31pYH-1 II-VI 族および III-V 族ベースの強磁性転移温度の第一原理計算予測と強磁性機構

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2003-03-06

著者

• 佐藤 和則

  阪大基礎工

• 吉田 博

  阪大産研

• 佐藤 和則

  ユーリッヒ研

• Dederichs P.

  ユーリッヒ研究センター

• Dederichs P

  ユーリッヒ研究セ

関連論文

• 23pHT-2 高分解能チョッパー分光器の建設(23pHT X線・粒子線(中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 17pYH-4 FLAPW・スーパーセル法によるZnSベース希薄磁性半導体のマテリアルデザイン
• 27pYD-3 遷移金属ダイカルコゲナイドのCDW相における電子状態(電荷密度波)(領域6)
• 27aYG-2 第一原理計算を用いた物質の熱電特性の評価II(化合物・輸送・アモルファス・不純物)(領域4)
• 23aTH-12 第一原理計算を用いた物質の熱電特性の評価 II
• 22aPS-78 遷移金属ダイカルコゲナイドの CDW 相における電子状態
• 28aYB-1 遷移金属ダイカルコゲナイドの CDW と電子状態
• 29aZK-7 第一原理計算を用いた物質のの熱電特性の評価
• 28aYC-12 GaN中のMg不純物とN-vacancyについての第一原理計算
• 28aYC-9 Si中のEr不純物の結晶場の第一原理計算
• 24pYP-6 Si中のEr不純物の第一原理計算
• 24aX-13 BaTiO_3中3d遷移金属不純物の電子構造と磁性
• 25p-T-14 InP中の希土類不純物電子状態のFLAPW法による計算
• Suzaku Observation of the Metallicity in the Interstellar Medium of NGC 4258
• Suzaku Observation of Group of Galaxies NGC 507 : Temperature and Metal Distributions in the Intra-Cluster Medium
• Suzaku Observations of AWM 7 Cluster of Galaxies : Temperatures, Abundances, and Bulk Motions
• Suzaku Observation of HCG 62 : Temperature, Abundance, and Extended Hard X-Ray Emission Profiles
• 22aPS-134 LDA+SIC法による磁性半導体の電子構造の計算(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25aXJ-14 LDA+SIC法による希薄磁性半導体の電子状態と磁性の予測(25aXJ 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aXC-5 自己相互作用補正を取り入れた量子デザイン手法(28aXC 領域4,領域11合同シンポジウム:次世代第一原理量子シミュレーションによる量子デザイン手法の展開,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 28pRF-4 磁性半導体におけるスピノーダル分解の予測と材料設計(28pRF 領域10,領域4,領域8合同シンポジウム:高濃度ドープへの挑戦とそれに伴う格子欠陥の解決,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 28pRF-4 磁性半導体におけるスピノーダル分解の予測と材料設計(28pRF 領域10,領域4,領域8合同シンポジウム:高濃度ドープへの挑戦とそれに伴う格子欠陥の解決,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 24pZD-1 高いキュリー温度を持つワイドギャップ希薄磁性半導体のデザインと合成(24pZD 領域10,領域3,領域4,領域8合同シンポジウム:計算機ナノマテリアルデザインとスピントロニクス〜成功物語と将来展望〜,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 24pZD-1 高いキュリー温度を持つワイドギャップ希薄磁性半導体のデザインと合成(24pZD 領域10,領域3,領域4,領域8合同シンポジウム:計算機ナノマテリアルデザインとスピントロニクス〜成功物語と将来展望〜,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 25aXJ-8 第一原理計算を用いたナノ超構造を持つ希薄磁性半導体のデザイン(25aXJ 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aXC-5 自己相互作用補正を取り入れた量子デザイン手法(28aXC 領域4,領域11合同シンポジウム:次世代第一原理量子シミュレーションによる量子デザイン手法の展開,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21pYM-8 シリコンにインプラントされたホウ素の核スピン緩和の磁場依存性(格子欠陥・ナノ構造(半導体・水素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 24aZC-8 LDA+SIC法によるZnO系磁性半導体の電子状態と磁性の予測(磁性半導体,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 12aYC-5 自己相互作用を補正した第一原理電子状態計算手法による ZnO 系磁性半導体の強磁性安定性の予測(磁性半導体, 領域 4)
• 23aTC-9 フルポテンシャル KKR-Green 関数法による電場勾配研究
