佐藤 和則 | 阪大
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概要
関連著者
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佐藤 和則
阪大
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佐藤 和則
阪大基礎工
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吉田 博
阪大基礎工
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佐藤 和則
阪大産研
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Sato K
阪大基礎工
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吉田 博
阪大産研
-
吉田 博
阪大産研:科技団
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赤井 久純
大阪大院理
-
赤井 久純
阪大院理
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福田 光順
埼玉大
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池田 博
筑波大 低温センター
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福田 光順
大阪大理
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豊田 雅之
北陸先端大融合院
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Katayama-yoshida Hiroshi
Department Of Physics Tohoku University
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豊田 雅之
阪大産研
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吉田 博
阪大院基礎工
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赤井 久純
阪大理
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三原 基嗣
阪大理
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松多 健策
阪大理
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三宅 徹
東北大サイクロ
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南園 啓
NSCL
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南園 忠則
阪大理
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木崎 栄年
阪大基礎工
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長友 傑
ICU
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炭竈 聡之
理科大
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福田 光順
阪大理
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佐々木 誠
Nasa Csfc
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松多 健策
阪大院理
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三原 基嗣
阪大院理
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福田 光順
阪大院理
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柳瀬 章
阪大産研
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小倉 昌子
阪大理
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三宅 徹
阪大理
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佐々木 誠
阪大理
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吉田 博
大阪大学産業科学研究所
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佐々木 誠
立命館大
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佐々木 恵
新潟大学
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柳瀬 章
阪大・産研
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佐藤 和則
阪大理
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小倉 昌子
阪大院理
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南園 忠則
阪大院理
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工藤 修一
阪大理
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坪田 隆之
阪大理
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上中 進太郎
阪大理
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橋本 和良
阪大院理
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福島 鉄也
大阪大学産業科学研究所
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佐藤 和則
大阪大学産業科学研究所
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清家 聖嘉
阪大産研
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劔持 一英
阪大産研
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木崎 栄年
阪大産研
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谷 義政
阪大基礎工
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百田 佐多生
高知工大工
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野尻 洋一
高知工科大
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南園 啓
阪大理
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岩越 丈尚
阪大理
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長友 傑
阪大院理
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岩越 丈尚
阪大院理
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炭竃 聡之
阪大院理
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橋本 和良
阪大理
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有村 圭
阪大理
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阿久津 和由
阪大理
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河 忠久
阪大理
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南園 啓
阪大院理
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赤井 久純
阪大産研
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福島 鉄也
阪大産研
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藤井 将
阪大産研
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Dederichs P.
ユーリッヒ研究センター
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大山 研司
東北大金研
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秋光 純
青山学院大
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秋光 純
青学大理工
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大友 季哉
高エ研
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大原 泰明
東大物性研
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大坪 隆
新潟大理
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泉川 卓司
新潟大RI
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百田 佐多生
高知工大
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南園 忠則
福井工大
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福田 茂一
放医研
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北川 敦志
放医研
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岩佐 和晃
東北大理
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佐藤 卓
東大物性研
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桑原 慶太郎
茨城大理工
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岩佐 和晃
東北大院理
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横尾 哲也
J-PARCセンター
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佐藤 節夫
J-PARCセンター
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伊藤 晋一
高エ研
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横尾 哲也
高エ研
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矢野 真一郎
青山学院大
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佐藤 節夫
高エ研
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鈴木 純一
高エ研
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上野 健治
高エ研
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加美山 隆
北大
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山室 修
東大
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遠藤 康夫
高エ研
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黒田 眞司
筑波大
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那須 奎一郎
高エ研
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岩野 薫
高エ研
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吉澤 英樹
東大
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川村 義久
東大
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浅見 俊夫
東大
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杉浦 良介
東大
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百田 佐多生
高知工科大
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金沢 光隆
放医研
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取越 正巳
放医研
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Symons T.
LBL
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山室 修
東大物性研
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太田 雅洋
新潟大自然
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太田 雅人
阪大院理
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朱 升云
CIAE
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野尻 洋一
高知工大
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Alonso J.R.
LBL
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Krebs G.F.
LBL
-
朱 昇云
中国原子能研
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泉川 卓司
新潟大riセンター
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吉沢 英樹
東大物性研
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桑原 慶太郎
茨城大学大学院理工学研究科応用粒子線科学専攻
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伊藤 晋一
物構研
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福田 茂一
理研
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那須 奎一郎
高工研
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大原 泰洋
東大物性研
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大山 研二
東北大学金研
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佐藤 節夫
高エネルギー加速器研究機構
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大山 研司
東北大理
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三原 基嗣
大阪大理
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西尾 禎治
放医研
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杉本 崇
理研仁科セ
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岩佐 和晃
東北大・高エ研
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Symons M.
