吉田 博 | 阪大産研:科技団

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概要

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関連著者

• 吉田 博

  阪大基礎工

• 吉田 博

  阪大産研:科技団

• 吉田 博

  阪大院基礎工

• Katayama-yoshida Hiroshi

  Department Of Physics Tohoku University

• 佐藤 和則

  阪大

• 佐藤 和則

  阪大基礎工

• Sato K

  阪大基礎工

• 池田 博

  筑波大 低温センター

• 吉田 博

  阪大産研

• 白井 光雲

  阪大産研

• 白井 光雲

  阪大・産研

• 吉田 博

  大阪大学産業科学研究所

• 中西 章尊

  阪大基礎工

• 出倉 春彦

  大阪大学

• 出倉 春彦

  阪大・産研

• 木崎 栄年

  阪大基礎工

• 森川 良忠

  阪大産研

• 草部 浩一

  阪大基礎工

• 森川 良忠

  阪大院工

• 柳瀬 章

  阪大・産研

• 佐藤 和則

  阪大産研

• 出倉 春彦

  阪大産研

• 森州 良忠

  阪大産研

• 吉田 博

  阪大・産研

• 佐藤 和則

  大阪大学産業科学研究所

• 森川 良忠

  大阪大学大学院工学研究科

• 谷 義政

  阪大基礎工

• 中沢 誠

  大阪大学産業科学研究所

• 魚住 昭文

  阪大産研

• 濱田 幾太郎

  阪大産研

• 柳瀬 章

  阪大産研

• 濱田 幾太郎

  東北大WPI-AIMR

• 豊田 雅之

  北陸先端大融合院

• 柳澤 将

  阪大院工

• 石定 惇

  阪大・産研

• 藤井 将

  阪大産研

• 辛 埴

  東大物性研

• 矢橋 牧名

  JASRI

• 玉作 賢治

  理研

• 柳澤 将

  阪大産研

• 高橋 隆

  東北大学原子分子材料科学高等研究機構:東北大学大学院理学研究科

• 石川 哲也

  理研・播磨研

• 大槻 匠

  理研:spring-8

• 松波 雅治

  東大物性研:理研:spring-8

• Chainani A.

  理研:spring-8

• Chainani A.

  プラズマ研

• 江口 律子

  理研 SPring-8

• 辛 埴

  理研 SPring-8

• 高橋 隆

  東北大理

• 石川 哲也

  理研 SPring-8

• 西野 吉則

  理研

• Chainani A.

  理研 SPring-8

• 高田 恭孝

  理研 SPring-8

• 大槻 匠

  理研 SPring-8

• 松波 雅治

  理研 SPring-8

• 西野 吉則

  理研 SPring-8

• 玉作 賢治

  理研 SPring-8

• 玉作 賢治

  理化学研究所播磨研究所

• 矢橋 牧名

  理化学研究所

• 矢橋 牧名

  財団法人高輝度光科学研究センター

• 矢橋 牧名

  高輝度光科学研究センター放射光研究所

• 矢橋 牧名

  (財)高輝度光科学研究センタービームライン・技術部門

• 江口 律子

  理研:spring-8

• 石川 哲也

  理化学研究所

• 石川 哲也

  (独)理化学研究所播磨研究所

• 石川 哲也

  独立行政法人理化学研究所播磨研究所

• CHAINANI Ashish

  RIKEN/SPring-8

• 西野 吉則

  理化学研究所

• 高田 恭孝

  東大新領域:理研:spring8

• 松波 雅冶

  神戸大院自然

• 江村 修一

  阪大・産研

• 石川 哲也

  理化学研究所放射光科学総合研究センター

• 赤井 久純

  阪大院理

• 山口 宏信

  大阪大学基礎工学研究科

• 赤井 久純

  大阪大院理

• 玉作 賢治

  独立行政法人理化学研究所播磨研究所

• 赤井 久純

  阪大理

• 細谷 直樹

  阪大基礎工

• 花岡 大輔

  阪大基礎工

• 舩島 洋紀

  東理大理工

• 豊田 雅之

  阪大産研

• 石川 哲也

  独立行政法人理化学研究所播磨研究所放射光科学総合研究センター

• 石川 哲也

  理化学研究所播磨研究所x線干渉光学研究室

• 柳澤 将

  大阪大学産業科学研究所

• Chainani A

  Riken/spring-8

• Chainani Ashish

  Harima Institute Riken (the Institute Of Physical And Chemical Research)

• 白井 光雲

  大阪大学産業科学研究所 ナノテクノロジーセンター

• 福島 鉄也

  大阪大学産業科学研究所

• Takahashi T

  Gakushuin Univ. Tokyo

• 山口 宏信

  阪大・産研

• 木崎 栄年

  大阪大学産業科学研究所

• 豊田 雅之

  大阪大学産業科学研究所

• Senba S

  Institute For Solid State Physics University Of Tokyo:riken

• Shin Shik

  Institute For Solid State Physics The University Of Tokyo

• Shin S

  The Institute For Solid State Physics The University Of Tokyo

• Takahashi T

  Hoshi Univ. Tokyo Jpn

• Takahashi T

  Department Of Physics Gakushuin University

• Chainani A.

  Ipr

• Tokuzawa Tokihiko

  National Institute For Fusion Science

• 富永 隆介

  阪大基礎工

• 木崎 栄年

  大阪大学基礎工学研究科

• 草部 浩一

  大阪大学基礎工学研究科

• 野上 惣一朗

  大阪大学基礎工学研究科

• 吉田 博

  大阪大学基礎工学研究科

• 原田 邦彦

  阪大産研

• 木崎 栄年

  阪大産研

• 吉田 博

  大阪大学・医学部第1薬理学

• 野上 惣一朗

  阪大院基

• 柳瀬 章

  阪大院基礎工

• 藤井 将

  阪大基礎工

• 舩島 洋紀

  阪大院基礎工

• 押谷 昌宗

  阪大基礎工

• 藤本 悟智人

  阪大基礎工

• 三野 祥生

  阪大基礎工

• 吉田 博

  大阪大学基礎工

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著作論文

• 29pTE-7 第一原理熱力学計算によるインテリジェント触媒の表面構造の解明(29pTE 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aPS-10 Hard X-ray photoelectron spectroscopy of doped Silicon
• 27aYG-2 電子励起原子移動によるダイマーフラーレン合成の第一原理的研究(27aYG フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aPS-134 LDA+SIC法による磁性半導体の電子構造の計算(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 26aTF-3 αホウ素の不純物添加による金属化(ゼオライト・クラスター,領域7,分子性固体・有機導体)
• 23pTH-2 不純物添加した固体ホウ素の物性(クラスレート・新物質,領域7,分子性固体・有機導体)
• 22aXB-2 第一原理熱力学計算によるインテリジェント触媒の自己再生機構の解明(22aXB 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aTG-2 希薄磁性半導体における磁気励起の研究(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 24pYF-7 Si結晶中の単原子空孔の弾性定数への影響(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 24pYF-8 シリコン中のCu複合体のフォトルミネッセンス : 解釈(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 22aTG-3 TiO_2ベース希薄磁性半導体の第一原理計算(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 19pTA-10 CuAlO_2を用いた希薄磁性半導体の第一原理計算(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 22pTD-11 結晶シリコンにおける単原子空孔の弾性定数への影響(格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 19aRG-1 不純物添加したα-Boronの物性(クラスレート,領域7,分子性固体・有機導体)
• 第一原理計算法III : 界面と欠陥のナノダイナミクス
• 22aTL-2 日本企業の成長性(経済物理I,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 23aXE-6 企業の成長戦略とその分析(23aXE 経済物理,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 26pYG-4 同時ドーピング法による半導体をベースとする水素貯蔵材料のデザイン(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 28pTE-7 第一原理計算によるインテリジェント触媒の自己再生機能の解明(28pTE 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30aVE-2 磁性半導体における同時ドーピングによる高濃度磁性元素添加とアニーリング効果(30aVE 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 30aVE-1 第一原理計算による4族半導体ベース磁性半導体のデザイン(30aVE 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22aQE-7 負の有効電子相関系に関する一般則と物質設計の理論(22aQE 銅酸化物など(理論),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 24aWJ-3 3dと4d遷移金属の同時添加による希薄磁性半導体の物質設計(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 領域8,3「物性物理学における巨大物性応答のデザインと実証 : 現状と将来展望」(2007年春季大会シンポジウムの報告)
• 第一原理計算法II : 計算機ナノマテリアルデザイン
• 19aWK-5 巨大物性応答のデザインと実証のまとめと将来展望(19aWK 領域8,領域3合同シンポジウム 主題:物性物理学における巨大物性応答のデザインと実証 : 現状と将来展望,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 領域10,3,4,8「計算機ナノマテリアルデザインとスピントロニクス : 成功物語と将来展望」(2006年秋季大会シンポジウムの報告)
• 26aTJ-13 第一原理計算による、高圧下でのCuAlO_2のエネルギーギャップの研究(26aTJ 分子性固体・高圧物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23pGH-3 自己相互作用補正局所密度汎関数法(SIC-LDA)によるデラッフォサイト型CuAlO_2の電子状態(23pGH 銅酸化物理論,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 23pGH-4 高温超伝導体の計算機ナノマテリアルデザイン指針と方法(23pGH 銅酸化物理論,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 21aGQ-11 スピノダルナノ分解を用いたII-VI族化合物半導体ベース高効率太陽電池材料のマテリアルデザイン(21aGQ 格子欠陥・ナノ構造(エネルギー材料・金属),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 21aGQ-8 スピノーダル分解を利用したCuIn_Ga_xSe_2ベース高効率太陽電池材料のデザイン(21aGQ 格子欠陥・ナノ構造(エネルギー材料・金属),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 21pTL-5 LiZnAsベース磁性半導体の材料設計(21pTL 若手奨励賞・磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aGQ-9 同時ドーピング法によるInフリー環境調和カルコパイライト系太陽電池材料のデザイン(21aGQ 格子欠陥・ナノ構造(エネルギー材料・金属),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 21aGQ-10 カルコパイライト系太陽電池材料のための透明電極のマテリアルデザイン(21aGQ 格子欠陥・ナノ構造(エネルギー材料・金属),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 23pGH-2 デラッフォサイト型CuAlO_2バンドギャップの圧力依存性と電子状態(23pGH 銅酸化物理論,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 21pTL-6 磁性半導体に対する格子間同時ドーピング法の効果の第一原理計算による予測(21pTL 若手奨励賞・磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21pGT-8 自己相互作用補正をとりいれたLa_2CuO_4の電子状態の第一原理計算(21pGT 電子系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 23pGH-1 第一原理計算によるデラッフォサイト型CuAlO_2ベース透明高温超伝導体(T_c〜50K)のデザイン(23pGH 銅酸化物理論,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 23pGH-5 デラッフォサイト型CuAlO_2のp型価電子制御法と高効率熱電材料のデザインと実証(23pGH 銅酸化物理論,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))

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