8aSB-1 第一原理計算による強磁性半導体(Ga,Cr)Nのキャリア濃度依存性(磁性半導体,領域4)

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概要

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• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 2002-08-13

著者

• 佐藤 和則

  ユーリッヒ研

• 吉田 博

  阪大・産研

• 荒木 和也

  阪大・産研

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