田中 真悟 | 産総研ユビキタス
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概要
関連著者
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田中 真悟
産総研ユビキタス
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田中 真悟
産業技術総合研究所関西センター・ユビキタスエネルギー研究部門
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田中 真悟
産総研ユビキタスエネルギー
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香山 正憲
産総研ユビキタス
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秋田 知樹
産総研ユビキタス
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秋田 知樹
産総研ユビキタスエネルギー
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香山 正憲
産業技術総合研究所関西センター・ユビキタスエネルギー研究部門
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秋田 知樹
産業技術総合研究所関西センター・ユビキタスエネルギー研究部門
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秋田 知樹
産業技術総合研
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香山 正憲
産総研ユビキタスエネルギー
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堀 史説
大阪府立大
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田口 昇
大阪府大工院
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秋田 知樹
産業技術総合研究所 ユゼキタスエネルギー研究部門
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石橋 章司
産業技術総合研究所計算科学研究部門
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堀 史説
大阪府大工院
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堀 史説
大阪府大工
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石橋 章司
CREST:産総研
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岡崎 一行
産業技術総合研究所
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田村 友幸
産総研計算科学
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岡崎 一行
阪大工
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堀 史説
大学院工学研究科
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岩瀬 彰宏
大阪府立大
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石橋 章司
産総研計算科学
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森川 良忠
阪大院工
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秋田 知樹
(独)産業技術総合研究所 ユビキタスエネルギー研究部門
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森川 良忠
大阪大学大学院工学研究科
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椎原 良典
東大生産研
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岩瀬 彰宏
大阪府大工
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前田 泰
産総研ユビキタス
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前田 泰
産総研関西
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田村 友幸
名工大創成シミュ
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岩瀬 彰宏
大阪府大院工
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香山 正憲
産総研
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堀 史説
阪府大工
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森州 良忠
阪大産研
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石橋 章司
産総研
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岡崎 一行
JST-CREST
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香山 正憲
JST-CREST
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石橋 章司
産総研ナノシステム
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椎原 良典
産総研計算科学:東大生研
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田中 真悟
産総研
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橘田 晃宣
産総研ユビキタスエネルギー
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森川 良忠
阪大産研
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竹田 精治
大阪大学大学院理学研究科
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岩井 岳夫
東大院工
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竹田 精治
阪大院理
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岩瀬 彰宏
阪府大工
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寺倉 清之
北陸先端大融合院
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寺倉 清之
北大創成科学
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岩瀬 彰宏
原研物理
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小嶋 崇夫
大阪府大産学官連携機構(放射線研究セ)
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Takeda Shingo
Faculty Of Science Himeji Institute Of Technology
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Takeda Shingo
Graduate School Of Science Himeji Inst. Of Tech.
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長谷 直基
大阪府大工
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田口 昇
阪府大院工
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堀 史説
阪府大院工
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森川 良忠
JST-CREST
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岡本 晃彦
阪府大工
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田口 昇
阪府大工
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竹田 精治
大阪大学・大学院理学研究科
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田村 友幸
産総研・計算科学
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王 如志
産業技術総合研究所ユビキタスエネルギー研究部門
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王 如志
産総研・ユビキタス
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椎原 良典
産総研・計算科学
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昇 史説
大阪府大工院
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Takeda Shigeru
National Laboratory For High Energy Physics
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Takeda Shuzaburo
Department Of Electro-photo-optics School Of Engineering Tokai University
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竹田 精治
大阪大学・産業科学研究所
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斎藤 繁喜
産総研ユビキタス
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Wang Hao
産総研ユビキタス
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Bhattacharya Somesh
産総研ユビキタス
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堀 史説
大阪府大院工
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城戸 義明
立命館大理工
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岡崎 一行
産総研ユビキタス
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広木 大栄
大阪府大工院
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前田 修大
大阪府大工院
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星野 靖
立命館大理工:神奈川大理
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星野 靖
京大工
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小嶋 崇夫
大阪府大放射線研究センタ
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田口 昇
大阪府大院工
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鬼塚 貴志
東大院工
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森川 良恵
JST-CREST
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岡崎 一行
CRESR JST
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城戸 義明
立命館大 理工
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山本 正明
阪府大工
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斎藤 繁喜
産総研・ユビキタス
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岡崎 一行
阪大理
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前田 修大
阪府大工
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永田 光一郎
阪府大工
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松本 一
産総研ユビキタス
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Valencia Hubert
産総研ユビキタス
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Sun Keju
産総研ユビキタス
-
前田 泰
産総研ユビキタスエネルギー
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Sharma Vikas
産総研ユビキタス
-
斎藤 繁喜
産総研
著作論文
- 23aHS-2 電子線エネルギー損失分光スペクトルとそのEdge Threshold Energyの第一原理計算(23aHS 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション,転位,点欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 20aGL-5 fcc-Au上に積層したPdの電子状態の第一原理計算による評価(20aGL 微粒子・クラスター/若手奨励賞,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 18pXB-2 界面を含む系での応力・誘電率の微視的分布および電歪の第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(電子状態・金属・炭素系物質),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 29pTE-8 分子性固体の第一原理電子状態計算における有効クーロン相互作用Uの導入効果(29pTE π-d系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 29pXD-8 超音波照射により作成したAuPdナノ微粒子の構造評価(29pXD 格子欠陥・ナノ構造(転位・面欠陥・微粒子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 28aYH-1 Pt-グラフェン間の相互作用に対する欠陥や添加物の効果(28aYH 領域7,領域9合同 グラフェン構造・表面物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aPS-73 Pt_/グラファイトの原子構造と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aWB-1 第一原理計算による6H-SiC(000-1)2×2表面構造と電子状態(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 24pPSA-44 超音波照射法により作成したコアシェルAu-Pdナノ微粒子の表面・界面構造と電子状態(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 19pXB-12 超音波照射法により作成したコアシェル型Au-Pd超微粒子の構造(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 25aYK-1 超音波照射法により作成したAu-Pdナノ微粒子の構造と電子状態(25aYK 格子欠陥・ナノ構造(微粒子・ナノ構造・炭素物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 29pTE-4 fcc-Au上に積層したPdの電子状態の第一原理計算による評価(29pTE 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pTD-14 第一原理PAW法によるAu@Pdコア・シェル微粒子の原子構造と吸着子の局所的な反応性(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子論),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 21pTD-15 Au-Pd二層スラブ構造における電子状態の第一原理計算による評価(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子論),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 19pXB-13 二層分離型Au-Pd界面構造および電子状態の第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 19pXB-14 第一原理PAW法によるAu-Pdコア・シェル微粒子の原子・電子構造(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 20aPS-29 超音波照射法により作成したAu-Pdナノ微粒子表面近傍の電子状態の陽電子消測定(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 23aTD-10 グラフェン上に吸着したPtクラスターの原子構造(表面ナノ構造量子物性,微粒子クラスタ,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 23pXK-6 Ptクラスターへの水素吸着特性の担持効果(微粒子・クラスタ,水素ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aTG-11 グラフェン上のPtクラスターの原子・電子構造(ナノチューブ・ナノワイヤー,表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 23pWZ-9 γ線照射還元により生成したAu-Pd二元系ナノ微粒子の構造評価(23pWZ 格子欠陥・ナノ構造(金属,点欠陥,シュミレーション),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 25aWS-10 エチレンを吸着したAu-Pdスラブの第一原理計算による評価(25aWS 表面界面構造(金属・酸化物),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pRB-2 第一原理計算によるAu/CeO_2(111)-3×3界面の構造安定性に関する酸素分圧効果(27pRB 格子欠陥・ナノ構造(転位・表面・界面),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 22pWA-5 第一原理計算によるAu/CeO_2(111)-3×3界面の原子・電子構造(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 29pXD-9 第一原理計算による貴金属ナノ微粒子のコア・シェル界面電子構造(29pXD 格子欠陥・ナノ構造(転位・面欠陥・微粒子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 202 第一原理計算法に基づく局所応力計算法の検証(OS15.電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(1),オーガナイズドセッション)
- 201 金属粒界の強度特性の第一原理解析 : Al粒界とCu粒界(OS15.電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(1),オーガナイズドセッション)
- 1011 金属粒界の強度特性の第一原理解析 : 不純物の効果(OS10.電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(3:粒界),オーガナイズドセッション)
- 22pGQ-9 第一原理PAW法によるSi・Diamond・SiC粒界のELNES/XANES計算(22pGQ 格子欠陥・ナノ構造(半導体・誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 26pCL-2 局所エネルギー・局所応力の第一原理計算 : 金属粒界への適用(26pCL 格子欠陥・ナノ構造・フォノン(金属・ナノ粒子・点欠陥・水素材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 25pBB-6 金属/無機ナノヘテロ界面の原子・電子挙動 : 金触媒とLiイオン電池(25pBB 領域10,領域9合同シンポジウム:エネルギー・環境材料の機能と格子欠陥,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 24aAB-2 γ線照射還元反応を用いたAuPd二元系ナノロッドの創成(24aAB 放射線物理(クラスター・微粒子),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 20pAH-9 局所エネルギー・局所応力の第一原理解析 : 金属の粒界・欠陥への適用(20pAH 格子欠陥・ナノ構造(転位・面欠陥・電子論),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 19pAR-11 第一原理計算によるチタン酸リチウム表面の原子・電子構造(19pAR 格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体・表面・界面・微粒子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27pXS-2 局所エネルギー・局所応力の第一原理解析 : 金属粒界や異相界面への適用(27pXS 格子欠陥・ナノ構造(招待・理論・電子論・金属),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27aXS-11 第一原理計算によるチタン酸リチウム吸蔵/脱離二相界面の原子・電子構造(27aXS 格子欠陥・ナノ構造(転位・界面・半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 25aKA-5 第一原理計算によるLi_2TiO_3の原子・電子構造(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 25aKA-6 局所エネルギー・局所応力の第一原理解析 : 鉄粒界への適用(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))