理研仁科セ
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田中 鐘信
阪大理
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須田 充
放射線医学総合研究所 加速器物理工学部
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須田 充
放医研
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金澤 光高
放医研
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森下 暁夫
阪大理
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福田 茂一
若狭湾エネルギーセンター
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ALONSO Jose
LBL
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長友 傑
阪大理
-
朱 升云
中国原子能研
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Symons T
Lawrence Berkeley Lab. Usa
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Krebs Gary
Lbl
-
Symons T
LBL
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江田 茂
放医研
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炭竈 聡之
阪大理
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竹村 淳
阪大理
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福田 光則
阪大理
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Symons T.j.m.
理研仁科セ
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佐藤 卓
金材技研
-
Krebs G.f.
Lawrence Berkeley Lab.
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大隅 文江
阪大理
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藤尾 高行
阪大理
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ALONSO J.R
LBL
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三宅 徹
阪大院理
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工藤 修一
阪大院理
-
北川 敦志
放射線医学総合研究所 加速器物理工学部
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有村 圭
阪大院理
-
阿久津 和由
阪大院理
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吉田 傅
阪大産研
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Dederichs Peter
阪大産研
-
Zhu S.
CIAE
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佐藤 和則
ユーリッヒ研
-
佐藤 卓
東工大理
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Endoh Yasuo
Core Research For Evolutional Science And Technology (jrcat) : Department Of Physics Tohoku Universi
-
Endoh Yasuo
Physics Department Granduate School Of Science Tohoku University
-
Akimitsu Jun
Aoyama Gakuin Univ. Kanagawa
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Akimitsu J.
Dep. Of Physics Aoyama-gakuin Univ. Sagamihara Kanagawa 229-8558 Jpn
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木崎 栄年
大阪大学産業科学研究所
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豊田 雅之
大阪大学産業科学研究所
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Ando Yuji
Department Of Applied Physics The University Of Tokyo
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大山 健司
東北大金研
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吉田 博
阪大産研、科技団
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大山 研司
東北大 理
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Akimitsu Jun
Faculty Of Science And Engineering Aoyama-gakuin University
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Endoh Yasuo
Institute For Materials Research Tohoku University
-
Endoh Yasuo
Physics Department Tohoku University
-
大原 泰明
東大・物性研
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富永 隆介
阪大基礎工
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原田 邦彦
阪大産研
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Dederichs P.H.
阪大産研
-
佐藤 和則
阪大産研、ユーリッヒ研
-
Dederichs P.
阪大産研、ユーリッヒ研
-
Dederichs P.h.
阪大産研:ユーリッヒ研
-
Dederichs P.
Fz-juelich
-
Ando Y
Tokyo Univ. Information Sci. Chiba Jpn
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三原 基嗣
大阪大学
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山室 修
東大物性研:jst-crest
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秋光 純
青山学院大学 理工学部 物理・数理学科
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岩佐 和晃
東北大
-
Endoh Yasuo
Crest Japan Science And Technology Corporation (jst)
-
横尾 哲也
高エネ機構
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藤井 将
阪大基礎工
-
押谷 昌宗
阪大基礎工
-
藤本 悟智人
阪大基礎工
-
三野 祥生
阪大基礎工
-
矢野 真一郎
青山学院理工
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大山 研司
東北大
著作論文
- 23pHT-2 高分解能チョッパー分光器の建設(23pHT X線・粒子線(中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 30aSA-6 入射核破砕過程における^Arの核スピン偏極機構と核モーメント
- 30aSA-5 ^Nの核モーメント(II)
- 25aY-11 Cu中不純物のナイトシフトの第一原理計算
- 27pYC-15 TiO_2中の短寿命核^Bの超微細相互作用
- 27pWF-8 ^Scの電気四重極モーメント
- 22aPS-134 LDA+SIC法による磁性半導体の電子構造の計算(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25aXJ-14 LDA+SIC法による希薄磁性半導体の電子状態と磁性の予測(25aXJ 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28aXC-5 自己相互作用補正を取り入れた量子デザイン手法(28aXC 領域4,領域11合同シンポジウム:次世代第一原理量子シミュレーションによる量子デザイン手法の展開,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 28pRF-4 磁性半導体におけるスピノーダル分解の予測と材料設計(28pRF 領域10,領域4,領域8合同シンポジウム:高濃度ドープへの挑戦とそれに伴う格子欠陥の解決,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 28pRF-4 磁性半導体におけるスピノーダル分解の予測と材料設計(28pRF 領域10,領域4,領域8合同シンポジウム:高濃度ドープへの挑戦とそれに伴う格子欠陥の解決,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 24pZD-1 高いキュリー温度を持つワイドギャップ希薄磁性半導体のデザインと合成(24pZD 領域10,領域3,領域4,領域8合同シンポジウム:計算機ナノマテリアルデザインとスピントロニクス〜成功物語と将来展望〜,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 24pZD-1 高いキュリー温度を持つワイドギャップ希薄磁性半導体のデザインと合成(24pZD 領域10,領域3,領域4,領域8合同シンポジウム:計算機ナノマテリアルデザインとスピントロニクス〜成功物語と将来展望〜,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 25aXJ-8 第一原理計算を用いたナノ超構造を持つ希薄磁性半導体のデザイン(25aXJ 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28aXC-5 自己相互作用補正を取り入れた量子デザイン手法(28aXC 領域4,領域11合同シンポジウム:次世代第一原理量子シミュレーションによる量子デザイン手法の展開,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21pYM-8 シリコンにインプラントされたホウ素の核スピン緩和の磁場依存性(格子欠陥・ナノ構造(半導体・水素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 24aZC-8 LDA+SIC法によるZnO系磁性半導体の電子状態と磁性の予測(磁性半導体,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 12aYC-5 自己相互作用を補正した第一原理電子状態計算手法による ZnO 系磁性半導体の強磁性安定性の予測(磁性半導体, 領域 4)
- 23aTC-9 フルポテンシャル KKR-Green 関数法による電場勾配研究
- 20aTG-3 TiO_2中の短寿命核^B、^Nの超微細相互作用
- 22aTG-2 希薄磁性半導体における磁気励起の研究(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 12aYC-2 希薄磁性半導体 (Zn, Cr)Te の電子状態計算とキュリー温度の見積もり(磁性半導体, 領域 4)
- 22aTG-3 TiO_2ベース希薄磁性半導体の第一原理計算(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 19pTA-10 CuAlO_2を用いた希薄磁性半導体の第一原理計算(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25aXJ-9 第一原理計算によるCuAlO_2ベース希薄磁性半導体の交換相互作用(25aXJ 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 14aYC-10 第一原理計算による CuAlO_2 を母体とした希薄磁性半導体の物質設計(磁性半導体, 領域 4)
- 14aYC-11 磁性元素を含まない透明強磁性酸化物の第一原理マテリアルデザイン(磁性半導体, 領域 4)
- 27pYA-11 遷移金属元素を含まない透明ハーフメタリック室温強磁性酸化物の第一原理マテリアルデザイン : (II)B,C,NをドープしたCaOへの応用(磁性半導体)(領域4)
- 27aYA-7 遷移金属元素を含まない透明ハーフメタリック室温強磁性半導体の第一原理マテリアルデザイン : I.ガイドラインとSiをドープしたK_2Sへの応用(磁性半導体)(領域4)
- 26pYG-4 同時ドーピング法による半導体をベースとする水素貯蔵材料のデザイン(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 30aVE-2 磁性半導体における同時ドーピングによる高濃度磁性元素添加とアニーリング効果(30aVE 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 30aVE-1 第一原理計算による4族半導体ベース磁性半導体のデザイン(30aVE 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aWJ-3 3dと4d遷移金属の同時添加による希薄磁性半導体の物質設計(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 第一原理計算法II : 計算機ナノマテリアルデザイン
- 25aXJ-13 局所環境効果を取り入れた希薄磁性半導体の交換相互作用の第一原理計算(25aXJ 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aZC-7 LDA+U法によるGaN系希薄磁性半導体の電子状態と磁性(磁性半導体,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 12pXA-9 第一原理計算からみた磁性半導体の電子構造(主題 : スピン制御半導体の電子構造 : 光で捉える磁性状態, 領域 3)
- 12pXA-9 第一原理計算からみた磁性半導体の電子構造(主題 : スピン制御半導体の電子構造 : 光で捉える磁性状態, 領域 5)
- 半導体スピントロニクスのマテリアルデザイン (
- 27aYA-10 第一原理計算による強磁性半導体発現機構、磁気励起の研究と物質設計(磁性半導体)(領域4)
- 21aGQ-11 スピノダルナノ分解を用いたII-VI族化合物半導体ベース高効率太陽電池材料のマテリアルデザイン(21aGQ 格子欠陥・ナノ構造(エネルギー材料・金属),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 21aGQ-8 スピノーダル分解を利用したCuIn_Ga_xSe_2ベース高効率太陽電池材料のデザイン(21aGQ 格子欠陥・ナノ構造(エネルギー材料・金属),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 21pTL-5 LiZnAsベース磁性半導体の材料設計(21pTL 若手奨励賞・磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aGQ-9 同時ドーピング法によるInフリー環境調和カルコパイライト系太陽電池材料のデザイン(21aGQ 格子欠陥・ナノ構造(エネルギー材料・金属),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 21aGQ-10 カルコパイライト系太陽電池材料のための透明電極のマテリアルデザイン(21aGQ 格子欠陥・ナノ構造(エネルギー材料・金属),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 21pTL-6 磁性半導体に対する格子間同時ドーピング法の効果の第一原理計算による予測(21pTL 若手奨励賞・磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21pGT-8 自己相互作用補正をとりいれたLa_2CuO_4の電子状態の第一原理計算(21pGT 電子系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))