27a-Y-7 Electronic and Atomic Structures of the (3×1) Reconstructed Surface of Na/Si(111)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1992-09-14

著者

• 森川 良忠

  阪大産研

• 寺倉 清之

  産総研:北陸先端大

• 寺倉 清之

  東大物性研

• 森川 良忠

  東大物性研

• Knab D

  東大物性研

• 坂本 好史

  東大物性研

関連論文

• 21pPSA-15 Cu(110)表面における水少数クラスターの実空間観測(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pYG-1 C_-Pt(111)系の局所電子状態 : 金属波動関数の漸近特性(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pTE-3 分子-金属界面における局所電子状態 : C_6H_5SH,C_6H_5SeH/Pt(111)(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pPSA-84 Pt(111)-アルカンチオール系における吸着誘起準位(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25aYG-9 鉄フタロシアニンベースカーボンアロイ触媒における残存金属の電子構造(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 29pTE-7 第一原理熱力学計算によるインテリジェント触媒の表面構造の解明(29pTE 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 鉄フタロシアニン由来カーボソアロイ触媒の炭素構造の熱処理温度依存性 : 軟X線吸収分光解析
• catalyst 燃料電池用カーボン系触媒の最新技術動向と展望
• 26pPSB-14 カーボンアロイ触媒の活性点の構造とその安定性(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• Ge/Si(105)表面の原子間力顕微鏡観察
• 28pWP-2 Ge/Si(105)-2×1表面の高分解能AFM観察(表面界面構造(半導体))(領域9)
• 27aYG-2 電子励起原子移動によるダイマーフラーレン合成の第一原理的研究(27aYG フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27a-ZM-2 局所スピン密度汎関数近似における自己相互作用補正
• 28aYH-1 Pt-グラフェン間の相互作用に対する欠陥や添加物の効果(28aYH 領域7,領域9合同 グラフェン構造・表面物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aPS-73 Pt_/グラファイトの原子構造と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 12a-S-16 α, β Mnの電子状態-I
• 28a-ZH-7 III-V族化合物半導体超格子の光学遷移
• 2p-D-10 Si-Ge超格子の光学遷移強度
• 30a-Z-1 Si-Ge超格子の電子構造計算 : 界面での混晶化の効果
• 29p-F-1 平衡状態図の理論I. 貴金属系合金に対する電子論
• 25aYH-12 金属表面におけるプロトン移動の実空間観測(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 27aRD-7 単分子水和反応の制御と可視化(27aRD 表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pPSB-13 Cu(110)におけるアセチレンの環化反応(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aXB-3 単分子異性化反応のトンネルダイナミクス(21aXB 表面界面ダイナミクス,表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pWL-7 第一原理計算による(BEDT-TTF)_2I_3の結晶構造予測(ET塩(α・β・θ型))(領域7)
• 28aZA-3 第一原理計算による分子性固体の構造最適化
• 26pPSB-9 第一原理計算によるSi(111) 2x2表面でのN原子及びO原子吸着(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 30a-Q-3 人工超格子磁性体の電子構造
• 3a-BC-4 層状人工格子の磁気モーメント分布の計算
• 1a-G-9 遷移金属の弾性定数の計算
• 1a-B-9 層状遷移金属合金の磁気モーメント分布の計算
• 用語解説(表面物性)
• 2p-NK-12 遷移金属中における不純物原子間の相互作用
• 30p-J-4 遷移金属表面の吸着子の電子状態
• 2p-E-2 3d遷移金属中の水素及び炭素不純物の電子構造
• 30p-E-2 第一原理分子動力学法によるシリカの圧力依存性II
• 26pPSB-15 第一原理分子動力学によるカーボンアロイ触媒の酸素還元反応過程の解析(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pPSA-22 第一原理分子動力学によるカーボンアロイ触媒の反応サイト探索(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 第一原理分子動力学法による水の物理・化学的性質のシミュレーション : 超臨界水と高圧下メタンハイドレート
• 19pXG-12 アルカリ金属イオンの水和(溶液・液体,領域12(ソフトマター物理,化学物理,生物物理))
• 26aYE-11 正方晶BaTiO_3誘電率異方性の第一原理的研究(誘電体(BaTiO_3関連),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 20pXA-4 正方晶BaTiO_3誘電率異方性の第一原理的研究(誘電体(BaTiO_3系・SrTiO_3系),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 26pXC-6 Ge/Si(105)の第一原理計算(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 31aWD-9 Ge/Si(105)1×2 のリボンデッド S_B ステップ・モデル
• 触媒反応の第一原理シミュレーション:動的過程の解明に向けて
• 24aPS-44 第一原理電子状態計算によるメタノール合成反応の研究(III)
• 24aPS-6 Phase Transitions and Electronic Structures on Si(100)
• 24aW-9 第一原理分子動力学法によるメタノール合成反応の研究(II)
• 31p-S-9 第一原理計算によるZn蒸着Cu表面上でのCO_2とH_2からのメタノール合成反応の研究
• 31p-W-9 電子構造計算によるLaMnO_3のJahn-Teller歪みと磁気秩序
• 29a-WB-10 Ultrasoft pseudopotentialによるO/K/Si(001)表面系の研究
• 29a-YR-3 第一原理計算による水素結合の量子効果の研究
• 第一原理分子動力学法 : カー・パリネロ法 (「第一原理による電子物性」)
• 29p-PSB-8 SI(001)上のAl、Gaの吸着IV
• 27a-Y-9 Si(001)上へのAl、Gaの吸着 III
• 27a-Y-8 Si(001)表面の低被覆率でのアルカリ金属吸着構造と電子状態
• 28pYH-1 Pt/グラフェンへののCO吸着(微粒子・クラスター,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 27pYH-3 第一原理計算によるペンタセン/貴金属界面に関する理論的研究(有機分子・半導体・その他,領域9,領域7合同,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26aYG-1 Si(111)-(7×7)の表面電子構造 : 再訪(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pZK-5 界面電気二重層の起源と理論予測(分光学的手法による有機薄膜研究の最先端,領域9,領域5,領域7合同シンポジウム,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25aYG-2 Alq_3/金属界面における分子-基板間及び分子間相互作用の精密計算(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25aYG-1 金属上への水吸着に対するファン・デル・ワールス力の影響(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 29pRD-6 第一原理計算によるベンゼン/貴金属界面の界面双極子に関する理論的研究(29pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pRD-4 Rh(111)表面に水素と共吸着した水の第一原理的研究(29pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aXA-6 第一原理電子状態計算による分子スイッチ機構の研究(23aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aXB-2 第一原理熱力学計算によるインテリジェント触媒の自己再生機構の解明(22aXB 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aRB-9 第一原理電子状態理論による宥機分子/金属における界面電気二重層の研究(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
• 21aXJ-1 白金表面における水素の第一原理的研究 : 被覆率、電場および溶媒効果(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 23aRJ-6 水ダイマーにおける水素結合交換の観測(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 24aPS-136 貴金属/無機ヘテロ界面の電子状態(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 15pXE-5 TiO_2(110) 表面上に吸着した貴金属の電子状態(表面界面電子物性, 領域 9)
• 24aPS-108 一次元水素結合系における多重プロトン移動の実空間観測(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-52 カーボンアロイ触媒における分光の理論解析(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28a-ZS-1 Si(001)清浄表面再構成のシミュレーション
• 28a-E-7 Si(100)清浄表面の安定構造
• 21pWH-7 水/白金界面における電気化学反応の第一原理シミュレーション(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 23pYH-2 Pt(111)表面上での電極反応の第一原理シミュレーション(23pYH 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27a-Y-7 Electronic and Atomic Structures of the (3×1) Reconstructed Surface of Na/Si(111)
• 28a-ZS-3 Si(100)上へのAl、Gaの吸着II
• 28a-ZS-2 第一原理分子動力学法による、Li/Si(001)表面の研究
• 21pWH-1 第一原理計算によるAl/Alq_3界面の構造と電子状態の解明(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 24pYC-4 電極表面上の単一分子電子状態の第一原理計算(24pYC 領域9,領域7合同シンポジウム:単一分子伝導研究の現状と課題,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pYB-5 Alq_3/Al界面の構造と電子状態に関する理論的研究(29pYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aYL-14 Alq_3/Al界面の構造と電子状態(導電性高分子, 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 30a-ZD-11 Si(100)上へのAl,Gaの吸着
• 28a-E-9 Na,K/Si(001)系の吸着エネルギー被覆率依存性
• 28a-E-8 Na、K/Si(001)系の低被覆率での吸着位置と電子状態
• 25a-R-9 第一原理分子動力学法によるSi(001)表面アルカリ吸着系の構造最適化IV
• 25a-R-8 第一原理分子動力学法によるSi(001)表面アルカリ吸着系の構造最適化III
• 25pYH-1 金表面上チオール系分子の吸着に関する第一原理シミュレーション(25pYH 表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 領域9,3「反転対称性の破れた表面におけるスピンと軌道」(第63回年次大会シンポジウムの報告)
• 15pXE-7 n-アルカンと金属表面との相互作用(表面界面電子物性, 領域 9)
• 25pYK-4 ルチル型TiO_2(110)面に吸着した水素に関する第一原理計算(25pYK 領域10,領域9合同 格子欠陥・ナノ構造(水素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 多分岐高分子を原料とする固体高分子形燃料電池正極用カーボンアロイ触媒の炭素構造形成過程の観測
• 26pTG-4 カーボンアロイ触媒における酸素還元反応機構の理論研究(26pTG 表面界面電子物性(シミュレーション),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26aTA-8 ナノグラフェンのX線吸収スペクトルヘの水素終端の影響(26aTA 領域7,領域9合同 グラフェン(ラマン分光/端状態),領域7(分子性固体・有機導体))
• 25aCC-2 第一原理分子動力学法によるカーボンアロイ触媒における酸素還元反応機構の研究(25aCC 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aWB-7 有機-金属界面の第一原理量子シミュレーション(表面・界面電子物性(理論・シミュレーション),領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 26pPSA-16 グラフェンへの窒素ドープと構造欠陥 : 酸素還元活性点の可能性(26pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aJA-10 第一原理分子動力学法によるカーボンアロイ触媒における酸素還元反応機構の研究 II(表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク