柳澤 将 | 阪大院工
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概要
関連著者
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柳澤 将
阪大院工
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森川 良忠
阪大院工
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森州 良忠
阪大産研
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森川 良忠
大阪大学大学院工学研究科
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柳澤 将
阪大産研
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森川 良忠
阪大産研
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森川 良忠
産業技術総合研究所計算科学研究部門 ナノ機能合成技術プロジェクト研究体
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濱田 幾太郎
東北大WPI-AIMR
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濱田 幾太郎
阪大産研
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大門 寛
奈良先端大
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服部 賢
奈良先端大
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稲葉 雄一
奈良先端大・物質創成
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安居 麻美
奈良先端大・物質創成
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森川 良忠
阪大工
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大門 寛
奈良先端科学技術大学院大学
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服部 賢
奈良先端大物質
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稲葉 雄一
奈良先端大物質創成
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安居 麻美
奈良先端大物質創成
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Lee Kyuho
Rutgers Univ.
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豊田 健治
阪大産研
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中野 洋輔
阪大産研
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豊田 健治
阪大産研:パナソニック(株)
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柳澤 将
琉球大理
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草部 浩一
阪大基礎工
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大門 寛
奈良先端大物質
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吉田 博
阪大基礎工
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服部 賢
奈良先端大物質創成
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花岡 大輔
阪大基礎工
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柳澤 将
大阪大学産業科学研究所
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森村 英幸
阪大産研
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竹内 康祐
阪大産研
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吉田 博
阪大産研:科技団
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竹内 康祐
阪大産研:jst-crest
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白井 光雲
阪大産研
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青木 優
東大院総合文化
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増田 茂
東大院総合文化
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十河 真生
東大院総合文化
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坂本 雄一
東大院総合文化
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森 勇介
阪大・院工
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吉村 政志
大阪大学大学院工学研究科
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森 勇介
大阪大学大学院工学研究科
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森川 良忠
大阪大学産業科学研究所
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稲垣 耕司
阪大院工
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吉田 博
大阪大学産業科学研究所
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佐々木 孝友
大阪大学
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佐々木 孝友
阪大工
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青木 優
東大院総合
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増田 茂
東大教養
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佐々木 孝友
大阪大学大学院 工学研究科
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川村 史朗
阪大院工
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川村 史朗
大阪大学大学院工学研究科
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川原 実
大阪大学大学院工学研究科
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細谷 直樹
阪大基礎工
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吉田 榑
阪大基礎工
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吉村 政志
大阪大学大学院 工学研究科
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池田 隆司
原研
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白井 光雲
阪大・産研
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廣田 幾太郎
東北大WPI-AIMR
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Lee Kyuho
Rensselaer Polytechnic Institute
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白井 光雲
大阪大学産業科学研究所 ナノテクノロジーセンター
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名兒耶 彰洋
阪大産研
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柳澤 将
阪大工
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西郷 登洋
阪大院理
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Lee Kyuho
阪大産研
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Katayama-yoshida Hiroshi
Department Of Physics Tohoku University
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佐々木 孝友
回路実装学会 大阪大学大学院工学研究科
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柳澤 将
大阪大学大学院工学研究科
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吉田 博
阪大院基礎工
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大門 寛
奈良先端大・物質創成
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三村 大輔
阪大院工
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武田 篤哉
阪大院工
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服部 賢
奈良先端大・物質創成
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増田 茂
東大院総合
著作論文
- 27pYG-1 C_-Pt(111)系の局所電子状態 : 金属波動関数の漸近特性(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27aYG-2 電子励起原子移動によるダイマーフラーレン合成の第一原理的研究(27aYG フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pPSB-9 第一原理計算によるSi(111) 2x2表面でのN原子及びO原子吸着(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 23aPS-25 内殻励起炭素クラスター合成の第一原理シミュレーション(23aPS 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 21aGL-11 Alq_3/金属界面相互作用における非局所電子相関の役割に関する第一原理的研究(21aGL 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pYH-3 第一原理計算によるペンタセン/貴金属界面に関する理論的研究(有機分子・半導体・その他,領域9,領域7合同,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pZK-5 界面電気二重層の起源と理論予測(分光学的手法による有機薄膜研究の最先端,領域9,領域5,領域7合同シンポジウム,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25aYG-2 Alq_3/金属界面における分子-基板間及び分子間相互作用の精密計算(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 29pRD-6 第一原理計算によるベンゼン/貴金属界面の界面双極子に関する理論的研究(29pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aRB-9 第一原理電子状態理論による宥機分子/金属における界面電気二重層の研究(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 有機/金属界面の電子状態の第一原理計算による研究 (特集 π電子系有機低分子固体の界面電子物性)
- 17aD03 第一原理計算による金属液体への窒素溶解度の算出 : GaNの液相育成のために(結晶成長基礎(1),第35回結晶成長国内会議)
- 26aWS-7 TiO_2(110)表面の欠陥構造に関するGW近似による研究(26aWS 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aWX-12 ファンデルワールス補正を入れた密度汎関数法によるナノチューブ/金属電極界面の構造と電子状態(26aWX ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-83 第一原理計算によるSi(111)表面上N原子及びO原子吸着(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 第一原理計算法III : 界面と欠陥のナノダイナミクス
- 21pWH-1 第一原理計算によるAl/Alq_3界面の構造と電子状態の解明(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24pYC-4 電極表面上の単一分子電子状態の第一原理計算(24pYC 領域9,領域7合同シンポジウム:単一分子伝導研究の現状と課題,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29pYB-5 Alq_3/Al界面の構造と電子状態に関する理論的研究(29pYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aYL-14 Alq_3/Al界面の構造と電子状態(導電性高分子, 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 有機/金属界面の電子状態の第一原理計算による研究
- 28pTG-7 TiO_2(110)表面の酸素欠陥による構造歪み・電子構造に関する第一原理的研究(28pTG 表面界面電子物性(シミュレーション),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pHA-4 第一原理計算によるSi(111)表面上N原子及びO原子吸着II(21pHA 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aPSA-19 パラジウム触媒による鈴木・宮浦クロスカップリング反応の第一原理分子動力学シミュレーション(21aPSA 領域12ポスターセッション,領域12(ソフトマター物理,化学物理,生物物理))
- 24pCC-8 第一原理計算によるSi(111)表面上N原子及びO原子吸着III(24pCC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))