吉田 博 | 阪大・産研
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概要
関連著者
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吉田 博
阪大・産研
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白井 光雲
阪大・産研
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白井 光雲
阪大産研
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吉田 博
阪大基礎工
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藤田 洋士
阪大・産研
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Katayama-yoshida Hiroshi
Department Of Physics Tohoku University
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吉田 博
阪大産研:科技団
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吉田 博
阪大院基礎工
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荒木 和也
阪大・産研
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出倉 春彦
大阪大学
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浜田 幾太郎
東北大
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川合 知二
阪大・産研
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出倉 春彦
阪大・産研
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浜田 幾太郎
阪大・産研
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石定 惇
阪大・産研
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浜田 幾太郎
科技団:阪大基礎工
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江村 修一
阪大・産研
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真砂 啓
東北大学wpi-aimr
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山口 宏信
大阪大学基礎工学研究科
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別役 潔
富士総研
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田中 秀和
阪大・産研
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田中 裕行
阪大・産研
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佐藤 和則
ユーリッヒ研
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山口 宏信
阪大・産研
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田中 裕行
大阪大学 産業科学研究所
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真砂 啓
東大・工
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真砂 啓
阪大産研
-
別役 潔
阪大・産研
著作論文
- 27aYM-6 シリコン中の水素の振動問題(領域10, 領域4合同格子欠陥・ナノ(半導体),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 15aTB-10 第一原理計算によるシリコン中の水素の振動問題(電子系 : 第一原理計算, 領域 11)
- 24pYF-7 Si結晶中の単原子空孔の弾性定数への影響(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 24pYF-8 シリコン中のCu複合体のフォトルミネッセンス : 解釈(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 23aZB-1 高圧でのボロンの分子動力学シミュレーション(23aZB クラスター・ゼオライト,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pTD-11 結晶シリコンにおける単原子空孔の弾性定数への影響(格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 22aYC-12 高圧下におけるホウ素結晶の振る舞い(格子欠落・アモルファス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 31a-PS-25 固体表面に吸着したDNA関連分子のSTM像の電子状態計算による解釈
- 27pH-6 遷移金属元素ドープSr(Ti_M_x)O_3薄膜の作製と電気輸送特性
- 17pYJ-2 BNの弾性的性質と圧力相転移
- 30aTB-1 BN構造の弾性的性質と圧力相転移
- 6aSB-5 第一原理分子動力学法によるBNの構造相転移(層状・低次元物質・化合物半導体,領域4)
- 8aSB-5 希土類原子ドープによる希薄磁性半導体のマテリアルデザイン(磁性半導体,領域4)
- 8aSB-4 第一原理計算によるIV族半導体中の遷移金属不純物の研究(磁性半導体,領域4)
- 8aSB-1 第一原理計算による強磁性半導体(Ga,Cr)Nのキャリア濃度依存性(磁性半導体,領域4)
- 26pPSB-5 BNのズレに対する安定性と相転移(26pPSB,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))