• 26aTF-3 αホウ素の不純物添加による金属化(ゼオライト・クラスター,領域7,分子性固体・有機導体)
• 23pTH-2 不純物添加した固体ホウ素の物性(クラスレート・新物質,領域7,分子性固体・有機導体)
• 30aYF-10 ホールドープしたグラファイトの平面構造の構造安定性(アンダーソン局在・低次元物質)(領域4)
• 22aTG-2 希薄磁性半導体における磁気励起の研究(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 12aYC-2 希薄磁性半導体 (Zn, Cr)Te の電子状態計算とキュリー温度の見積もり(磁性半導体, 領域 4)
• Electronic Structure and Magnetic Properties of Transition Metal Inpurities in ZnO (「放射線と原子核をプローブとした物性研究の新展開」専門研究会報告(1)平成11年度)
• Suzaku Observation of the Southeastern Rim of the Cygnus Loop
• 31pYH-3 非一様ドーピングによる強磁性半導体の物質設計
• 31pYH-2 第一原理計算による 4f 希土類金属および 3d 遷移金属ドープ IV 族 (Si, Ge, Diamond) 強磁性半導体の物質設計
• 22aTG-3 TiO_2ベース希薄磁性半導体の第一原理計算(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• X-Ray Spectroscopy of SN 1006 with Suzaku
• 19pTA-10 CuAlO_2を用いた希薄磁性半導体の第一原理計算(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25aXJ-9 第一原理計算によるCuAlO_2ベース希薄磁性半導体の交換相互作用(25aXJ 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 14aYC-10 第一原理計算による CuAlO_2 を母体とした希薄磁性半導体の物質設計(磁性半導体, 領域 4)
• Suzaku Observations of Metallicity Distribution in the Intracluster Medium of the NGC 5044 Group
• X-Ray Halo around the Spiral Galaxy NGC 4631 Observed with Suzaku
• Suzaku Observations of Thermal and Non-Thermal X-Ray Emission from the Middle-Aged Supernova Remnant G156.2+5.7
• Another Abundance Inhomogeneity in the South East Limb of the Cygnus Loop
• Abundance Inhomogeneity in the Northeastern Rim of the Cygnus Loop Revealed by the Suzaku Observatory
• Abundance Inhomogeneity in the Northern Rim of the Cygnus Loop
• Ejecta Distributions of Heavy Elements in the Cygnus Loop
• Suzaku Observations across the Cygnus Loop from the Northeastern to the Southwestern Rim
• 第一原理計算による新機能性半導体のマテリアルデザイン -予言と実験の比較 -
• 熱非平衡結晶成長における同時ドーピング法による新しい価電子制御法とスピン制御法 : 結晶成長の理論(21世紀を拓く薄膜結晶成長)
• ワイドギャップ半導体の 新しい価電子制御法:予想と実験
• 22pJ-3 第一原理計算によるワイドギャップ半導体の価電子制御
• 22pJ-3 第一原理計算によるワイドギャップ半導体の価電子制御
• X-Ray Temperature and Mass Measurements to the Virial Radius of Abell 1413 with Suzaku
• 14aYC-11 磁性元素を含まない透明強磁性酸化物の第一原理マテリアルデザイン(磁性半導体, 領域 4)
• 27pYA-11 遷移金属元素を含まない透明ハーフメタリック室温強磁性酸化物の第一原理マテリアルデザイン : (II)B,C,NをドープしたCaOへの応用(磁性半導体)(領域4)
• 27aYA-7 遷移金属元素を含まない透明ハーフメタリック室温強磁性半導体の第一原理マテリアルデザイン : I.ガイドラインとSiをドープしたK_2Sへの応用(磁性半導体)(領域4)
• 26pYG-4 同時ドーピング法による半導体をベースとする水素貯蔵材料のデザイン(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 30aVE-2 磁性半導体における同時ドーピングによる高濃度磁性元素添加とアニーリング効果(30aVE 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 30aVE-1 第一原理計算による4族半導体ベース磁性半導体のデザイン(30aVE 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24aWJ-3 3dと4d遷移金属の同時添加による希薄磁性半導体の物質設計(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• Metallicity of the fossil group NGC 1550 observed with Suzaku
• 第一原理計算法II : 計算機ナノマテリアルデザイン
• 25aXJ-13 局所環境効果を取り入れた希薄磁性半導体の交換相互作用の第一原理計算(25aXJ 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24aZC-7 LDA+U法によるGaN系希薄磁性半導体の電子状態と磁性(磁性半導体,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• Materials Design of Ferromagnetic Diamond
• Materials Design of Transparent and Half-Metallic Ferromagnets of MgO, SrO and BaO without Magnetic Elements(Condensed Matter : Electronic Structure, Electrical, Magnetic and Optical Properties)
• 12pXA-9 第一原理計算からみた磁性半導体の電子構造(主題 : スピン制御半導体の電子構造 : 光で捉える磁性状態, 領域 3)
• 12pXA-9 第一原理計算からみた磁性半導体の電子構造(主題 : スピン制御半導体の電子構造 : 光で捉える磁性状態, 領域 5)
• New Class of Diluted Ferromagnetic Semiconductors based on CaO without Transition Metal Elements
• Material Design of Transparent, Half-Metallic and Room-Temperature Ferromagnets in I_2-VI Semiconductors with 4d Transition Metal Element
• 半導体スピントロニクスのマテリアルデザイン (
• 27aYA-10 第一原理計算による強磁性半導体発現機構、磁気励起の研究と物質設計(磁性半導体)(領域4)
• 30pWD-3 透明磁性半導体ベースのマテリアル・デバイス・デザイン
• 31pYH-1 II-VI 族および III-V 族ベースの強磁性転移温度の第一原理計算予測と強磁性機構
• 30pWD-3 透明磁性半導体ベースのマテリアル・デバイス・デザイン
• 31pYH-4 δドーピングによる強磁性転移温度上昇のメカニズム
• 31pYH-5 4d 遷移金属ドープによる II-VI 族および III-V 族強磁性半導体の探索
• 第一原理計算による物質設計 (特集 計算科学技術の活用)
• 17pYH-5 GaNやAINを母体とする希薄磁性半導体の強磁性
• 29pTC-17 ZnOベース希薄磁性半導体の材料設計
• 27pYS-9 磁性半導体の物質設計およびまとめ
• 27pYS-9 磁性半導体の物質設計およびまとめ
• 解説 第一原理計算による新機能希薄磁性半導体のマテリアルデザイン
• 21aGQ-11 スピノダルナノ分解を用いたII-VI族化合物半導体ベース高効率太陽電池材料のマテリアルデザイン(21aGQ 格子欠陥・ナノ構造(エネルギー材料・金属),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 21aGQ-8 スピノーダル分解を利用したCuIn_Ga_xSe_2ベース高効率太陽電池材料のデザイン(21aGQ 格子欠陥・ナノ構造(エネルギー材料・金属),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 21pTL-5 LiZnAsベース磁性半導体の材料設計(21pTL 若手奨励賞・磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aGQ-9 同時ドーピング法によるInフリー環境調和カルコパイライト系太陽電池材料のデザイン(21aGQ 格子欠陥・ナノ構造(エネルギー材料・金属),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 21aGQ-10 カルコパイライト系太陽電池材料のための透明電極のマテリアルデザイン(21aGQ 格子欠陥・ナノ構造(エネルギー材料・金属),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 21pTL-6 磁性半導体に対する格子間同時ドーピング法の効果の第一原理計算による予測(21pTL 若手奨励賞・磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21pGT-8 自己相互作用補正をとりいれたLa_2CuO_4の電子状態の第一原理計算(21pGT 電子系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 領域4・領域8・領域9・領域11・領域12「ナノスケール量子輸送の計算科学的研究の現状・展望と次世代スパコンへの期待」(2011年秋季大会シンポジウムの報告,学会報告)
• 25aCD-4 スピノーダル分解によるナノ構造形成シミュレーション(25aCD 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 19aAG-5 ナノ構造を持つ合金における伝導シミュレーション(19aAG 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 28pXZB-6 合金系熱電材料におけるフォノン熱伝導シミュレーション(28pXZB 格子欠陥・ナノ構造(点欠陥・照射損傷・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 26aKA-11 ナノ構造をもつ二元合金におけるフォノン伝導の分子動力学シミュレーション(誘電体・フォノン(水素結合系,TGS,シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク