計算機で作ったアモルファスシリコン
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
24pY-5 第一原理計算によるSi中の遷移金属の拡散
-
23aK-7 II-VI族希薄磁性半導体の磁性とキャリアドーピングの効果
-
22aTG-2 希薄磁性半導体における磁気励起の研究(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
26aWZ-10 Nbドープ二酸化チタンのスピン分極を考慮したGGA+U計算(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
-
21aXJ-6 Cu(001)上のLiのc(5√2×√2)R45°構造の第一原理計算(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
22aTG-3 TiO_2ベース希薄磁性半導体の第一原理計算(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
19aYN-10 リンドープダイヤモンドの局所対称性の第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子状態),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
-
27aXT-9 ボロン水素複合欠陥によるn型ダイヤモンドの可能性についての第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
-
24aY-4 ダイヤモンド中の酸素-水素複合欠陥
-
計算機で作ったアモルファスシリコン
-
26pYL-13 第一原理tight-binding法によるダイヤモンド巾の硫黄の電子状態
-
26pYL-11 ダイヤモンド中の硫黄-水素複合欠陥
-
31a-ZA-14 半導体ダイヤモンド中の水素II:アクセプター : ドナーとの共演
-
半導体における第一原理計算からの物質設計
-
25p-T-12 半導体ダイヤモンド中の水素 : アクセプター/ドナーとの共演
-
25p-T-11 ダイヤモンド中の窒素・原子空孔対による窒素不純物の新しい拡散機構
-
7p-E-6 第一原理計算による価電子制御と物質設計 : CuInS_2, GaN, ZnSeからダイヤモンドまで
-
8a-S-6 同時ドーピングによる低抵抗n型ダイヤモンド半導体の実現方法の提案
-
5p-L-5 電子励起によるアモルファス半導体の低温結晶化促進反応機構(理論)
-
3a-M-7 ダイヤモンド中の不純物の第一原理計算
-
29p-YL-5 第一原理分子動力学法によるアモルファス半導体欠陥の電子励起原子移動
-
3a-J-9 第一原理分子動力学法によるアモルファスシリコンの光誘起結晶化機構
-
Prediction of Intrinsic Defects in Hydrogenated Amorphous Silicon by ab initio Molecular Dynamics
-
30p-L-2 第一原理分子動力学法による非晶質シリコンの電子励起結晶化機構 (1)
-
30p-L-1 第一原理分子動力学法によるa-Si:Hの欠陥と電子励起状態計算
-
3p-W-3 物質設計システムの試作
-
第一原理計算による新機能性半導体のマテリアルデザイン -予言と実験の比較 -
-
熱非平衡結晶成長における同時ドーピング法による新しい価電子制御法とスピン制御法 : 結晶成長の理論(21世紀を拓く薄膜結晶成長)
-
22pTL-5 a-Si : H の薄膜成長に関する第一原理計算 III
-
第一原理計算法III : 界面と欠陥のナノダイナミクス
-
22aTL-2 日本企業の成長性(経済物理I,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
-
23aXE-6 企業の成長戦略とその分析(23aXE 経済物理,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
-
第一原理計算法II : 計算機ナノマテリアルデザイン
-
24aZD-8 第一原理計算による結晶SiにおけるCN分子の解析(24aZD 領域10,領域4合同招待講演,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
-
28aZK-1 ホウ素とその化合物の電子状態と圧力依存
-
17pYH-6 GaNベース希薄磁性半導体の平均場解の群論的分類
-
24aY-9 同時ドーピングによるSi金属化の第一原理計算
-
半導体スピンエレクトロニクスの将来展望
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク