19pTA-10 CuAlO_2を用いた希薄磁性半導体の第一原理計算(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2007-02-28
著者
-
佐藤 和則
阪大
-
吉田 博
阪大基礎工
-
佐藤 和則
阪大基礎工
-
吉田 博
阪大産研
-
佐藤 和則
阪大産研
-
Sato K
阪大基礎工
-
木崎 栄年
阪大基礎工
-
吉田 博
阪大産研:科技団
-
木崎 栄年
阪大産研
-
吉田 博
阪大院基礎工
関連論文
- 23pHT-2 高分解能チョッパー分光器の建設(23pHT X線・粒子線(中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 29pTE-7 第一原理熱力学計算によるインテリジェント触媒の表面構造の解明(29pTE 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aPS-10 Hard X-ray photoelectron spectroscopy of doped Silicon
- 27pYD-3 遷移金属ダイカルコゲナイドのCDW相における電子状態(電荷密度波)(領域6)
- 30aSA-6 入射核破砕過程における^Arの核スピン偏極機構と核モーメント
- 30aSA-5 ^Nの核モーメント(II)
- 27aYG-2 電子励起原子移動によるダイマーフラーレン合成の第一原理的研究(27aYG フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 25aY-11 Cu中不純物のナイトシフトの第一原理計算
- 27pYC-15 TiO_2中の短寿命核^Bの超微細相互作用
- 27pWF-8 ^Scの電気四重極モーメント
- 22aPS-134 LDA+SIC法による磁性半導体の電子構造の計算(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25aXJ-14 LDA+SIC法による希薄磁性半導体の電子状態と磁性の予測(25aXJ 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28aXC-5 自己相互作用補正を取り入れた量子デザイン手法(28aXC 領域4,領域11合同シンポジウム:次世代第一原理量子シミュレーションによる量子デザイン手法の展開,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 28pRF-4 磁性半導体におけるスピノーダル分解の予測と材料設計(28pRF 領域10,領域4,領域8合同シンポジウム:高濃度ドープへの挑戦とそれに伴う格子欠陥の解決,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 28pRF-4 磁性半導体におけるスピノーダル分解の予測と材料設計(28pRF 領域10,領域4,領域8合同シンポジウム:高濃度ドープへの挑戦とそれに伴う格子欠陥の解決,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 24pZD-1 高いキュリー温度を持つワイドギャップ希薄磁性半導体のデザインと合成(24pZD 領域10,領域3,領域4,領域8合同シンポジウム:計算機ナノマテリアルデザインとスピントロニクス〜成功物語と将来展望〜,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 24pZD-1 高いキュリー温度を持つワイドギャップ希薄磁性半導体のデザインと合成(24pZD 領域10,領域3,領域4,領域8合同シンポジウム:計算機ナノマテリアルデザインとスピントロニクス〜成功物語と将来展望〜,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 25aXJ-8 第一原理計算を用いたナノ超構造を持つ希薄磁性半導体のデザイン(25aXJ 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28aXC-5 自己相互作用補正を取り入れた量子デザイン手法(28aXC 領域4,領域11合同シンポジウム:次世代第一原理量子シミュレーションによる量子デザイン手法の展開,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21pYM-8 シリコンにインプラントされたホウ素の核スピン緩和の磁場依存性(格子欠陥・ナノ構造(半導体・水素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 24aZC-8 LDA+SIC法によるZnO系磁性半導体の電子状態と磁性の予測(磁性半導体,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 12aYC-5 自己相互作用を補正した第一原理電子状態計算手法による ZnO 系磁性半導体の強磁性安定性の予測(磁性半導体, 領域 4)
- 23aTC-9 フルポテンシャル KKR-Green 関数法による電場勾配研究
- 20aTG-3 TiO_2中の短寿命核^B、^Nの超微細相互作用
- 26aTF-3 αホウ素の不純物添加による金属化(ゼオライト・クラスター,領域7,分子性固体・有機導体)
- 23pTH-2 不純物添加した固体ホウ素の物性(クラスレート・新物質,領域7,分子性固体・有機導体)
- 30aYF-10 ホールドープしたグラファイトの平面構造の構造安定性(アンダーソン局在・低次元物質)(領域4)
- ^Se NMR Evidence for the Jaccarino-Peter Mechanism in the Field Induced Superconductor, λ-(BETS)_2FeCl_4(Condensed matter: electronic structure and electrical, magnetic, and optical properties)
- 22aXB-2 第一原理熱力学計算によるインテリジェント触媒の自己再生機構の解明(22aXB 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aYM-6 シリコン中の水素の振動問題(領域10, 領域4合同格子欠陥・ナノ(半導体),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 15aTB-10 第一原理計算によるシリコン中の水素の振動問題(電子系 : 第一原理計算, 領域 11)
- 12aYB-8 デラフォサイト型 CuAlO_2 の欠陥についての第一原理的研究 II(低対称系・格子欠陥, 領域 4)
- 22aTG-2 希薄磁性半導体における磁気励起の研究(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 12aYC-2 希薄磁性半導体 (Zn, Cr)Te の電子状態計算とキュリー温度の見積もり(磁性半導体, 領域 4)
- 24pYF-7 Si結晶中の単原子空孔の弾性定数への影響(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 24pYF-8 シリコン中のCu複合体のフォトルミネッセンス : 解釈(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 22aTG-3 TiO_2ベース希薄磁性半導体の第一原理計算(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 27aYT-10 第一原理計算を用いたハーフハイスラー化合物MNiSn,MCoSb(M=Ti,Zr,Hf)の電子構造と熱電特性の評価(化合物半導体・アモルファス,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 22aYC-9 シリコン中不純物の光励起による選択的低温拡散の第一原理シミュレーション(格子欠落・アモルファス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19aYN-10 リンドープダイヤモンドの局所対称性の第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子状態),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 27aXT-9 ボロン水素複合欠陥によるn型ダイヤモンドの可能性についての第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
- 25aPS-50 強磁性CeRh_3B_2の電子状態およびフェルミ面(領域8ポスターセッション(f電子系等),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 21世紀の錬金術としての計算機ナノマテリアルデザイン
- 19pTA-10 CuAlO_2を用いた希薄磁性半導体の第一原理計算(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25aXJ-9 第一原理計算によるCuAlO_2ベース希薄磁性半導体の交換相互作用(25aXJ 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 14aYC-10 第一原理計算による CuAlO_2 を母体とした希薄磁性半導体の物質設計(磁性半導体, 領域 4)
- 23aZB-4 高圧下における固体ホウ素の性質(23aZB クラスター・ゼオライト,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23aZB-1 高圧でのボロンの分子動力学シミュレーション(23aZB クラスター・ゼオライト,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pTD-11 結晶シリコンにおける単原子空孔の弾性定数への影響(格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 19aRG-1 不純物添加したα-Boronの物性(クラスレート,領域7,分子性固体・有機導体)
- 30aRC-6 高圧下におけるα-gallium型構造を持つ固体ホウ素の安定性(30aRC クラスター・ゼオライト,領域7(分子性固体・有機導体))
- 14aYC-11 磁性元素を含まない透明強磁性酸化物の第一原理マテリアルデザイン(磁性半導体, 領域 4)
- 27pYA-11 遷移金属元素を含まない透明ハーフメタリック室温強磁性酸化物の第一原理マテリアルデザイン : (II)B,C,NをドープしたCaOへの応用(磁性半導体)(領域4)
- 27aYA-7 遷移金属元素を含まない透明ハーフメタリック室温強磁性半導体の第一原理マテリアルデザイン : I.ガイドラインとSiをドープしたK_2Sへの応用(磁性半導体)(領域4)
- 第一原理計算法III : 界面と欠陥のナノダイナミクス
- 22aTL-2 日本企業の成長性(経済物理I,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 23aXE-6 企業の成長戦略とその分析(23aXE 経済物理,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 26pYG-4 同時ドーピング法による半導体をベースとする水素貯蔵材料のデザイン(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 28pTE-7 第一原理計算によるインテリジェント触媒の自己再生機能の解明(28pTE 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30aVE-2 磁性半導体における同時ドーピングによる高濃度磁性元素添加とアニーリング効果(30aVE 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 30aVE-1 第一原理計算による4族半導体ベース磁性半導体のデザイン(30aVE 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22aQE-7 負の有効電子相関系に関する一般則と物質設計の理論(22aQE 銅酸化物など(理論),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 24aWJ-3 3dと4d遷移金属の同時添加による希薄磁性半導体の物質設計(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 領域8,3「物性物理学における巨大物性応答のデザインと実証 : 現状と将来展望」(2007年春季大会シンポジウムの報告)
- 第一原理計算法II : 計算機ナノマテリアルデザイン
- 25aXJ-13 局所環境効果を取り入れた希薄磁性半導体の交換相互作用の第一原理計算(25aXJ 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aZC-7 LDA+U法によるGaN系希薄磁性半導体の電子状態と磁性(磁性半導体,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 12pXA-9 第一原理計算からみた磁性半導体の電子構造(主題 : スピン制御半導体の電子構造 : 光で捉える磁性状態, 領域 3)
- 12pXA-9 第一原理計算からみた磁性半導体の電子構造(主題 : スピン制御半導体の電子構造 : 光で捉える磁性状態, 領域 5)
- 24aZD-8 第一原理計算による結晶SiにおけるCN分子の解析(24aZD 領域10,領域4合同招待講演,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 22aYC-12 高圧下におけるホウ素結晶の振る舞い(格子欠落・アモルファス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aYT-5 固体ホウ素の高圧下の振る舞い(化合物半導体・アモルファス,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 30aYF-12 第一原理計算によるβホウ素の格子振動スペクトル(アンダーソン局在・低次元物質)(領域4)
- 12aYB-7 圧力下における固体ホウ素の安定状態(低対称系・格子欠陥, 領域 4)
- 半導体スピントロニクスのマテリアルデザイン (
- 27aYA-10 第一原理計算による強磁性半導体発現機構、磁気励起の研究と物質設計(磁性半導体)(領域4)
- 19aWK-5 巨大物性応答のデザインと実証のまとめと将来展望(19aWK 領域8,領域3合同シンポジウム 主題:物性物理学における巨大物性応答のデザインと実証 : 現状と将来展望,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 領域10,3,4,8「計算機ナノマテリアルデザインとスピントロニクス : 成功物語と将来展望」(2006年秋季大会シンポジウムの報告)
- 20pYG-3 Bドープダイヤモンドの電子状態の理論(領域8シンポジウム(主題 : Bドープダイヤモンドの超伝導と電子状態,領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
- 26aTJ-13 第一原理計算による、高圧下でのCuAlO_2のエネルギーギャップの研究(26aTJ 分子性固体・高圧物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23pGH-3 自己相互作用補正局所密度汎関数法(SIC-LDA)によるデラッフォサイト型CuAlO_2の電子状態(23pGH 銅酸化物理論,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 23pGH-4 高温超伝導体の計算機ナノマテリアルデザイン指針と方法(23pGH 銅酸化物理論,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 21aGQ-11 スピノダルナノ分解を用いたII-VI族化合物半導体ベース高効率太陽電池材料のマテリアルデザイン(21aGQ 格子欠陥・ナノ構造(エネルギー材料・金属),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 21aGQ-8 スピノーダル分解を利用したCuIn_Ga_xSe_2ベース高効率太陽電池材料のデザイン(21aGQ 格子欠陥・ナノ構造(エネルギー材料・金属),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 21pTL-5 LiZnAsベース磁性半導体の材料設計(21pTL 若手奨励賞・磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aGQ-9 同時ドーピング法によるInフリー環境調和カルコパイライト系太陽電池材料のデザイン(21aGQ 格子欠陥・ナノ構造(エネルギー材料・金属),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 21aGQ-10 カルコパイライト系太陽電池材料のための透明電極のマテリアルデザイン(21aGQ 格子欠陥・ナノ構造(エネルギー材料・金属),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 23pGH-2 デラッフォサイト型CuAlO_2バンドギャップの圧力依存性と電子状態(23pGH 銅酸化物理論,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 21pTL-6 磁性半導体に対する格子間同時ドーピング法の効果の第一原理計算による予測(21pTL 若手奨励賞・磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21pGT-8 自己相互作用補正をとりいれたLa_2CuO_4の電子状態の第一原理計算(21pGT 電子系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 23pGH-1 第一原理計算によるデラッフォサイト型CuAlO_2ベース透明高温超伝導体(T_c〜50K)のデザイン(23pGH 銅酸化物理論,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 23pGH-5 デラッフォサイト型CuAlO_2のp型価電子制御法と高効率熱電材料のデザインと実証(23pGH 銅酸化物理論,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25aCD-4 スピノーダル分解によるナノ構造形成シミュレーション(25aCD 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 24pYH-4 ホールドープしたデラフォッサイトMAlO_2(M=Cu,Ag,Au)系の超伝導転移温度の第一原理計算による比較(24pYH 銅酸化物理論,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 19aAG-5 ナノ構造を持つ合金における伝導シミュレーション(19aAG 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 25pYD-8 計算機ナノマテリアルデザイン : スピントロニクス・太陽電池・熱電材料のデザイン・実証から高温超伝導探索まで(25pYD 領域8,領域3,領域7合同シンポジウム:新物質が切り拓く次世代の強相関物性科学,領域7(分子性固体・有機導体))
- 25pYD-8 計算機ナノマテリアルデザイン : スピントロニクス・太陽電池・熱電材料のデザイン・実証から高温超伝導体探索まで(25pYD 領域8,領域3,領域7合同シンポジウム 主題:新物質が切り拓く次世代の強相関物性科学,領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 26pXX-9 ホールドープしたデラフォッサイトCuXO_2(X=B,Al,Ga,In)系の超伝導転移温度の第一原理計算による比較(26pXX 低温理論1(鉄系・銅酸化物超伝導など),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- JPSJの抱える問題点と再建策(会員の声)
- 計算機ナノマテリアルデザインの基礎と応用 (