21aPS-73 Pt_<10>/グラファイトの原子構造と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2005-08-19
著者
-
森川 良忠
阪大産研
-
田中 真悟
産総研ユビキタスエネルギー
-
香山 正憲
産総研ユビキタスエネルギー
-
森川 良忠
阪大院工
-
岡崎 一行
阪大工
-
香山 正憲
産総研ユビキタス
-
岡崎 一行
CRESR JST
-
森川 良忠
大阪大学大学院工学研究科
-
田中 真悟
産総研ユビキタス
-
岡崎 一行
産業技術総合研究所
関連論文
- 23aHS-2 電子線エネルギー損失分光スペクトルとそのEdge Threshold Energyの第一原理計算(23aHS 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション,転位,点欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 21aHT-6 ナノ構造化グラファイトに結合した水素の第一原理分子動力学シミュレーション(21aHT 格子欠陥・ナノ構造(炭素系物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 23aGP-5 第一原理計算による金表面での酸素原子吸着構造(23aGP 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aGL-5 fcc-Au上に積層したPdの電子状態の第一原理計算による評価(20aGL 微粒子・クラスター/若手奨励賞,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pPSA-15 Cu(110)表面における水少数クラスターの実空間観測(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pYG-1 C_-Pt(111)系の局所電子状態 : 金属波動関数の漸近特性(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pTE-3 分子-金属界面における局所電子状態 : C_6H_5SH,C_6H_5SeH/Pt(111)(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pPSA-84 Pt(111)-アルカンチオール系における吸着誘起準位(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 29pTE-7 第一原理熱力学計算によるインテリジェント触媒の表面構造の解明(29pTE 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 18pXB-2 界面を含む系での応力・誘電率の微視的分布および電歪の第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(電子状態・金属・炭素系物質),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 29pTE-8 分子性固体の第一原理電子状態計算における有効クーロン相互作用Uの導入効果(29pTE π-d系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 29pXD-8 超音波照射により作成したAuPdナノ微粒子の構造評価(29pXD 格子欠陥・ナノ構造(転位・面欠陥・微粒子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- Ge/Si(105)表面の原子間力顕微鏡観察
- 28pWP-2 Ge/Si(105)-2×1表面の高分解能AFM観察(表面界面構造(半導体))(領域9)
- 27aYG-2 電子励起原子移動によるダイマーフラーレン合成の第一原理的研究(27aYG フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28aYH-1 Pt-グラフェン間の相互作用に対する欠陥や添加物の効果(28aYH 領域7,領域9合同 グラフェン構造・表面物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aPS-73 Pt_/グラファイトの原子構造と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aWB-1 第一原理計算による6H-SiC(000-1)2×2表面構造と電子状態(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 24pPSA-44 超音波照射法により作成したコアシェルAu-Pdナノ微粒子の表面・界面構造と電子状態(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 19pXB-12 超音波照射法により作成したコアシェル型Au-Pd超微粒子の構造(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 25aYK-1 超音波照射法により作成したAu-Pdナノ微粒子の構造と電子状態(25aYK 格子欠陥・ナノ構造(微粒子・ナノ構造・炭素物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 25aYH-12 金属表面におけるプロトン移動の実空間観測(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27aRD-7 単分子水和反応の制御と可視化(27aRD 表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pPSB-13 Cu(110)におけるアセチレンの環化反応(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aXB-3 単分子異性化反応のトンネルダイナミクス(21aXB 表面界面ダイナミクス,表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pPSB-9 第一原理計算によるSi(111) 2x2表面でのN原子及びO原子吸着(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 29pTE-4 fcc-Au上に積層したPdの電子状態の第一原理計算による評価(29pTE 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pTD-14 第一原理PAW法によるAu@Pdコア・シェル微粒子の原子構造と吸着子の局所的な反応性(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子論),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 21pTD-15 Au-Pd二層スラブ構造における電子状態の第一原理計算による評価(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子論),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 19pXB-13 二層分離型Au-Pd界面構造および電子状態の第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 19pXB-14 第一原理PAW法によるAu-Pdコア・シェル微粒子の原子・電子構造(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 20aPS-29 超音波照射法により作成したAu-Pdナノ微粒子表面近傍の電子状態の陽電子消測定(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26pXC-6 Ge/Si(105)の第一原理計算(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 31aWD-9 Ge/Si(105)1×2 のリボンデッド S_B ステップ・モデル
- 触媒反応の第一原理シミュレーション:動的過程の解明に向けて
- 24aPS-44 第一原理電子状態計算によるメタノール合成反応の研究(III)
- 24aPS-6 Phase Transitions and Electronic Structures on Si(100)
- 24aW-9 第一原理分子動力学法によるメタノール合成反応の研究(II)
- 31p-S-9 第一原理計算によるZn蒸着Cu表面上でのCO_2とH_2からのメタノール合成反応の研究
- 31p-W-9 電子構造計算によるLaMnO_3のJahn-Teller歪みと磁気秩序
- 29a-WB-10 Ultrasoft pseudopotentialによるO/K/Si(001)表面系の研究
- 29a-YR-3 第一原理計算による水素結合の量子効果の研究
- 第一原理分子動力学法 : カー・パリネロ法 (「第一原理による電子物性」)
- 29p-PSB-8 SI(001)上のAl、Gaの吸着IV
- 27a-Y-9 Si(001)上へのAl、Gaの吸着 III
- 27a-Y-8 Si(001)表面の低被覆率でのアルカリ金属吸着構造と電子状態
- 28pYH-1 Pt/グラフェンへののCO吸着(微粒子・クラスター,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27pYH-3 第一原理計算によるペンタセン/貴金属界面に関する理論的研究(有機分子・半導体・その他,領域9,領域7合同,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26aYG-1 Si(111)-(7×7)の表面電子構造 : 再訪(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pZK-5 界面電気二重層の起源と理論予測(分光学的手法による有機薄膜研究の最先端,領域9,領域5,領域7合同シンポジウム,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25aYG-2 Alq_3/金属界面における分子-基板間及び分子間相互作用の精密計算(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25aYG-1 金属上への水吸着に対するファン・デル・ワールス力の影響(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 29pRD-6 第一原理計算によるベンゼン/貴金属界面の界面双極子に関する理論的研究(29pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29pRD-4 Rh(111)表面に水素と共吸着した水の第一原理的研究(29pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aXA-6 第一原理電子状態計算による分子スイッチ機構の研究(23aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aXB-2 第一原理熱力学計算によるインテリジェント触媒の自己再生機構の解明(22aXB 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aRB-9 第一原理電子状態理論による宥機分子/金属における界面電気二重層の研究(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21aXJ-1 白金表面における水素の第一原理的研究 : 被覆率、電場および溶媒効果(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 23aRJ-6 水ダイマーにおける水素結合交換の観測(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 23aTD-10 グラフェン上に吸着したPtクラスターの原子構造(表面ナノ構造量子物性,微粒子クラスタ,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 23pXK-6 Ptクラスターへの水素吸着特性の担持効果(微粒子・クラスタ,水素ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aTG-11 グラフェン上のPtクラスターの原子・電子構造(ナノチューブ・ナノワイヤー,表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24aPS-136 貴金属/無機ヘテロ界面の電子状態(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 15pXE-5 TiO_2(110) 表面上に吸着した貴金属の電子状態(表面界面電子物性, 領域 9)
- 23pWZ-9 γ線照射還元により生成したAu-Pd二元系ナノ微粒子の構造評価(23pWZ 格子欠陥・ナノ構造(金属,点欠陥,シュミレーション),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 24aPS-108 一次元水素結合系における多重プロトン移動の実空間観測(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aWS-10 エチレンを吸着したAu-Pdスラブの第一原理計算による評価(25aWS 表面界面構造(金属・酸化物),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pRB-2 第一原理計算によるAu/CeO_2(111)-3×3界面の構造安定性に関する酸素分圧効果(27pRB 格子欠陥・ナノ構造(転位・表面・界面),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 22pWA-5 第一原理計算によるAu/CeO_2(111)-3×3界面の原子・電子構造(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 20aPS-22 Electronic Structures of Cyclic and Acyclic Molecules On Metal by First-principles Calculations
- 24aYC-3 Ab Initio Study of Organic/Metal Interfaces: n-Alkane Molecules on Aluminum
- 29pXD-9 第一原理計算による貴金属ナノ微粒子のコア・シェル界面電子構造(29pXD 格子欠陥・ナノ構造(転位・面欠陥・微粒子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 28a-ZS-1 Si(001)清浄表面再構成のシミュレーション
- 28a-E-7 Si(100)清浄表面の安定構造
- 21pWH-7 水/白金界面における電気化学反応の第一原理シミュレーション(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 23pYH-2 Pt(111)表面上での電極反応の第一原理シミュレーション(23pYH 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27a-Y-7 Electronic and Atomic Structures of the (3×1) Reconstructed Surface of Na/Si(111)
- 28a-ZS-3 Si(100)上へのAl、Gaの吸着II
- 28a-ZS-2 第一原理分子動力学法による、Li/Si(001)表面の研究
- 21pWH-1 第一原理計算によるAl/Alq_3界面の構造と電子状態の解明(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24pYC-4 電極表面上の単一分子電子状態の第一原理計算(24pYC 領域9,領域7合同シンポジウム:単一分子伝導研究の現状と課題,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29pYB-5 Alq_3/Al界面の構造と電子状態に関する理論的研究(29pYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aYL-14 Alq_3/Al界面の構造と電子状態(導電性高分子, 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 30a-ZD-11 Si(100)上へのAl,Gaの吸着
- 28a-E-9 Na,K/Si(001)系の吸着エネルギー被覆率依存性
- 28a-E-8 Na、K/Si(001)系の低被覆率での吸着位置と電子状態
- 25a-R-9 第一原理分子動力学法によるSi(001)表面アルカリ吸着系の構造最適化IV
- 25a-R-8 第一原理分子動力学法によるSi(001)表面アルカリ吸着系の構造最適化III
- 25pYH-1 金表面上チオール系分子の吸着に関する第一原理シミュレーション(25pYH 表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 領域9,3「反転対称性の破れた表面におけるスピンと軌道」(第63回年次大会シンポジウムの報告)
- 15pXE-7 n-アルカンと金属表面との相互作用(表面界面電子物性, 領域 9)
- 25pYK-4 ルチル型TiO_2(110)面に吸着した水素に関する第一原理計算(25pYK 領域10,領域9合同 格子欠陥・ナノ構造(水素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 1002 金/酸化チタン界面の結合性と触媒特性の第一原理計算(OS10. 電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(1),オーガナイズドセッション講演)
- 202 第一原理計算法に基づく局所応力計算法の検証(OS15.電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(1),オーガナイズドセッション)
- 201 金属粒界の強度特性の第一原理解析 : Al粒界とCu粒界(OS15.電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(1),オーガナイズドセッション)
- 1011 金属粒界の強度特性の第一原理解析 : 不純物の効果(OS10.電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(3:粒界),オーガナイズドセッション)
- 22pGQ-9 第一原理PAW法によるSi・Diamond・SiC粒界のELNES/XANES計算(22pGQ 格子欠陥・ナノ構造(半導体・誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 25pBB-6 金属/無機ナノヘテロ界面の原子・電子挙動 : 金触媒とLiイオン電池(25pBB 領域10,領域9合同シンポジウム:エネルギー・環境材料の機能と格子欠陥,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 25aWB-7 有機-金属界面の第一原理量子シミュレーション(表面・界面電子物性(理論・シミュレーション),領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 25aKA-5 第一原理計算によるLi_2TiO_3の原子・電子構造(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))