Metallicity of the fossil group NGC 1550 observed with Suzaku

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概要

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• Astronomical Society of Japanの論文

著者

• 佐藤 和則

  阪大基礎工

• Mori K

  Cresst And X-ray Astrophysics Laboratory Nasa/gsfc

• Nakashima K

  Univ. Of Tokyo 7-3-1 Hongo Bunkyo Tokyo 113-0033 Jpn

• Nariai K

  Department Of Physics Meisei University

• Kawai N

  National Astronomical Observatory Of Japan Tokyo

• 牧島 一夫

  東大 大学院

• NAKAJIMA Koich

  Hitotsubashi University

• Matsuzaki K

  Department Of Applied Physics University Of Miyazaki

• MIZUTANI Kohei

  Saitama University

• Mukai Kenji

  Department Of Physics Saitama University

• Nakashima Kouichirou

  Nobeyama Radio Observatory

• Katsuda Satoru

  Graduate School Of Natural Science And Technology Kanazawa University

• Kino Masaru

  Department Of Physics Nagoya University

• 牧島 一夫

  Cosmic Radiation Laboratory Riken

• Nakamura Kayoko

  National Astronomical Observatory Of Japan

• Nakanishi Kohichiro

  Graduate School Of Science And Engineering Kagoshima University

• Kawai N

  Department Of Physics Tokyo Institute Of Technology

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• 第一原理計算による新機能性半導体のマテリアルデザイン -予言と実験の比較 -
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• ワイドギャップ半導体の 新しい価電子制御法:予想と実験
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• X-Ray Temperature and Mass Measurements to the Virial Radius of Abell 1413 with Suzaku
• 14aYC-11 磁性元素を含まない透明強磁性酸化物の第一原理マテリアルデザイン(磁性半導体, 領域 4)
• 27pYA-11 遷移金属元素を含まない透明ハーフメタリック室温強磁性酸化物の第一原理マテリアルデザイン : (II)B,C,NをドープしたCaOへの応用(磁性半導体)(領域4)
• 27aYA-7 遷移金属元素を含まない透明ハーフメタリック室温強磁性半導体の第一原理マテリアルデザイン : I.ガイドラインとSiをドープしたK_2Sへの応用(磁性半導体)(領域4)
• 26pYG-4 同時ドーピング法による半導体をベースとする水素貯蔵材料のデザイン(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 30aVE-2 磁性半導体における同時ドーピングによる高濃度磁性元素添加とアニーリング効果(30aVE 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 30aVE-1 第一原理計算による4族半導体ベース磁性半導体のデザイン(30aVE 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
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• 第一原理計算法II : 計算機ナノマテリアルデザイン
• 25aXJ-13 局所環境効果を取り入れた希薄磁性半導体の交換相互作用の第一原理計算(25aXJ 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24aZC-7 LDA+U法によるGaN系希薄磁性半導体の電子状態と磁性(磁性半導体,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• Materials Design of Ferromagnetic Diamond
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• 12pXA-9 第一原理計算からみた磁性半導体の電子構造(主題 : スピン制御半導体の電子構造 : 光で捉える磁性状態, 領域 3)
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• New Class of Diluted Ferromagnetic Semiconductors based on CaO without Transition Metal Elements
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• 半導体スピントロニクスのマテリアルデザイン (
• 27aYA-10 第一原理計算による強磁性半導体発現機構、磁気励起の研究と物質設計(磁性半導体)(領域4)
• 30pWD-3 透明磁性半導体ベースのマテリアル・デバイス・デザイン
• 31pYH-1 II-VI 族および III-V 族ベースの強磁性転移温度の第一原理計算予測と強磁性機構
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• 第一原理計算による物質設計 (特集 計算科学技術の活用)
• 17pYH-5 GaNやAINを母体とする希薄磁性半導体の強磁性
• 29pTC-17 ZnOベース希薄磁性半導体の材料設計
• 27pYS-9 磁性半導体の物質設計およびまとめ
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• 解説 第一原理計算による新機能希薄磁性半導体のマテリアルデザイン
• 21aGQ-11 スピノダルナノ分解を用いたII-VI族化合物半導体ベース高効率太陽電池材料のマテリアルデザイン(21aGQ 格子欠陥・ナノ構造(エネルギー材料・金属),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 21aGQ-8 スピノーダル分解を利用したCuIn_Ga_xSe_2ベース高効率太陽電池材料のデザイン(21aGQ 格子欠陥・ナノ構造(エネルギー材料・金属),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 21pTL-5 LiZnAsベース磁性半導体の材料設計(21pTL 若手奨励賞・磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aGQ-9 同時ドーピング法によるInフリー環境調和カルコパイライト系太陽電池材料のデザイン(21aGQ 格子欠陥・ナノ構造(エネルギー材料・金属),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 21aGQ-10 カルコパイライト系太陽電池材料のための透明電極のマテリアルデザイン(21aGQ 格子欠陥・ナノ構造(エネルギー材料・金属),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 21pTL-6 磁性半導体に対する格子間同時ドーピング法の効果の第一原理計算による予測(21pTL 若手奨励賞・磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21pGT-8 自己相互作用補正をとりいれたLa_2CuO_4の電子状態の第一原理計算(21pGT 電子系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 領域4・領域8・領域9・領域11・領域12「ナノスケール量子輸送の計算科学的研究の現状・展望と次世代スパコンへの期待」(2011年秋季大会シンポジウムの報告,学会報告)
• 25aCD-4 スピノーダル分解によるナノ構造形成シミュレーション(25aCD 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 19aAG-5 ナノ構造を持つ合金における伝導シミュレーション(19aAG 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 28pXZB-6 合金系熱電材料におけるフォノン熱伝導シミュレーション(28pXZB 格子欠陥・ナノ構造(点欠陥・照射損傷・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 26aKA-11 ナノ構造をもつ二元合金におけるフォノン伝導の分子動力学シミュレーション(誘電体・フォノン(水素結合系,TGS,シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

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