25pZK-5 界面電気二重層の起源と理論予測(分光学的手法による有機薄膜研究の最先端,領域9,領域5,領域7合同シンポジウム,領域9,表面・界面,結晶成長)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2009-08-18

著者

• 柳澤 将

  阪大産研

• 森川 良忠

  阪大産研

• 森川 良忠

  阪大院工

• 森川 良忠

  産業技術総合研究所計算科学研究部門 ナノ機能合成技術プロジェクト研究体

• 濱田 幾太郎

  東北大WPI-AIMR

• 森州 良忠

  阪大産研

• 柳澤 将

  阪大院工

• 豊田 健治

  阪大産研

• 森川 良忠

  大阪大学大学院工学研究科

• 豊田 健治

  阪大産研:パナソニック(株)

関連論文

• 21pPSA-15 Cu(110)表面における水少数クラスターの実空間観測(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20pEL-11 周期セルを用いた電子状態計算の問題とその改善 : 永久多重極を持つ系の計算(20pEL 電子系(密度汎関数理論),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 21aGL-2 Au(111)表面におけるHe^*の脱励起過程(21aGL 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pYG-1 C_-Pt(111)系の局所電子状態 : 金属波動関数の漸近特性(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pTE-3 分子-金属界面における局所電子状態 : C_6H_5SH,C_6H_5SeH/Pt(111)(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pPSA-84 Pt(111)-アルカンチオール系における吸着誘起準位(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• メタステーブル原子電子分光による Ni ( 100 ), Ni ( 111 ) 上 CO 分子の局所電子分布
• 27aYQ-12 遷移金属上に化学吸着した分子の分極・反分極現象
• 29pTE-7 第一原理熱力学計算によるインテリジェント触媒の表面構造の解明(29pTE 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• Ge/Si(105)表面の原子間力顕微鏡観察
• 28pWP-2 Ge/Si(105)-2×1表面の高分解能AFM観察(表面界面構造(半導体))(領域9)
• 27aYG-2 電子励起原子移動によるダイマーフラーレン合成の第一原理的研究(27aYG フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28aYH-1 Pt-グラフェン間の相互作用に対する欠陥や添加物の効果(28aYH 領域7,領域9合同 グラフェン構造・表面物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aPS-73 Pt_/グラファイトの原子構造と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aYH-12 金属表面におけるプロトン移動の実空間観測(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 水の少数クラスターにおける水素結合交換の直接観測
• 27aRD-7 単分子水和反応の制御と可視化(27aRD 表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pPSB-13 Cu(110)におけるアセチレンの環化反応(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aXB-3 単分子異性化反応のトンネルダイナミクス(21aXB 表面界面ダイナミクス,表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pPSB-9 第一原理計算によるSi(111) 2x2表面でのN原子及びO原子吸着(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 23aPS-25 内殻励起炭素クラスター合成の第一原理シミュレーション(23aPS 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 26pXC-6 Ge/Si(105)の第一原理計算(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 31aWD-9 Ge/Si(105)1×2 のリボンデッド S_B ステップ・モデル
• 触媒反応の第一原理シミュレーション:動的過程の解明に向けて
• 24aPS-44 第一原理電子状態計算によるメタノール合成反応の研究(III)
• 24aPS-6 Phase Transitions and Electronic Structures on Si(100)
• 24aW-9 第一原理分子動力学法によるメタノール合成反応の研究(II)
• 31p-S-9 第一原理計算によるZn蒸着Cu表面上でのCO_2とH_2からのメタノール合成反応の研究
• 31p-W-9 電子構造計算によるLaMnO_3のJahn-Teller歪みと磁気秩序
• 29a-WB-10 Ultrasoft pseudopotentialによるO/K/Si(001)表面系の研究
• 29a-YR-3 第一原理計算による水素結合の量子効果の研究
• 第一原理分子動力学法 : カー・パリネロ法 (「第一原理による電子物性」)
• 29p-PSB-8 SI(001)上のAl、Gaの吸着IV
• 27a-Y-9 Si(001)上へのAl、Gaの吸着 III
• 27a-Y-8 Si(001)表面の低被覆率でのアルカリ金属吸着構造と電子状態
• 21aGL-11 Alq_3/金属界面相互作用における非局所電子相関の役割に関する第一原理的研究(21aGL 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20aGQ-3 Si(111)-(7x7)の表面電子構造:再訪II(20aGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28pYH-1 Pt/グラフェンへののCO吸着(微粒子・クラスター,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 27pYH-3 第一原理計算によるペンタセン/貴金属界面に関する理論的研究(有機分子・半導体・その他,領域9,領域7合同,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26aYG-1 Si(111)-(7×7)の表面電子構造 : 再訪(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pZK-5 界面電気二重層の起源と理論予測(分光学的手法による有機薄膜研究の最先端,領域9,領域5,領域7合同シンポジウム,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25aYG-2 Alq_3/金属界面における分子-基板間及び分子間相互作用の精密計算(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25aYG-1 金属上への水吸着に対するファン・デル・ワールス力の影響(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• Pt電極界面での水素吸着状態 : 電場, 溶媒, 被覆率の影響
• 第一原理シミュレーションから見た電極界面と電荷移動反応 : 燃料電池・水電解の水素極を対象として
• 29pRD-6 第一原理計算によるベンゼン/貴金属界面の界面双極子に関する理論的研究(29pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pRD-4 Rh(111)表面に水素と共吸着した水の第一原理的研究(29pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29aZE-6 第一原理計算による TiO_2(110) 上のギ酸の分解反応過程の研究
• 23aXA-6 第一原理電子状態計算による分子スイッチ機構の研究(23aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aXB-2 第一原理熱力学計算によるインテリジェント触媒の自己再生機構の解明(22aXB 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aRB-9 第一原理電子状態理論による宥機分子/金属における界面電気二重層の研究(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
• 21aXJ-1 白金表面における水素の第一原理的研究 : 被覆率、電場および溶媒効果(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 23aRJ-6 水ダイマーにおける水素結合交換の観測(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 23aTD-10 グラフェン上に吸着したPtクラスターの原子構造(表面ナノ構造量子物性,微粒子クラスタ,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 23pXK-6 Ptクラスターへの水素吸着特性の担持効果(微粒子・クラスタ,水素ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21aTG-11 グラフェン上のPtクラスターの原子・電子構造(ナノチューブ・ナノワイヤー,表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 24aPS-136 貴金属/無機ヘテロ界面の電子状態(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 15pXE-5 TiO_2(110) 表面上に吸着した貴金属の電子状態(表面界面電子物性, 領域 9)
• 30pYE-3 Au/TiO_2(110)における初期吸着構造(表面界面構造(金属・その他))(領域9)
• 20aPS-42 Au(111)/TiO_2(110) 界面の原子構造と電子状態
• 有機/金属界面の電子状態の第一原理計算による研究 (特集 π電子系有機低分子固体の界面電子物性)
• 28pPSB-25 Au/TiO_2(110)-1x2 の構造と電子状態
• 17aD03 第一原理計算による金属液体への窒素溶解度の算出 : GaNの液相育成のために(結晶成長基礎(1),第35回結晶成長国内会議)
• 26aWS-7 TiO_2(110)表面の欠陥構造に関するGW近似による研究(26aWS 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-108 一次元水素結合系における多重プロトン移動の実空間観測(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26aWX-12 ファンデルワールス補正を入れた密度汎関数法によるナノチューブ/金属電極界面の構造と電子状態(26aWX ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-83 第一原理計算によるSi(111)表面上N原子及びO原子吸着(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28a-ZS-1 Si(001)清浄表面再構成のシミュレーション
• 28a-E-7 Si(100)清浄表面の安定構造
• 21pWH-7 水/白金界面における電気化学反応の第一原理シミュレーション(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 23pYH-2 Pt(111)表面上での電極反応の第一原理シミュレーション(23pYH 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28pYB-6 電極表面の吸着水分子の構造 : 有効遮蔽体法による第一原理計算(28pYB 領域9シンポジウム:制限された場における水分子の科学,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27a-Y-7 Electronic and Atomic Structures of the (3×1) Reconstructed Surface of Na/Si(111)
• 28a-ZS-3 Si(100)上へのAl、Gaの吸着II
• 28a-ZS-2 第一原理分子動力学法による、Li/Si(001)表面の研究
• 21pWH-1 第一原理計算によるAl/Alq_3界面の構造と電子状態の解明(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 24pYC-4 電極表面上の単一分子電子状態の第一原理計算(24pYC 領域9,領域7合同シンポジウム:単一分子伝導研究の現状と課題,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pYB-5 Alq_3/Al界面の構造と電子状態に関する理論的研究(29pYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aYL-14 Alq_3/Al界面の構造と電子状態(導電性高分子, 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 30a-ZD-11 Si(100)上へのAl,Gaの吸着
• 28a-E-9 Na,K/Si(001)系の吸着エネルギー被覆率依存性
• 28a-E-8 Na、K/Si(001)系の低被覆率での吸着位置と電子状態
• 25a-R-9 第一原理分子動力学法によるSi(001)表面アルカリ吸着系の構造最適化IV
• 25a-R-8 第一原理分子動力学法によるSi(001)表面アルカリ吸着系の構造最適化III
• 25pYH-1 金表面上チオール系分子の吸着に関する第一原理シミュレーション(25pYH 表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 領域9,3「反転対称性の破れた表面におけるスピンと軌道」(第63回年次大会シンポジウムの報告)
• 15pXE-7 n-アルカンと金属表面との相互作用(表面界面電子物性, 領域 9)
• 31a-F-7 第一原理電子状態計算による遷移金属表面でのCOの解離吸着過程の研究
• 25pYK-4 ルチル型TiO_2(110)面に吸着した水素に関する第一原理計算(25pYK 領域10,領域9合同 格子欠陥・ナノ構造(水素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 29pYB-3 遷移金属上の水の構造に関する第一原理的研究(29pYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aWB-2 Si(001)表面上でのアセチレン分子の吸着状態
• 1p-YK-5 擬ポテンシャル法と第一原理分子動力学計算
• 31a-K-8 第一原理電子状態計算による遷移金属表面での COおよびN_2吸着の研究
• 28p-S-2 第一原理分子動力学法による固体表面およびその吸着系の研究
• 有機/金属界面の電子状態の第一原理計算による研究
• 27pPSA-52 カーボンアロイ触媒によるCO酸化反応の第一原理シミュレーション(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pPSA-46 HによるSi表面エッチングにおけるH終端Si(001)表面上でのH拡散の寄与(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28pTG-7 TiO_2(110)表面の酸素欠陥による構造歪み・電子構造に関する第一原理的研究(28pTG 表面界面電子物性(シミュレーション),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pHA-4 第一原理計算によるSi(111)表面上N原子及びO原子吸着II(21pHA 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aWB-7 有機-金属界面の第一原理量子シミュレーション(表面・界面電子物性(理論・シミュレーション),領域9(表面・界面, 結晶成長))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク