寺倉 清之 | 北陸先端大融合院
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概要
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尾崎 泰助
北陸先端大
著作論文
- 21aGT-3 単一成分分子性導体Cu(tmdt)_2の有効モデルとp-d混成(21aGT 単一分子金属・金属錯体・Dirac電子系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aGT-2 新単一分子性導体Cu(tmdt)_2の第一原理電子状態計算(21aGT 単一分子金属・金属錯体・Dirac電子系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 25aYG-4 LaAlO_3/SrTiO_3超格子における局所電子分極率の第一原理計算(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26aQL-8 次世代スパコンプロジェクトに期すること(第一原理電子状態計算のフロンティアと次世代計算機への期待,領域11,領域4,領域8,領域9,領域12合同シンポジウム,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26aRK-3 電子をドープしたCaMnO_3の磁気秩序における格子歪みの効果(マンガン酸化物,領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 26aQL-8 次世代スパコンプロジェクトに期すること(領域11,領域4,領域8,領域9,領域12合同シンポジウム:第一原理電子状態計算のフロンティアと次世代計算機への期待,領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 26aQL-8 次世代スパコンプロジェクトに期すること(領域11,領域4,領域8,領域9,領域12合同シンポジウム:第一原理電子状態計算のフロンティアと次世代計算機への期待,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 28pTA-14 FeAsモデル物質における構造と電子状態の相関(28pTA 鉄砒素超伝導体4(NMR),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 22pWA-4 LaAlO_3/SrTiO_3積層薄膜におけるpolar discontinuityのスクリーニング機構の第一原理計算による解析(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 23pXA-7 金属/TiO_2界面の構造とその特性の第一原理計算(23pXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pYA-4 LaFeAsO母物質とフッ素ドープ,酸素欠損の第一原理電子状態計算(21pYA 領域8シンポジウム:鉄化合物新超伝導体の物理,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25pTD-8 第一原理計算によるLaAlO_3/SrTiO_3積層構造の電子状態の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 新超伝導体の母物質LaFeAsOの結晶構造と磁気秩序の理論的予測
- 単一分子性伝導体の構造と電子状態 (生物物質科学--金属を含む分子系を中心に 特集号) -- (pπ-d系分子化合物)
- 23pRB-4 Au(tmdt)2の電子構造と反強磁性状態(中性イオン・π-d系・磁気抵抗効果,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21pXL-9 遷移金属ステップ表面上におけるNO解離反応の第一原理的研究(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 23pXK-5 V_n(C_6H_6)_クラスターの磁気特性に関する理論的研究(微粒子・クラスタ,水素ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 18pXB-2 界面を含む系での応力・誘電率の微視的分布および電歪の第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(電子状態・金属・炭素系物質),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 24aPS-55 マルチフェロイクスの第一原理計算 : 電気分極とノンコリニア磁性(24aPS 領域8ポスターセッション(低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 29pTE-8 分子性固体の第一原理電子状態計算における有効クーロン相互作用Uの導入効果(29pTE π-d系,領域7(分子性固体・有機導体))
- Si/SiO_2界面の構造と電子状態
- 26pYL-5 Si(100)/SiO_2界面欠陥の電子状態
- 26aPS-8 Sio_2/Si(001)界面の電子構造
- 29a-PS-9 SiO_2/Si(001)界面構造と電子状態(II)
- 27a-PS-11 SiO_2/Si(001)界面構造と電子状態
- 31a-PS-20 SiO_2/Siの界面構造(II)
- 7a-PS-31 SiO_2/Siの界面構造
- 14aTL-9 有機強誘電体 Phz-H2ca の第一原理計算(誘電体, 領域 10)
- 21pWB-5 単一成分分子性導体の第一原理電子状態計算(陽ラジカル塩,単一成分系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pXE-11 Ni(tmdt)_2 のフェルミ面形状の第一原理計算・磁気量子振動実験結果との比較
- 6a-B-10 Si(100)表面の無障壁酸化
- Si(100)面の酸化反応における等温及び断熱遷移過程
- 3a-K-9 スピン分極GGAによるSi(100)面の初期酸化過程の解析II
- 30a-PS-8 スピン分極GGAによるSi(001)面の初期酸化過程の解析
- 21pXF-10 Rh(331)ステップ表面でのNO分子の解離過程に関する第一原理的研究(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-140 遷移金属ステップ表面におけるNO分子の吸着構造の理論的研究(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 第一原理計算による触媒の物性予測 (
- 23aPS-1 乱雑位相近似による固体の全エネルギー計算
- 7a-PS-30 Si(001)表面のSiダイマーの拡散と凝集
- 29a-PS-1 Si(001)表面のSiダイマー拡散
- アトムテクノロジ-研究体におけるVPP500の応用事例 (特集 HPC(High Performance Computing))
- 30a-PS-9 第一原理計算によるSi(001)表面の結晶成長素過程の解析II
- 24pZN-4 AFM像におよぼす探針先端構造効果
- 5a-H-13 Si(001)表面のC-型欠陥の構造安定性 : intrinsicモデルと不純物モデルの比較
- 3a-K-6 水素化シリコンクラスターの安定構造
- 31p-PSB-21 Si(001)表面のC欠陥II
- 29p-PSB-31 シリコンクラスターの構造安定性に対する水素化の効果
- 19pPSA-12 数値局在軌道を用いたオーダー(N)SCF密度汎関数計算
- 27pYD-6 ブロックボンドオーダーポテンシャル法による実空間O(N)電子状態計算
- 28aYB-1 La_2FeCrO_6の電子状態及び超交換相互作用の理論的考察
- 23aTE-9 非直交局在基底による実空間O(N)電子状態計算
- 30p-PSA-26 GW近似に基づいたYH_3のバンド構造
- 29p-E-13 La_2FeCrO_6の電子状態
- 27a-PS-10 Si(100)面における初期酸化進行過程(II)
- 31a-PS-21 Si(100)面における初期酸化進行過程
- 6a-B-11 Si(100)面の酸化反応のactive mode
- 27pTG-18 M(tmdt)_2(M=Ni, Au, Cu)の多軌道モデル化と磁気状態(27pTG モット転移・スピン液体・金属錯体,領域7(分子性固体・有機導体))
- 31p-S-12 第一原理計算によるSi(001)表面の結晶成長素過程の解析
- 31a-S-12 Si(001)表面上の欠陥構造と電子状態
- 30p-YK-9 (反)強誘電体研究における第一原理電子状態計算
- 2p-PSA-2 Si(001)表面マイグレーション : ダイマーバックリングの与える効果
- 28aTK-8 TTF-QBrCl_3の自発分極の第一原理計算(28aTK 中性-イオン性転移,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aTR-13 M(tmdt)_2(M=Au, Cu)における軌道混成と磁気的性質(22aTR π-d系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23pGH-7 RNiO_3(R=Y,Nd,La)の磁気秩序についての第一原理計算による研究(23pGH 銅酸化物理論,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 原子・分子極限操作における理論の役割--ス-パ-コンピュ-タで見るミクロの世界--実験主導型から理論主導型を目指して (アトムテクノロジ---技術開発の新地平を拓く試み)