)の光刺激脱離に関する第一原理電子状態計算