熱非平衡結晶成長における同時ドーピング法による新しい価電子制御法とスピン制御法 : 結晶成長の理論(<特集>21世紀を拓く薄膜結晶成長)

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概要

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• We propose a new valence control method of codoping for the fabrication of low-resistivity p-type ZnO and GaN by ab initio electronic structure calculations. We compare our predictions of codoping with the recent successful codoping experiments for the fabrication of the low-resistivity p-type wide band-gap semiconductors . We have also proposed materials design to fabricate a transparent ferromagnet with transition atom doped ZnO and GaN, combined with the new valence control method of codoping. Based upon the calculation, we propose both the valence control method for the electronics and spin control method for the spintronics.

• 日本結晶成長学会の論文
• 2000-10-25

著者

• 佐藤 和則

  阪大基礎工

• 吉田 博

  大阪大学産業科学研究所

• 山本 哲也

  高知工科大学 総合研究所 マテリアルデザインセンター

• 佐藤 和則

  大阪大学産業科学研究所

• 山本 哲也

  高知工科大学

• 加藤 竜次

  大阪大学 科学技術振興事業団

• 加藤 竜次

  大阪大学産業科学研究所量子機能科学研究部門

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