21aGQ-11 スピノダルナノ分解を用いたII-VI族化合物半導体ベース高効率太陽電池材料のマテリアルデザイン(21aGQ 格子欠陥・ナノ構造(エネルギー材料・金属),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

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概要

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• 2011-08-24

著者

• 佐藤 和則

  阪大

• 吉田 博

  阪大基礎工

• 池田 博

  筑波大 低温センター

• 佐藤 和則

  阪大基礎工

• Sato K

  阪大基礎工

• 吉田 博

  阪大産研:科技団

• 押谷 昌宗

  阪大基礎工

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